（黑龙江大学，黑龙江 哈尔滨 150000）
摘要：本文设计了一种压阻式压力传感器，利用薄膜力学、挠度理论等相关知识分别计算出两种结构的最佳尺寸以及可以达到的最大理论应力，设计出一种双岛-梁膜结构。用ANSYS有限元仿真软件静态仿真得到该结构可达到的最大应力为404.73MPa、最大位移为8.543μm，经分析该双岛-梁膜结构的灵敏度较高，并用控制变量法优化双岛-梁膜结构的尺寸。
关键词：压力传感器；灵敏度；双岛梁膜；ANSYS仿真
1.前言
MEMS压阻式压力传感器属于微型传感器的范畴，它广泛应用于汽车工业领域、航空航天领域及生物医疗领域。压阻式压力传感器以其高灵敏度、良好的线性度及可重复性而著名。压力传感器是整个传感装置领域消费数量最多、使用最广泛的器件之一，尤其是在工业自动化、环境保护和医疗器械等领域应用时，对传感器性能如灵敏度、线性度具有迫切的需求。因此，研究更高性能的微压力传感器具有重要意义。
2.压阻式压力传感器理论分析与结构设计
压阻式压力传感器的工作原理主要是利用半导体材料如硅、锗的压阻效应。压阻效应是指当半导体材料在某个方向上受到外界应力的作用时，引起其材料内部能带结构发生变化，能谷的能量振动，将带来载流子相对能量的变化，从而使半导体电阻率发生一定变化。
压阻式压力传感器的测量方法是将作用在弹性膜片上的压力转化为膜片的应变，应变将造成膜片上电阻值的变化。一般需将电阻的变化转化为电压的变化，并采用惠斯通电桥来测量这种变化。
3.优化结构的设计与仿真
3.1 双岛-梁膜结构设计
优化结构采用双岛-梁膜结构，在厚硅梁背面有两个岛，在该结构的前面，一个硅梁跨越硅岛并将硅膜分成两个对称的部分。在双岛-梁膜结构压力传感器中，双岛把应力集中到两岛之间以及岛与边框间极窄的膜区中，然后通过膜与梁的复合，将应力进一步集中到梁区。
按照设计好的尺寸在ANSYS有限元分析软件中画出硅杯模型，并在硅膜表面施加200kPa的压力，进行静态仿真，得到应力云图、应变云图及位移云图后，分析出灵敏度的变化。然后找到应力最大的位置，放置压敏电阻，最后计算出双岛-梁膜结构的灵敏度。
3.2 压敏电阻设计
为了使电阻更大程度地处在应力集中的位置，将电阻设计成折弯形状，一般压敏电阻的单位表面积最大功耗为Pmax=5 10-3mW/μm2,尤其是当电阻条上覆盖着钝化膜时，更应该减小最大功耗。采用折弯型电阻，将其分成每段为150μm的四段，由于折弯电阻的末端靠近引线接触孔，所以会降低电阻的阻值，为了减小两端的负阻效应，通常使用硼注入或金属条连接。因此，电阻条长度为150μm，拐角端处尺寸为40μm，相邻电阻条间距为30μm，中间过渡宽度也为30μm，扩散结深为2μm。当压阻式压力传感器处于一定的压力下，为了得到最大的电压输出，膜的设计应尽可能大些，电阻的放置要尽可能合理。根据压敏电阻的分析过程，设计好压敏电阻尺寸。
压敏电阻应该放置在压阻系数最大的晶面上与应力最大的位置，此时可得到最大输出电压。所以，四个P型硅压敏电阻放置在（100）晶面的<110>晶向上，此时压阻系数最大。通过应力分布曲线，可以清晰找到应力最大值的位置，即大致在薄膜边缘中点处和两岛中间处。
3.3 参数改变后的仿真结果
现在通过控制变量法改变中间小梁的宽度，两岛间距固定为1000μm，观察应力最大位置的纵横应力差绝对值以及最大形变的变化。仿真结果如图(a)、图(b)所示。可以看出，随着小梁宽度的增加，中间应力差、边缘应力差均下降，而应力差越小，输出电压越小，灵敏度越低，所以在充分考虑到折弯电阻条的尺寸后，初步选择小梁宽度为100μm。
通过改变两岛间距这一变量，找到灵敏度与两岛间距的关系。小梁宽度固定为100μm，只改变两岛之间距离。仿真结果如图(c)所示，得到了不同两岛间距纵横应力差绝对值分布曲线。随着中间小梁宽度变化中间应力差、边缘应力差、最大形变的关系曲线如图(d)所示。可以看出两岛间距对纵横应力差影响不显著，且最大形变值相近，即灵敏度、线性度相近，但比较最大应力值，两岛间距为1000μm时最大应力为404.73MPa，所以，选择两岛间距为1000μm，小梁宽度为100μm时，灵敏度最高，线性度较好。
4.优化后的结构尺寸
该双岛-梁膜结构的尺寸为：E型硅杯为4000 4000 540μm，薄膜尺寸为3000 3000 40μm，大岛为300 300 150μm，小岛为150 150 30μm，中间小梁宽度为100μm，大梁为1300 1500 60μm，两岛间距为1000μm。
5.结语
本文提出了双岛-梁膜结构，理论得出了该结构的理想尺寸为：E型硅杯为4000 4000 540μm，薄膜尺寸为3000 3000 40μm，大岛为300 300 150μm，小岛为150 150 30μm，两岛间距为1000μm，中间小梁宽度为100μm，大梁为1300 1500 60μm。并进行有限元仿真，得到应力云图、应变云图、位移云图及选定路径上的应力分布曲线，证明了双岛-梁膜的灵敏度较高。然后分别改变两岛间距和中间小梁宽度得到纵横向应力差曲线对比进行尺寸的优化。
参考文献
[1]肖应超. MEMS传感器发展现状与应用[J]. 中国高新技术企业, 2016 (35):46-47.
[2]Tran A V, Zhang X, Zhu B. The development of a new piezoresistive pressure sensor for low pressures[J]. IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2017,65(8):6487-6496.
[3]王永洪,张明义,高强等. 微型硅压阻式压力传感器研制[J]. 微纳电子技术, 2017,36(11):106-108.
[4]李阳,曹民,胡秀娟. 高灵敏度MEMS压力传感器的设计与模型仿真[J]. 数据通信,2018(1):28-30
作者简介：胡媛元（1995.08—），女，黑龙江省佳木斯市人，哈尔滨市南岗区黑龙江大学，集成电路工程专业2018级，在读硕士，研究方向为集成电路工程。
杜西亮（1970.06—），男，黑龙江省哈尔滨市人，黑龙江大学微电子学与固体电子学专业在职教授，研究方向为传感器技术、集成电路等。
论文作者:胡媛元 杜西亮
论文发表刊物:《知识-力量》2019年3月中
论文发表时间:2019/1/2
标签：应力论文; 小梁论文; 间距论文; 灵敏度论文; 电阻论文; 压力传感器论文; 压敏电阻论文; 《知识-力量》2019年3月中论文;