李辉[1]2001年在《GaInP_2/GaAs/Ge级联太阳电池的MOCVD生长研究》文中研究说明随着航天技术的迅速发展，对空间用太阳电池提出了更高的要求，促进了以GaAs、InP材料为基础的多结级联电池的研究与开发。其中以对GaInP_2/GaAs/Ge级联太阳电池的研究最为引人瞩目。这种电池理论转换效率超过34％，实验室的转换效率已接近30％，是极具潜力的新一代空间用光电池，而国内在此领域才刚刚起步，尚未见系统的研究报道。 本文工作的重点是用自制的低压MOCVD装置生长GaInP_2/GaAs/Ge级联太阳电池材料和级联电池的制作。首先介绍了国际上对GaInP_2/GaAs（GaAs或Ge衬底）级联电池开发与应用情况，其次运用太阳电池的直流模型分析级联电池的伏安特性，随后讨论了GaInP_2/GaAs/Ge级联太阳电池的设计问题，然后研究了采用低压MOCVD技术生长GaInP_2/GaAs/Ge级联太阳电池材料的工艺过程，最后总结了级联电池的后工艺制作。从测试结果看，在运用MOCVD技术制作GaInP_2/GaAs/Ge级联太阳电池方面取得了相当进步。对这种新型空间电池在国内的进一步发展，有一定的参考价值。
李晓婷[2]2003年在《GaInP_2/GaAs/Ge双结级联太阳电池MOCVD生长和聚光器的制作研究》文中指出本文致力于用自制的低压MOCVD装置进行CaInP_2/GaAs/Ge空间用高效级联太阳能电池制作的工艺以及聚光太阳能电池组件的研究。首先，介绍了国内外太阳能电池的研究现状及应用情况；其次，运用太阳能电池基本原理讨论影响电池转换效率的因素，分析了级联电池的伏安特性；随后，讨论了CaInP_2/GaAs/Ge双结级联电池的结构设计理念，研究了采用低压MOCVD技术生长CaInP_2/GaAs/Ge级联太阳电池材料的工艺过程，解决了异质材料生长的结晶质量、界面应力、材料互扩散以及材料N、P型掺杂等一系列问题；然后总结了级联电池的后工艺制作；最后，研究了以PMMA为材料的菲涅耳线聚焦透镜的热压成型工艺及其模具的加工工艺，设计并安装完成新型聚光太阳能电池组件。 本文的研究工作和成果，对CaInP_2/GaAs/Ge级联电池在国内的进一步研究和发展提供了重要的参考价值。
参考文献：
[1]. GaInP_2/GaAs/Ge级联太阳电池的MOCVD生长研究[D]. 李辉. 中国科学院西安光学精密机械研究所. 2001
[2]. GaInP_2/GaAs/Ge双结级联太阳电池MOCVD生长和聚光器的制作研究[D]. 李晓婷. 中国科学院研究生院（西安光学精密机械研究所）. 2003