靳星瑞[1]2002年在《多元金属硫族化合物的固体合成及结构表征》文中指出本课题为多元金属硫族化合物的固体合成及结构表征。采用的合成方法为反应性熔盐法，该方法可有效的降低固体反应的反应温度，提高反应效率。在1987年，Ibers等人采用反应性熔盐法(以碱金属硫族化合物作为熔盐，同时又作为反应物)，合成多元金属硫族化合物。此后，这种方法得到了迅速发展。反应性熔盐法的反应结果与多种因素有关，包括：反应物配比、反应温度、反应时间、升温速率、降温速率等。 采用反应性熔盐法合成的多元金属硫族化合物晶体常具有低维结构(一维链状，二维层状)，多处于热力学介稳状态。晶体结构中常含有Q—Q键或M—M键，热力学上常处于介稳态，因此这类化合物常具有特殊的物理、化学性质，在超导、非线性光学、高能量密度电池和催化材料等领域具有巨大的应用前景。 我们合成了几种较好的晶体，经EDS测定，有一个新的四元金属硒化物，其化学式为：K_2Hg_3Ge_2Se_8，另外有八个新的叁元金属硒化物K_2GeSe_3，KHg_3Se_6，KTiSe_(10)，KZrSe_5，K_2SbSe_3，K_4CuSe_6，K_6TiSe_(12)，K_3ZrSe_6。 K_2GeSe_3为黄色片状晶体，因为晶体较小，所以暂时无法进行单晶结构测定。K_2Hg_3Ge_2Se_8为暗红色块状晶体，我们在四圆衍射仪上进行了单晶结构测定。该晶体属正交晶系，空间群为：Aba_2(No.41)， 北京化』二大学祠皿士学位论文a=19.851(2)A，b一10.0040(7)A，e一5.6097(7)A，V=1709.5(3)A3，z=4，Rl/w咫一0.056220.1261。KZHg3oeZses是一个具有新结构的晶体，与esZHg3snZs:、esZHg3GeZss、RbZHg3snZS:和RbZHg3oeZSS结构进行了比较。
王志霞[2]2002年在《多元金属硒化合物的合成、结构和性能研究》文中研究说明多元金属硒化物以其丰富的结构化学和特殊的物理化学性能而成为固体化学研究的一个活跃领域。本课题采用反应性熔盐法合成十个新的多元金属硒化合物,其中七个叁元化合物KSnSe5,K7SnSe5,K4InSe3,K3InSe3,K2InSe2,AgBiS3,K4Sn3Se8,和叁个四元化合物KAgBiSe4,K4Cu4GeSe13,K2AgIn3Se6。采用单晶X-射线衍射法测定K2AgIn3Se6和K4Sn3Se8的晶体结构。K2AgIn3Se6 属于单斜晶系,空间群为C2/c ,晶胞参数:a = 11.6411(7) ?, b = 11.6348(8) ?, c = 21.4179(12) ?, V = 2874.0(9) ?3, Z = 8。K2AgIn3Se6 的晶体结构是由平行于(001)晶面的中性[K2AgIn3Se6]层沿c方向通过分子间力堆积而成的。K4Sn3Se8晶体属于正交晶系,空间群为Ccca ,晶胞参数:a = 8.2115(6) ?,b = 27.790(2) ?,c = 8.1865(6) ?,V = 1868.2(2) ?3 ,Z = 4。K4Sn3Se8为零维结构晶体,由[Sn3Se8]4-和K+堆积而成。[Sn3Se8]4-构成带负电的基团,[Sn3Se8]4-是由[SnSe4]四面体共棱连接形成的叁聚体。AgBiS3晶体经XRD物相鉴定,为一种新的物相。采用UV-VIS-NIR反射光谱对上述叁种晶体进行导电性研究,K2AgIn3Se6的能隙Eg =2.8eV, 为绝缘体;K4Sn3Se8的能隙Eg =2.4eV,<WP=4>为半导体;AgBiS3的能隙Eg =0.79eV, 为半导体。对反应性熔盐法的影响因素(反应物配比,反应温度,反应时间,升降温速率等)进行了进一步的讨论。
