黄丽[1]2002年在《低维介观体系物理特性的格林函数方法研究》文中研究指明随着材料科学技术和超微细加工技术的发展，所制备的半导体微结构已可达到介观尺度。在低维介观体系中，能带人工可剪裁性、量子尺寸效应和电子液的量子相干属性产生了许多新现象和新效应，并因此而受到人们的广泛关注。作为展现低维介观体系量子效应的典型代表，量子点和介观Aharonov-Bohm(AB)环结构已成为近年来的研究热点。本论文利用格林函数理论对介观环量子点系统的谱性质和量子输运性质进行了较系统的研究。本文共分六章。第一章为绪论，简要的回顾了低维介观体系物理研究的一些重要实验和理论进展，并详细介绍了本文所采用的理论工具—格林函数理论。在第二章中，我们利用因果格林函数方法研究了嵌入在介观环一臂中处于库仑阻塞区的量子点的谱性质。介观环量子点结构由包含点内电子相互作用的类Anderson模型描述，而因果格林函数则用运动方程方法导出。研究结果表明，量子点的平均电子占据数呈现梯级特征，且在梯级上随磁场呈现周期振荡；量子点的局域态密度明显依赖于点内的电子占据数。在第叁章，采用非平衡格林函数方法，我们研究了双分裂栅式介观环量子点结构的电子输运。计算了电子隧穿量子点几率的传输幅度和相位。所得的电子隧穿量子点的相位变化与实验观测相符。同时考虑量子点的共振隧穿和干涉效应，我们还计算了整个装置的微分电导。数值结果显示，微分电导的振荡随着电压的变化存在连续的相移，且关于磁场在线性响应和非线性响应下都是不对称的。在第四章中，我们提出了叁种介观环量子点干涉装置的模型，并利用非平衡格林函数方法研究了其量子相干输运的相位特性。与已有研究装置模型不同的是，我们将量子点置于介观环的中央，<WP=22>并分别与介观环的左右两臂、上下两臂或上臂相连。研究结果表明，微分电导的AB振荡在这叁个模型中呈现不同的相行为。我们认为介观环量子点结构的相位特征是量子点的共振隧穿和AB环独特的干涉性质共同作用的结果。第五章为量子点中近藤效应(Kondo effect)问题的研究。利用格林函数方法研究嵌入在双分裂栅式介观环一臂中，有着近藤关联的量子点的量子输运性质。格林函数由运动方程方法在Lacroix近似下导出。在此基础上，可计算介观环量子点干涉装置中电子隧穿近藤关联的量子点的几率的传输幅和相位。第六章对本论文工作进行了总结，并对以后可深入研究的工作提出了一些设想。
邓宇翔[2]2005年在《多量子点体系的介观效应》文中研究说明随着半导体器件发展的微型化,凝聚态物理这一门新学科-介观物理形成并迅速发展起来,并成为凝聚态物理研究的一个热点。而介观器件的研究更是灸手可热,越来越受到世界各国的重视。低维介观体系中,能带人工可剪裁性、量子尺寸效应和电子液的量子相干属性产生了许多新现象和新效应,并因此受到人们的广泛关注。作为展现低维介观体系量子效应的典型代表,量子点系统成为最近几年来的研究热点。本论文利用格林函数理论对量子点系统的相干输运性质进行了较系统的研究。 本文共分六章。第一章为绪论,简要的回顾了低维介观体系中典型的介观结构及其制备和一些典型的介观现象。第二章主要介绍了本文所采用的理论工具-非平衡格林函数理论。 在第叁章中,我们利用格林函数方法研究了非对称的双量子点分子的谱性质和电子输运性质。双量子点分子结构由Anderson模型描述,而格林函数则由运动方程方法导出。研究结果表明:在反共振态,由于结构对称破缺,会产生残余电导;当量子点间耦合强度足够大时,耦合双量子点系统过度到“大量子点”。 在第四章,基于发展了的非平衡格林函数方法,我们精确推导了无库仑相互作用的一维多量子点阵列的隧穿电流的一般表达式。在此基础上,讨论了共振隧穿谱的线型和共振隧穿峰数目与量子点阵列参数(量子点能级、相邻量子点的耦合系数和量子点与左右两结的耦合系数)的依赖关系。 在第五章中,我们提出了量子点环的模型,并利用非平衡格林函数方法研究了其量子相干输运的相位特性。讨论了量子点环结构与一维量子点阵列隧穿谱的不同,研究了量子点环隧穿谱中共振峰随磁场发生振荡的现象。 第六章对本论文工作进行了总结,并对以后可深入研究的工作提出了一些设想。