夏芸[3]2002年在《含有机配体的多元金属硒/碲化物的合成，结构及性能研究》文中提出本课题为含有机配体的多元金属硫族化合物的固体合成,结构表征及性能研究。多元金属硫族化合物容易结晶成低维结构,从而表现出特殊的物理性质和化学性质,具有广阔的应用前景,是固体化学一个十分活跃的研究领域。本论文对含有机配体的多元金属硫族化合物的研究成果进行了系统的总结。对这类化合物的合成方法,结构规律和性能应用进行了分析,研究和归纳。低温溶剂热法合成的多元金属硫族化合物常具有低维结构(即0-D,1-D,2-D),热力学上多处于介稳态。本论文采用低温溶剂热法,通过分子设计,合成化学式为AxMyLnM'y'Qz 的新型含有机配体的多元金属硫族化合物,其中M = 过渡金属; M' = 主族金属; Q = S, Se, Te; L = 多齿有机配体。通过大量合成,得到12个新晶体,其中对 (enH)2(enH2)Sn2Se6 和 [Mn(en)3]2·Sn2Se4Te2进行单晶结构的测定和光学能隙(Eg)的测定。(enH)2(enH2)Sn2Se6属于叁斜晶系,空间群为,晶胞常数a = 0.8659(2) nm, b = 1.1055(2) nm, c = 0.66360(10) nm, α = 104.44(3)°,β = 110.93(3)°,γ = 79.74(3)°,V = 0.57178(19) nm3, Z = 1;该晶体是由分立的(Sn2Se6)4- ,(enH2)2+ 和(enH)+ 离子堆积而成的。晶胞含一个(Sn2Se6)4-离子,一个(enH2)2+ 和二个(enH)+ 离子。[Mn(en)3]2·Sn2Se4Te2晶体属于叁斜晶系,空间群为P ī,晶胞常数a = 9.1428(7) ?, b = 10.2781(7) ?, c = 11.5745(8) ?, V = 943.82(12) ?3, Z = 1。该晶体是由分立的(Sn2Se4Te2)4- 和[Mn(en)3]2+离子靠静电力堆积而成。UV-VIS-NIR 漫反射光谱研究得到(enH)2(enH2)Sn2Se6的Eg = 1.76 eV, [Mn(en)3]2·Sn2Se4Te2的Eg = 2.2 eV, 二者都是半导体。经热重-差热分析,这些晶体具有较高的热稳定性。
李增和[4]2003年在《新型无机化合物[A_aM_bL_c（X_nQ_m）_d]晶体的合成、结构与性能研究》文中进行了进一步梳理很多无机金属氧化物和硫族化合物被广泛应用于光电子材料、分离和催化等过程,但由于这些材料由无机元素组成,其结构难以进行改造和修饰,以满足性能要求。而有机化合物则具有优良的分子剪裁与修饰的性能,将无机和有机化合物两者结合起来,构筑结构可塑、稳定的新型无机有机杂化材料具有诱人的应用前景。无机有机杂化材料的研究就是根据分子设计和分子工程学原理,将无机和有机组分进行复合、组装获得无机有机杂化化合物材料。目前,该领域的研究已经成为新材料科学的一个热点,并在多孔材料及其吸附催化、光电子材料、磁性材料等方面取得突出研究成果。本论文利用有机分子或基团和金属氧化物或卤化物组装成为新的无机有机杂化化合物,研究它们组装的规律、晶体结构、及其物理化学性能,探索结构与性能之间的规律。无机有机杂化化合物的制备一般采用固相合成和溶剂热合成的方法。