叶成芝[3]2009年在《低维介观体系中的自旋电子输运》文中提出与自旋相关的量子输运研究是当前自旋电子学领域的一个热点课题。本文在简单地回顾了半导体量子阱、超晶格和量子点的概念之后,对量子输运中常用的几种研究方法作了简单的介绍,如Landauer-Buttiker公式、传输矩阵、散射矩阵和非平衡格林函数方法。然后,对电子在半导体双势垒结构、多势阱半导体超晶格结构、双AB干涉仪、双量子点形成的四端AB干涉仪中的自旋相关的输运特性作了研究。首先,利用有效质量近似、Floquet理论和传输矩阵方法,研究了外加振荡场和自旋轨道耦合影响下,电子通过对称半导体双势垒结构的输运特性。结果表明Dresselhaus自旋轨道耦合会消除自旋简并,导致传导率自旋劈裂。随着振荡场的振荡幅度的增大,多光子过程出现,共振峰的数量和两个相邻共振峰之间的距离可分别由外加振荡场的振幅和频率来控制。另外,在势阱较窄、振荡场的振荡幅度较小时,可以得到光子调制的高自旋极化透射的电子,利用此性质期望可以实现可调谐的自旋过滤器件。其次,利用传输矩阵方法,研究了势阱区域含有Dresselhaus自旋轨道耦合时,电子通过多势阱半导体超晶格结构的隧穿性质。与单势阱和双势阱相比,多势阱半导体超晶格结构增强了透射电子的自旋极化率。自旋轨道耦合会消除自旋简并,导致低入射能量区域内电子微带的完全自旋劈裂,从而在较大的能量窗口内使电子实现100%的极化透射,这可以作为实现自旋过滤的一个有效方案。另外,我们发现电子从势阱上方通过n个势阱形成的半导体超晶格结构时,一个微带中的共振峰劈裂规则为:n重劈裂或者n-1重劈裂,它依赖于势阱的宽度和势垒的厚度。这一规则与电子通过n个势垒形成的半导体超晶格结构时的共振峰劈裂规则是不同的。接下来,利用非平衡格林函数方法,研究了双AB干涉仪中RSOI引起的Andreev反射流的自旋极化性质。自旋极化率可以通过调节AB磁通φ,RSOI强度,和两个量子点之间的耦合强度t_c来控制。不管两个量子点之间有无耦合,我们都可以得到完全自旋极化的Andreev反射流,但是只有当两个量子点之间没有耦合时,完全自旋极化的Andreev反射流才是最大的。最后,研究了双量子点形成的四端AB干涉仪的输运性质,其中考虑了铁磁电极和RSOI对输运的影响。基于正常透射和交叉Andreev反射,右电极可以收集到自旋向上的电子和空穴,自旋向下的电子和空穴。通过调节铁磁电极的极化率,AB磁通,RSOI引起的相位φ_R等参数,此系统会使一种自旋成分的粒子不透射,同时使收集到的另一种自旋成分的电子和空穴的数量相等,从而得到没有电荷流的纯自旋流。因此,此模型可以用来作为一个自旋注入器。
于慧[4]2007年在《介观系统中的自旋极化输运》文中进行了进一步梳理本论文针对既具有重要应用价值，又具有基础理论研究意义的介观系统中的自旋极化输运现象做了较为系统和深入的理论研究。其目的一方面在于揭示介观系统中新效应的物理机制和规律，另一方面为设计和实现具有优良性能的量子器件提供物理模型和理论依据。在简要地回顾了低维介观体系物理研究中的一些重要实验和理论进展，并较详细地介绍了本文所采用的理论工具——非平衡格林函数方法之后，我们针对几个有趣的问题进行了研究。首先我们从理论上提出了一种新型的能够产生自旋极化电流的设计，该装置构建在由随时间振荡的自旋相关的隧穿所伴随的开放耦合双量子点上。我们计算出了流过该装置的自旋极化电流的精确表达式。数值分析的结果表明，流经该装置的电荷流和自旋流可以由门电压、驱动场的频率以及外磁场控制；此外，通过该装置的自旋极化电流能够产生非常有趣的反共振行为。