固相合成法多用中低温法,由于中低温反应条件温和,而且能够合成具有独特结构和性能的介稳相。反应性熔盐法是一种新发展起来的中低温固相合成方法。反应性熔盐为碱金属聚硫族化合物,既是反应物,又是反应介质,为合成动力学控制的介稳相开辟了一条可行之路。溶剂热法由于方法简单,易于实现,且溶剂的环保性能一直受<WP=5>到青睐。采用这两种方法合成的晶体多为热力学介稳相,具有低维结构,是一个新型的多孔材料。本论文合成的六个新的无机有机杂化化合物,化学式为:[ Aa Mb Lc (XnQm)d ]式中A为碱金属离子,M为过渡金属离子,L为多齿有机配体, XnQm为无机酸根离子,Q=O,S,Se。当有机配体L没有进入晶体骨架中,c=0,为[ Aa Mb (XnQm)d ](Q= Se),称为四元金属硒化物;当碱金属A没有进入晶体(a=0),有机配体进入晶体骨架中,为[Mb Lc (XnQm)d ],Q为O,称为无机有机杂化化合物。采用反应性熔盐法合成四元金属硒化物K2Ag2Sn2Se6,并用X射线衍射法测定其单晶结构。该晶体属于四方晶系,空间群为P4/mcc,晶胞参数a = 0.8173(1) nm,b = 0.8173(1) nm,c = 2.0278(4) nm, V = 0.13545(4) nm3。晶体是由 [Ag2Sn2Se6]2-链和K+离子堆积而成的。采用醇热法合成无机有机杂化化合物[Fe2O(OH)(C5H4NCOO)SO4]。该晶体属于单斜晶系,空间群为P21,晶胞参数a = 0.73850(15) nm,b =0.65100(13) nm,c = 1.0546(2) nm,α= 90.00°,β= 90.36(3)°, γ = 90.00°。[Fe2O(OH)(C5H4NCOO)SO4]晶体具有叁维共价骨架,由无机阳离子层[Fe 2O(OH)SO4]+ 和有机阴离子(C5H4NCOO)-通过配位键桥联而成,实验表明,该晶体在240℃以下是稳定的。采用水热法合成了新的无机有机杂化化合物[Co(μ2-bpy)V2O6],[(C12H12N2)Co(V2O6] 和[(C4H4N2)Ni2(H2O)2(V4O12]。叁种晶体均属于叁斜晶<WP=6>系,空间群均为,[Co(μ2-bpy)V2O6]晶体的晶胞参数a = 0.81599(7) nm,b = 0.85826(7) nm,c = 1.02031(8) nm,α= 87.111(2)°,β= 75.305(2)°, γ = 74.784(2)°。[(C12H12N2)Co(V2O6] 晶体的晶胞参数a = 0.83190(17) nm,b = 0.84764(17) nm,c = 1.1183(2) nm,α= 95.48(3)°,β= 92.03(3)°, γ =107.24(3)°。[(C4H4N2)Ni2(H2O)2(V4O12]晶体的晶胞参数a = 0.73860(15) nm,b = 0.74600(15) nm,c =0.76600(15) nm,α= 66.04(3)°,β= 76.59(3)°, γ =86.74(3)°。能隙值分别为2.10ev,2.10ev,2.56ev,均为半导体。分别能够在420 ℃、210℃和350 ℃以下稳定存在。同时,对反应性熔盐法和溶剂热法的反应过程和影响因素进行了探讨。总结了中心金属离子和配体的配位特性,以及反应物配比、溶剂、温度等条件对反应结果的影响。在读期间针对本研究课题完成学术论文4篇,发表了叁篇。