通过对限制在孤立的耦合双量子点中电子的动力学行为的详细分析，我们对此反共振行为做出了定性地解释并指出了其在自旋电子器件方面的可能应用。然后我们研究了与局域声子模耦合的单分子和量子点的输运特性，重点关注声子效应对自旋流及其噪声谱的影响。自旋流由施加在量子点中的旋转磁场产生。结果表明电声子相互作用可以导致伴峰的出现，它们钉扎在能量等于声子频率整数倍的位置，峰的高度对电声子相互作用的强度非常敏感；此外，声子模对自旋流的零频噪声谱也有显着的影响。最后，基于TMR体系下的无限U Anderson模型，我们讨论了在强电子关联和电声子耦合的共同作用下与金属铁磁电极相连的单分子或量子点中的量子输运特性。通过延拓的运动方程方法我们首先计算了谱密度和非线性微分电导。我们发现电声子相互作用在铁磁—量子点—铁磁强关联系统的自旋极化输运中扮演非常重要的角色。在铁磁电极处于反平行磁化位形时，其输运特性与其它的理论分析结果相类似。而在平行位形，则呈现出了非常不同的输运行为。由于铁磁电极磁特性的影响，Kondo共振峰和声子伴峰在平行位形下均劈裂为不对称的两个低密度的小峰。相应地其微分电导出现了一系列对称的伴峰极大，当电声子耦合较强时，这些伴峰的幅度甚至可以和Kondo共振峰相比。增加电声子的耦合强度导致了非线性微分电导的整体减小。此外，我们发现隧穿磁阻TMR在电声子相互作用的影响下出现了额外的极大值和极小值，在极化强度和偏压较小时其TMR值随偏压在正负值间交替变化；而在非线性区域，由于声子效应，正的TMR值随着极化强度的增加而显着增大。这些奇特的行为导致了非常不同的TMR线形，同时也暗示了隧穿磁阻TMR是探索Kondo共振不同特征行为的一个更为有效的工具。
王培培[5]2012年在《低维介观系统的量子输运性质研究》文中指出介观系统是尺度介于宏观和微观之间的系统。狭义上的介观体系是指尺度很小,以至于系统中的电子运动呈现出了量子力学特性的体系；而广义上的介观体系则包括原子、分子团、纳米材料等。介观体系内可以观察到许多与经典输运完全不同的新奇的输运现象。本文卡要从理论上研究低维介观系统中的电子输运性质,基于郎道尔公式和紧束缚近似格林函数方法。全文内容如下：首先对介观系统的定义、研究介观系统所用的主要理论和方法、相关实验前景及一种典型的介观系统：单壁碳纳米管的基础知识作了简单介绍。然后介绍了介观系统的物理性质,包括一维金属环中的持续电流、普适电导涨落、AB效应与AAS效应等介观系统的基本特征。在此基础上研究了两种典型的低维介观系统的量子输运,其一是单壁碳纳米管,物理上可以认为是一维的量子线；另一个是介观尺度的小金环,物理上可以等效为由零维的量子点构成。利用数值模拟计算了在不同电极耦合系数下的单壁碳纳米管的量子电导。结果表明,在电极和中间单壁碳纳米管之间处于理想耦合情况下,系统出现电导的台阶化现象；在电极和碳管处于强耦合情况下,系统表现的像个Fabry-Perot电子谐振腔,可以表现出明显的量子电导快速振荡和背景缓慢振荡；而对于弱耦合效应,系统电导降低,且背景缓慢振荡趋于消失；而对于极弱耦合效应,系统出现离散的电导数值,其行为表现的像个量子点,这是电导振荡的极限。
陈元平[6]2004年在《准一维量子结构的电子输运性质：格林函数方法》文中进行了进一步梳理准一维量子结构（如量子线、波导管）的物理性质的研究是目前凝聚态物理十分活跃的前沿研究领域之一，不断揭示出一系列重要的物理内禀，同时也展现出广泛的应用前景。本文运用格点格林函数方法针对准一维结构的电子输运现象做了一些理论研究。其目的在于揭示这种结构中的新效应及其物理机制，并为设计和实现具有优良性能的量子器件提供物理模型和理论依据。 本文共分五章。第一章从整个介观体系出发介绍了介观体系的制备、一些典型介观结构及其量子现象。 在第二章中，我们介绍了格点格林函数方法，特别是递归格林函数方法。与其他的数值计算方法相比较，本方法能较方便的处理磁场和无序（如参杂）等问题。