冯秀玲[5]2003年在《多元金属硫族化合物的固体合成和表征》文中研究说明采用反应性熔盐法在中温条件下合成多元金属硫族化合物一般具有丰富的化学结构和特殊的性能,在超导,非线性光学,高能量密度电池和催化材料等领域具有巨大的应用前景。含碱金属的多元金属硫族化合物多处于热力学介稳状态,晶体结构中一般含有Q-Q键或M-M键,因此具有低维结构,而且这些化合物一般具有半导体性能。据文献报道,已经合成的KxMyM(y(Sez (M(=Zn,Cd,Hg)体系的化合物很少,例如:K2Hg3Sn2Se8,K2Hg3Ge2Se8,K6ZnSn5Se17等。本论文采用反应性熔盐法,以KxMyM(y(Sez (M(=Zn,Cd,Hg)为体系合成多元金属硒化物。采用电子探针显微仪对挑选的产物晶体进行元素定性定量分析,证明本实验共和成13种新型四元金属硒化物,10种新型叁元硫族化合物:K2CdIn2Se5、KHgSbSe3、KZnSbSe3、K4HgBiSe9、KHg4InSe6、K3CdSn3Se8、K2CdSnSe3、K2CdSnSe4、K2CdSn2Se5、K2CdSn3Se7、KPb3Sb3Se8、KCdInSe3、K2SnIn2Se6;K2Sn2Se4、K3Zr2Se9、KGeSe2、K9HgSe10、KGe2Se5、K3GeSe7、KNb2S7、K2NbSe9、K3In3Te、KBi9Se14。采用Rigaku R-AXIS PAPID衍射仪对新晶体K2CdSnSe4 ,K2Sn2Se4<WP=4>进行结构测定,证明这两种化合物均为一维链状结构,空间群分别为I-42m和I4cm。 采用扫描电子显微镜观察KHg4InSe6和KZnSbSe3晶体的外观形态表明这两种化合物分别为四方片状晶体和叁角片状晶体。X射线粉末衍射实验进一步证明这两种化合物为新型化合物。 采用UV-VIS-NIR吸收光谱测定K2CdSnSe4,K2Sn2Se4,KHg4InSe6和KZnSbSe3晶体的导电性能,证明这四种化合物均为半导体,而且在相当大的范围内对太阳光有强吸收,可以开发它们在太阳能利用方面的功能。 本实验同时探讨了合成方法,针对KxSnyCdy(Sez体系探讨了实验条件:配比,温度,熔盐的影响规律。 本实验采用反应性熔盐法合成的四元金属硒化物极大地丰富了KxMyM(y(Sez (M(=Zn,Cd,Hg)体系。所合成的KxSnyCdy(Sez 体系的系列化合物可以通过进一步测定结构和性能从而探索该体系结构和性能的关系。
黄毅[6]2003年在《含有机配体的多元金属硫族硒、碲化合物的合成、结构及性能研究》文中进行了进一步梳理本课题为含有机配体的多元金属硒、碲化合物的固体合成,结构表征及性能研究。本文对含有机配体的多元金属硫族化合物的研究成果进行了系统的总结。对这类化合物的合成方法,结构规律和性能研究进行了分析、研究、讨论和归纳。多元金属硫族化合物容易结晶成低维结构,从而表现除特殊的物理性质和化学性质,具有广阔的应用前景,是近年来固体化学一个十分活跃的研究领域。低温溶剂热法合成的多元金属硫族化合物常具有低维结构(即0-D,1-D,2-D),热力学上多处于介稳态。本文采用低温溶剂热法,通过分子设计,合成化学式为AxMyLnM'y'Qz的新型含有机配体的多元金属硫族化合物。其中,A为碱金属或碱土金属;M为过渡金属; M'为主族金属;Q为S, Se, Te;L为多齿配体(n≥0)。通过大量实验,合成出6个新晶体,其中对K2MnSnTe4、[Mn(en)3](Hen)SbSe4进行单晶结构的测定和光学能隙(Eg)的测定。