而递归格林函数方法则能用来有效的解决大尺寸和复杂体系的输运问题。 在第叁章中，我们利用递归格林函数方法研究了在量子线中嵌入锯齿形量子点和一段有限长锯齿形超晶格及在它们内部加上磁场或周期性的磁场的输运性质。结果显示，电子输运要受到量子点的形状的影响和制约。量子点内的弱磁场使干涉效应更加显着。当锯齿形的超晶格嵌入量子线中时，除了在准束缚态峰上有ｎ 重劈裂外，其他的都是 ｎ－１ 重劈裂。如果在这种超晶格中加入周期性的弱磁场，第二个共振峰上的共振劈裂变成了 ｎ 重。 在第四章中，我们发展了一种格点格林函数方法计算在 Ｔ－型量子线中加入势垒后的输运情况，讨论了在垂直电极和水平量子线中加入势垒后对输运的影响。结果表明，势垒使得单个Ｔ－型量子线的水平和弯曲电导谱上出现了一个谷－峰对。势垒宽度的变化使得谷－峰对变得越来越明显并且增加了电导谱的振荡。而对两个耦合 Ｔ－型量子线的研究说明，我们可以通过对势垒高度和宽度的调制来实现电导谱的裁剪从而得到各种的电导谱。 1<WP=4>陈元平 湘潭大学硕士毕业论文 第五章对本论文的工作进行了总结，并对以后的工作提出了一些设想。
周本良[7]2008年在《电子—声子相互作用量子点的输运性质》文中研究说明量子点、量子线(又称纳米线)等介观系统中的电子输运一直是人们关心的问题,它不仅是一个重要的基础物理问题,而且有着潜在的高技术应用背景,因量子点、量子线等介观体系是今后纳米量子电路的重要物理器件,作为展现低维介观体系量子效应的典型代表,量子点结构成为近年来的研究热点.本文在有效质量自由电子模型基础上,采用Keldysh非平衡格林函数方法,研究电子—声子相互作用下半导体异质结量子点的电子输运性质,得到了一些有意义的新结果。全文共分为五章。第一章简要介绍了量子点的研究历史与现状。量子点结构所独有的库仑阻塞、单电子隧穿等电子输运特性为设计和制造纳米量子器件开辟了新的发展方向,而有关电子—声子相互作用下量子点的研究则主要集中在理论工作阶段。第二章从能带理论角度描述了半导体异质结的形成以及量子阱、量子线、量子点的制备和用途等;同时介绍了这几种低维体系的介观物理现象。第叁章介绍了非平衡格林函数方法及其在介观输运中的应用,推导了广泛应用的运动方程以及电流公式。第四章的内容主要是我们自己的工作。系统地介绍了声子及电子—声子相互作用的相关知识。利用非平衡格林函数方法,研究了电子—声子相互作用下量子点的电子输运性质。与无声子作用时系统电导所呈现的单共振峰相比,声子的作用引起了系统电导呈现出有趣的旁带峰(“卫星峰”),这就是所谓的声子辅助隧穿。随着电子—声子耦合强度的增加,出现了更多的伴峰,而主峰的高度下降;随着温度的升高,伴峰将变得更为尖锐,主峰的高度仍然下降。文中对这些现象形成的物理机制进行了详细具体地分析。第五章我们对本文的工作进行总结和归纳,并对这一研究领域的发展前景作了简要的展望。
焦惠丛[8]2012年在《量子点接触中电导0.7结构的研究》文中进行了进一步梳理介观系统就其尺度而言基本上属于宏观范围，但又表现出明显的量子特性。电子在输运过程中仍能够保持波函数的相位相干，从而导致了一些新奇的物理现象。其中最为显着的是电导的量子化效应,即：在零磁场下的量子点接触(quantum point contact, QPC)中，电导以G_0=2e~2/h为单位的量子台阶变化。然而，1996年Thomas等在零磁场下发现，在电导的0.7G_0附近存在一个额外的小平台，由于这种反常现象不能用简单的单粒子模型给出解释，而引起了人们的高度关注。许多研究小组从理论和实验上试图揭示这种现象产生的真正原因，但是至今仍没有一个合理的物理解释，目前大部分研究者认为它的出现一般是与电子间的相互作用和自旋有关。本文利用格林函数的方法对量子化电导中有关0.7结构的成因进行了理论研究。利用Hartree-Fork近似的方法，简单处理了体系中的电子-电子间的相互作用，依靠引入外加的小磁场来产生一个起始的自旋极化。在对电导的计算过程中发现，随着电子-电子相互作用强度的增大，自旋相关电导的差异也加大，并且在电子间相互作用强度增大到一定值时，电导在0.7G_0附近会出现一个小的平台。在对电子数密度的计算中得到的结果是有明显的自旋积累出现。通过对零温极限下噪声因子的计算，发现在0.7G_0附近噪声被抑制，反映出了自旋相关的输运信息。由于这个电子间的互作用模型必须依赖于一个起始的自旋极化，才能对电导产生影响，但是我们采用较简单的方法计算了电子-电子间的相互作用对0.7结构的影响。期望能对探求半导体纳米器件中的强关联互作用对自旋输运的影响提供依据，揭示其中新的物理现象。
谢月娥[9]2006年在《量子线及量子点阵列中的电磁输运性质》文中研究表明介观体系具有很多有趣的量子现象和量子效应。这些现象和效应被广泛地用来开发具有新原理和新结构的量子器件。因此介观结构已经成为目前物理学中一个十分活跃的研究热点,特别是介观体系的电磁输运性质引起了人们的广泛关注。量子线和量子点是两类典型的介观结构。本论文主要利用格林函数方法研究了量子线和量子点阵列中的电磁输运性质。其目的是在于发现这些介观结构中新的量子效应并揭示其内在的物理机制和规律,为设计和实现新的量子器件提供物理模型和理论依据。本论文共分六章。第一章主要介绍典型的介观体系和介观体系中量子现象及其制备方法。在第二章中,我们介绍了格点格林函数方法,包括介观体系的格林函数表示及相关物理量(如透射系数,局域态密度等)的计算。在第叁章中,我们利用格林函数方法研究了非理想效应,如电子的能量分布、不对称的几何结构和温度,对量子场效应方向耦合器中电子输运性质的影响。结果表明,只有处在一定能量范围内的电子才能在耦合器中发生完全周期性的转换。这些电子的电导图谱随势垒(耦合区域)的长度和势垒的高度变化呈现出周期或准周期性。而对于那些不在这一能量范围内的电子,其电导图谱上将出现许多不规则的振荡,电子在两量子线间完全周期性的转换也被破坏。此外,温度和结构的不对称性使电子在双量子线间的转换效率降低。在第四章中,我们主要讨论了在磁场作用下耦合双量子线的电磁输运性质。我们发现通过有限势垒耦合的双量子线在磁调制下可以用作为电子能量过滤器和分流器。量子线水平方向的电导曲线呈周期性的方波变化,而电导微带的位置和宽度由势垒和磁场的大小决定。同时这种结构在磁场调制下是一种更好的方向耦合器,可以通过调节外部磁场和势垒的大小来实现从某一端口入射的电子以几乎为1的几率从任何其他的端口出射。在第五章中,我们研究了一种准一维量子点超晶格结构的电子输运性质。我们发现电导图谱上共振峰的劈裂并不一定满足一般电磁超晶格的劈裂规律。共振峰的劈裂数目依赖于量子点的个数,几何尺寸及量子点中势的大小。第六章是本论文的工作总结及对将要开展的工作的展望。
宋红岩[10]2009年在《纳米结构中的交流响应隧穿》文中进行了进一步梳理随着纳米微刻技术和材料生长技术的发展,制造各种介观结构已经成为可能,对介观系统的研究与日俱增。应用电场来控制和操纵介观结构中的输运问题,为交流响应的隧穿这个课题提供了一个广阔的研究领域。本论文主要研究了当交变电场作用在介观系统上,对电子输运的影响和调控。应用非平衡态Green函数方法,研究了几种介观系统的输运行为,对影响输运的条件(交变电场的频率、强度、温度等)作了定性分析,进行了较系统的理论研究,并得到了一些有意义的结果。主要做了以下几项工作:(1)研究了单个金属电极与量子点耦合系统的自旋流的交流响应问题,在具体处理问题时我们只考虑量子点中一个自旋简并能级,为简单起见忽略了量子点内的库仑斥力。在引线中引入一个交变驱动电压,量子点内引入一个泵浦旋转磁场,研究在外部交变频率的驱动下,是否会使系统的自旋流产生新的现象。