晶体 [Mn(en)3](Hen)SbSe4属于叁斜晶系,空间群为P-1, 晶胞参数,a = 0.88895(18)nm, b = 0.96509(19)nm, c = 1.4530(3)nm, α = 104.64(3)°,β??= 92.23(3)°,γ= 110.62(3)°,V = 1.1175(4) nm 3, Z = 4,Dc = 3.281 Mg/m3,μ= 12.471 mm-1 , F(000) = 1019。偏差因子R1 = 0.1666, wR2 = 0.4125。它是由分立的(SbSe4)3-,[Mn(en)3]2+和(Hen)1+离子靠静电<WP=3>力堆积而成的,晶胞含4个不对称单位,即4个(SbSe4)3-离子, 4个[Mn(en)3]2+和4个(Hen)1+离子。经差热分析该晶体具有较高热稳定性。UV-VIS-NIR漫反射光谱研究得到[Mn(en)3](Hen)SbSe4的Eg=1.52eV,属于半导体,是值得研究的光-电转化新材料。晶体K2MnSnTe4仍存在缺陷。暂时还不能用单晶X射线衍射法测定其晶体结构。但可以肯定,K2MnSnTe4具有[MnSnTe4]n负离子和K正离子靠静电作用堆积而成的Zintl-型结构。其中[MnSnTe4]n负离子具有共价骨架,决定晶体结构的基本特征。推测该晶体与K2MnSnSe4具有相似晶体结构。UV-VIS-NIR漫反射光谱研究得到K2MnSnTe4的Eg=1.75eV,属于半导体,也是值得研究的光-电转化新材料。
杨建[7]2016年在《多巴胺掺杂的多元碳基催化剂设计与氧还原性能研究》文中研究说明燃料电池是一种应用前景广阔的新型绿色能源,具有能量转化效率高、环境污染少、设计规模易调变等优点。质子交换膜燃料电池是研究较多、开发较成熟的技术,可广泛应用于多个领域,但其使用昂贵的贵金属铂作为催化剂,导致成本大幅上升,限制了该技术的大规模推广。高效、寿命长、成本低的非贵金属氧还原电催化剂是目前非常重要且活跃的一个研究领域。近年来,如热解碳负载或无负载的过渡金属有机/无机化合物、导电高聚物担载的过渡金属催化剂,碳环上氮配位的过渡金属催化剂,杂原子掺杂的碳材料(碳纳米管、针、石墨烯)等碳基催化剂因具有优异的催化性能及高稳定性而备受关注。多巴胺可在碱性条件下氧化聚合沉积到几乎所有材料表面,分子可设计性强,可进行二次反应、与金属离子配位或无电沉积,并且通过高温热解可得到高导电性的碳基材料。本论文以环保无毒的多巴胺为前驱体,通过分子设计,构筑碳基多元复合材料,采用多种方法制备出具有不同结构、形貌和尺寸的负载/无负载的杂原子掺杂及非贵金属复合碳基材料作为高效稳定的氧还原催化剂。研究催化剂的化学组成、微观形貌与尺寸、表面原子的化学状态等与电催化性能之间的关系及影响规律,认知活性位点并揭示微观催化反应机理。1.研究聚多巴胺的反应动力学及其电化学行为,从电化学的角度,分析聚合物薄膜的组成与结构。在多壁碳纳米管表面沉积聚多巴胺纳米薄膜,并经二次反应,高温热解后得到多种杂原子掺杂的碳纳米管催化剂。通过控制反应条件可调控薄膜厚度和杂原子种类及数量,进而控制催化剂的表面化学组成及结合形式,实现催化剂的高氧还原催化活性。研究结果表明,碳-氮-金属的氧还原催化活性明显优于多壁碳纳米管的催化活性。N、S、F掺杂的碳纳米管催化剂的氧还原电位接近商业化的20%Pt/C,其氧还原反应为4电子选择性,30000 s内电化学稳定性优于Pt/C催化剂,此催化剂具有优异的氧还原催化性能。2.