基于非平衡态Green函数方法得到了时间平均自旋流和它的微分表达式。我们发现:由于量子点中的旋转磁场产生的自旋翻转机制,导致引线中的自旋向上和自旋向下的电子的化学势不同引起非平衡自旋分布。对于一个给定的旋转频率,自旋流将随着驱动频率的增加而快速的增长并且出现一些小的台阶。当驱动频率进一步增加,自旋流将会显着的增大且达到一个稳定值。光子辅助隧穿过程引起了一些有趣的特征。自旋流图像中出现的台阶与光子的吸收和发射过程紧密相关。在低温的情况下,这种量子相干特性比较显着。同时,详细讨论了门电压和温度对自旋流的影响。(2)研究了在ac场作用下,通过带有侧向耦合量子点的量子线中的光辅助隧穿问题。研究发现电-光子相互作用和量子相干在ac场频率变化下能够产生光子辅助次带反共振。因此,光子的相干吸收和发射可以在主反共振峰附近的次峰的相位测量中探测。讨论了零温和有限温下的电导和传输相位方面的信息。与无ac场的作用的情况相比较,由于传输电子受到ac场的作用,在能级ε=εd +nω处将产生一系列光子次带谷,相对于吸收( n > 0)和发射( n < 0)光子达到共振能级发生反共振,同时伴随着由于量子相干和光子辅助隧穿引起的相移的突变。Fano共振谷的高度受ac场的强度和频率的调制,谷的位置只与ac场的频率有关。有限温的情况下,Fano共振的振幅随着温度的升高减小,当温度高到某一特定的值时( K BT = 0.4接近隧穿耦合强度Γ= 0.49),在反共振峰能级附近第一个光子次带尖谷结构会演化为一个明显的共振峰结构,随着温度进一步升高这个峰的大小会增大。同时,随着温度的升高尖谷结构将很快的被抹平,意味着升高温度破坏了相位相干效应。而且,可以通过改变ac场的强度Δ和频率ω的大小,来调控电导的相移。(3)研究了铁磁-量子点-超导系统的自旋相关的Andreev反射隧穿问题,考虑了量子点内的自旋翻转散射相互作用,并且在量子点上加入了外部ac场。研究表明时间平均Andreev反射电导G A随外加ac场,量子点内的自旋翻转散射强度R ,两隧穿耦合强度间的比率以及铁磁引线的自旋极化度P的变化呈现了新颖的隧穿谱结构。在外加ac场的作用下,Andreev反射电导随量子点能级εd变化曲线在能量ε=εd±R + nω0处呈现了一系列光子次带峰,伴随着电子吸收( n > 0)或发射( n < 0)光子达到共振能级隧穿进入量子点的过程。研究结果发现Andreev反射电导行为是自旋翻转散射和量子点与左右引线间的隧穿耦合引起的两劈裂能级的展宽以及外加ac场引起的光子辅助隧穿间的竞争产生的。此外,Andreev反射电导G A-偏压V特性展现为:当Γf 0≥ΓS0时,Andreev反射电导谱为单峰共振,当Γf 0 <ΓS0时,Andreev反射电导谱总是形成共振双峰结构。
参考文献：
[1]. 低维介观体系物理特性的格林函数方法研究[D]. 黄丽. 湘潭大学. 2002
[2]. 多量子点体系的介观效应[D]. 邓宇翔. 湘潭大学. 2005
[3]. 低维介观体系中的自旋电子输运[D]. 叶成芝. 山西大学. 2009
[4]. 介观系统中的自旋极化输运[D]. 于慧. 山西大学. 2007
[5]. 低维介观系统的量子输运性质研究[D]. 王培培. 中原工学院. 2012
[6]. 准一维量子结构的电子输运性质：格林函数方法[D]. 陈元平. 湘潭大学. 2004
[7]. 电子—声子相互作用量子点的输运性质[D]. 周本良. 湖南师范大学. 2008
[8]. 量子点接触中电导0.7结构的研究[D]. 焦惠丛. 河北师范大学. 2012
[9]. 量子线及量子点阵列中的电磁输运性质[D]. 谢月娥. 湘潭大学. 2006
[10]. 纳米结构中的交流响应隧穿[D]. 宋红岩. 上海大学. 2009
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