通过燃烧蜡烛得到的蜡烛灰(CS)是一种球形洋葱碳纳米颗粒,其中存在大量的sp2杂化的石墨型碳而使其具有较高的导电性。采用超声等体积浸渍法制备了一系列负载型过渡金属/蜡烛灰催化剂,对其进行了电化学氧还原性能测试,不同金属的催化活性为Fe>Co>Ni。考察了多种处理方法对洋葱碳载体的比表面积、孔结构、颗粒尺寸、导电性及表面官能团等表观性质的影响,其中采用二氧化碳处理可得到比表面积高达949.9 m2g-1的洋葱碳并具有最优的导电性。制备了不同处理方法载体负载的2 mol%Fe/CS催化剂,比较催化剂的电化学氧还原性能。以二氧化碳处理的蜡烛灰为载体,考察Fe负载量对催化剂氧还原性能的影响,结果表明随着Fe含量的增加,催化性能也逐渐提高,当负载量达到10mol%时,具有最佳的催化活性。BET、XPS、XRD、TEM、SEM等多种表征结果也说明,催化剂的催化活性是活性组分分布状态、载体本征性质、金属氧化物颗粒尺寸及活性位点的数量等多种因素共同影响的结果。在以上研究的基础上,在大比表面的洋葱碳表面通过一步进行多巴胺和金属配位聚合沉积,然后高温热解形成氮和金属共同掺杂的碳-氮-金属(C-N-M)结构,考察了聚合沉积条件、N掺杂量、金属种类、金属颗粒尺寸等对复合催化剂氧还原性能的影响。3.以改进的Hummers法制备了氧化石墨烯,采用多种手段对其进行了表征,结果显示所制备的氧化石墨烯在溶液中呈较少层结构分散且表面存在大量含氧基团。在氧化石墨烯表面沉积聚多巴胺进行插层修饰,在此基础上用过渡金属Mn进行掺杂,经高温热处理制备出C-N-Mn多元复合催化剂,并用还原氧化石墨烯进行掺杂对比制备。通过控制聚合条件和络合金属浓度,可控制催化剂表面原子比例、微观形貌,调控催化剂化学性质,进而改善其导电性及电催化氧还原性能。电化学结果表明此催化剂具有较高的氧还原催化活性和4电子选择性。
刘艳玲, 王平, 舒桂明, 吴念祖, 傅爱华[8]1999年在《多元金属硫族化合物的合成和结构表征》文中提出介绍新近发展起来的反应性熔盐法及其在多元金属硫族化合物中温固相合成中的应用，并讨论了这类化合物的结构特征、低维性和热力学介稳性．
王桂花[9]2004年在《[A_xM_yM'_y'～Q_z]型硒化物的合成、结构和光学性能研究》文中研究说明本论文的主要目的是采用固相合成反应合成新型的[AxMyM'y'Qz]型多元金属硒化物。经EDS表征，合成了十九个新的[AxMyM'y'Qz]型多元金属硒化物，其中包括十一个叁元金属硒化物和八个四元金属硒化物，初步推断它们的分子式为：KNbSe5，K3Sn3Se7，K2Zr2Se9，K2Ge4Se8，K3Ge2Se9， KTi10Se6，K7Ag2Se8，K9SnSe7，K3In2Se7，CuInSe2，Ag8GeSe， K2TiCu2Se4，KMnAgSe2，K12NbBi2Se3，K2TiAg2Se4，KAg2Bi3Se7， K2CuIn2Se6，K2BiSn4Se6，K5TiAg6Se24。测定了K2Ge4Se8和K2CuIn3Se6的晶体结构。K2Ge4Se8晶体属于单斜晶系,空间群为P21/c, 晶胞参数 a = 0.73752(5) nm, b = 1.2239(2) nm, c = 1.7468(4) nm,β = 96.02(3)°, V = 1.5680(5) nm3, Z = 4。K2Ge4Se8晶体具有层状结构，二维的 2∞[Ge4Se8]2-负离子层和K+正离子堆积而成，层与层按ABAB排列。K2CuIn3Se6 属于单斜晶系，空间群为C2/c ，晶胞参数：a = 1.1484(2) nm, b = 1.1458(2) nm, c = 2.1327(4) nm, V = 2.7802(1) nm3, Z = 8。<WP=4>K2CuIn3Se6 的晶体结构是由平行于(001)晶面的中性[K2CuIn3Se6]层沿c轴方向通过分子间力堆积而成的。通过测定K2Ge4Se8，K2CuIn3Se6的反射光谱，探讨了这两种晶体的光吸收特性，结果表明K2Ge4Se8的能隙 Eg = 1.8 eV, K2CuIn3Se6的能隙Eg = 1.6 eV。探讨了固相合成反应的规律。
郭颖[10]2017年在《Bi_2S_3热电材料的理论计算及性能研究》文中认为当今社会快速发展,带来了物质的极大丰富,也带来了能源过快消耗以及环境问题,能源危机是我国乃至全世界面临的巨大问题。然而,人们发现,在当今利用的能源中,并不是所有的能源都能被有效的利用,绝大多数的能源都是以废热的形式浪费掉的。如果我们能充分利用这些废热,能源危机问题就可以极大的得到缓解。而热电材料就是一种能将热能转换为电能的半导体材料。目前,在热电材料研究领域,因金属硫族化合物种类繁多,性能良好而被广泛所关注,在这些金属硫族化合物中,Bi_2S_3由于高的赛贝克系数和低的热导率而成为备受关注的一种热电材料,但由于电导率很低,影响着其热电性能。在金属硫族化合物制备方法中,目前大多为熔炼,而后进行热压或活化烧结,该方法的制备工艺复杂,成本高,不利于实现规模化生产。针对以上的问题,本论文做了如下研究:(1)首先通过理论计算能带角度证明Sn~(4+)掺杂使Bi_2S_3导电性提高,且随着掺杂量的升高而升高。(2)在制备方面,采用溶剂热法合成Sn~(4+)掺杂Bi_2S_3粉体,之后分别采用等离子体(PAS)和微波烧结进行致密化。PAS烧结后晶粒大小为0.50μm-1μm,当Sn~(4+)掺杂量为2.50%时,在673K得到最高ZT值为0.52(3)采用微波烧结制备的Sn~(4+)掺杂的Bi_2S_3热电材料性能有所提高,当Sn~(4+)掺杂量为1.50%时,在673K时得到的最大ZT值为0.67,比纯Bi_2S_3样品提高了约8倍。因此将溶剂热法合成的Sn~(4+)掺杂Bi_2S_3粉体采用微波烧结方式更有利于热电性能的提高。
参考文献：
[1]. 多元金属硫族化合物的固体合成及结构表征[D]. 靳星瑞. 北京化工大学. 2002
[2]. 多元金属硒化合物的合成、结构和性能研究[D]. 王志霞. 北京化工大学. 2002
[3]. 含有机配体的多元金属硒/碲化物的合成，结构及性能研究[D]. 夏芸. 北京化工大学. 2002
[4]. 新型无机化合物[A_aM_bL_c（X_nQ_m）_d]晶体的合成、结构与性能研究[D]. 李增和. 北京化工大学. 2003
[5]. 多元金属硫族化合物的固体合成和表征[D]. 冯秀玲. 北京化工大学. 2003
[6]. 含有机配体的多元金属硫族硒、碲化合物的合成、结构及性能研究[D]. 黄毅. 北京化工大学. 2003
[7]. 多巴胺掺杂的多元碳基催化剂设计与氧还原性能研究[D]. 杨建. 河南大学. 2016
[8]. 多元金属硫族化合物的合成和结构表征[J]. 刘艳玲, 王平, 舒桂明, 吴念祖, 傅爱华. 材料研究学报. 1999
[9]. [A_xM_yM'_y'～Q_z]型硒化物的合成、结构和光学性能研究[D]. 王桂花. 北京化工大学. 2004
[10]. Bi_2S_3热电材料的理论计算及性能研究[D]. 郭颖. 天津理工大学. 2017