集成电路布图设计保护法比较研究，本文主要内容关键词为：集成电路论文,保护法论文，此文献不代表本站观点，内容供学术参考，文章仅供参考阅读下载。
一、引言
知识产权制度是社会创造的，我们的责任是对它进行揭示和阐述。
本文主要选择以下四部法规和条约作为比较研究的对象，这是因为它具有相当的代表 性。美国《1984年半导体芯片保护法案》于1984年11月8日生效(以下简称《美国芯片法 》)，它开创了集成电路布图设计保护的先河，此后各国有关此客体保护的法律及国际 条约基本上是按此模式构造而成。世界知识产权组织(WIPO)于1989年5月8日至26日在美 国首都华盛顿举行了缔结关于集成电路知识产权保护条约外交会议，会议以45票赞成、 5票弃权、2票反对，①(注：俞忠钰：“集成电路法律保护制度”，中国科学技术蓝皮 书第七号《中国的知识产权保护制度》，1992年8月版。)通过了《关于集成电路的知识 产权条约》(以下简称《华盛顿条约》)。按该条约规定，只有5个以上国家批准，该条 约方可生效，②(注：WIPO，《关于集成电路的知识产权条约》第16条。)但到1999年止 ，向世界知识产权组织递交的正式批准书的只有1个国家，③(注：汤宗舜：《知识产权 的国际保护》，页142，人民法院出版社1999年版。)故该条约未能生效。尽管如此，该 条约的绝大多数实质性条款已被世界贸易组织(WTO)《与贸易有关的知识产权(包括假冒 商品贸易)协议》(以下简称Trips)直接引用，④(注：Trips第35条。)故《华盛顿条约 》仍有重要的意义。中国国务院2001年4月2日颁布了《集成电路布图设计保护条例》( 以下简称《中国集成电路条例》)，该条例于2001年10月1日起施行。虽然《中国集成电 路条例》的制定与中国加入世界贸易组织有关，但这仅是制定该条例的因素之一，而不 是该条例的目的，更不是其目的的全部。由美国国会1984年第98次会议通过，并由美国 总统里根签署的美国《1984年半导体芯片保护法》于1984年11月8日生效。美国之所以 要通过这样的法律，是因为半导体芯片工业在美国的产业中已占据一定的地位，1984年 美国半导体芯片的销售额为140亿美元，⑤(注：Statement of President Reagan on s igning the chip Act(Nov.9,1984).)预计年增长率为20—30%，⑥(注：Hearings on s .1201 before the Subcomm.on Patents,Copyrights and Trademarks of the Senate Comm.on the judiciary,98th cong.1st Sess.1(1983)(hereinafter referred to as “s.hearings”),opening statement of senator Mathias,Chairman,senate Subcomm .on Patents,Cotyrights and Trademarks.)现存的法律未能有效地制止芯片的复制， 这将极大地抑制在开发芯片上的投资。美国众议院在一份报告里曾经这样写到：“除非 法律发生改变能对半导体芯片的生产提供某种保护，否则美国半导体工业以往引以为自 豪的工业领导地位将要消失，进而，已经开始了的信息社会也将不复存在。”⑦(注：H .R.Rep..No.781,98th cong.2d sess.2-3(1984).)在美国，开发一个有1，200只晶体管 这样不太复杂的芯片，大概要花50万美元和2至3年的时间，而复制这样的芯片只需花3 万美元和3至6个月的时间。⑧(注：S.Hearings at 799 statemnet of Dr.Layton of I ntersil,inc.).)Intel公司推出8088时是每片60美元，而当它被复制后就下跌为每片30 美元；Zilog公司的Z-80芯片被复制后进入市场其价格下跌60%。⑨(注：copyright pro tection for semiconductor Chips,Hearings on H.R.1028 before the Subcomm.On C ourts,Civil liberties,and the Aministration of justice of the House Judiciar y comm.98th cong.1stSsess.66(1983)(hereinafter referred to as “H.Hearings” ),Statement of Dr.Christopher K.Layton,Intersil,Inc.)若新芯片的开发者未能收 回他在开发新芯片上的投资，今后就不会有人愿意去做这种开发工作。
由于《美国芯片法》采用了互惠原则，即只有对美国国民、居住民和其他民事主体提 供与美国相同保护的国家，其国民、居住民和其他民事主体才有可能获得《美国芯片法 》保护。这就促使其他国家，尤其是发达国家制定相应的法律，同时也促使国际条约的 建立。自《美国芯片法》生效之日起(1984年11月8日)至《华盛顿条约》开放签字之日 止(1989年5月26日)制定相关法律的国家有13个(包括欧共体在内)，其分别为美国、日 本、欧共体、瑞典、英国、德国、荷兰、法国、丹麦、西班牙、奥地利、卢森堡、意大 利。
《美国芯片法》生效后，世界知识产权组织就开始着手有关国际公约的制定工作。从1 985年到1988年，世界知识产权组织先后召开4次专家委员会会议和3次发展中国家专家 咨询会议，1988年还专门为制定有关集成电路布图设计保护国际公约外交会议召开了一 次预备会议。⑩(注：俞忠钰：“集成电路法律保护制度”，中国科学技术蓝皮书第七 号《中国的知识产权保护制度》，1992年8月版。)世界知识产权组织主持制定的《华盛 顿条约》虽然获得通过，但在保护期及非自愿许可等几点关键条款上未能得到某些发达 国家的认同，因此该公约很难实施。
1989年，当关于集成电路布图设计保护的争论正在进行的时候，另一场更加激烈的知 识产权谈判已经拉开序幕。1986年9月15日开始的关贸总协定第八轮谈判经过激烈的争 论已将知识产权保护问题列入谈判的议题，此轮谈判因为是在乌拉圭的埃斯特角城发起 ，故称“乌拉圭回合”。这样某些发达国家在《华盛顿条约》不能满足的利益，就有可 能从乌拉圭回合中获得，这完全应验了中国人熟悉的那句老话，“你打你的，我打我的 ”。或许我们可以从中悟出点道道，科学技术在一个国家实力中所占的份量。
1989年5月26日《华盛顿条约》开放签字之前，中国学界就有一部分学者对这一新客体 的知识产权保护制度进行研究，这些成果从那个时期的论文中可以反映出来。《华盛顿 条约》开放签字之后，中国就开始着手有关法律的起草工作，1991年3月国务院法制局 正式发文，将《半导体集成电路布图设计保护条例》列入1991—1992年度立法计划。“ 目前，中国的集成电路技术虽然还不发达，但从保护和鼓励智力创作及发展中国集成电 路工业的长远利益出发，很有必要制定一部既适应中国集成电路产业发展需要，又符合 国际知识产权保护原则的集成电路知识产权保护专门法规。”(11)(注：俞忠钰：“集 成电路法律保护制度”，中国科学技术蓝皮书第七号《中国的知识产权保护制度》，19 92年8月版。)机械电子工业部俞忠钰总工程师的上述观点大概可以反映中国集成电 路工业的现况及中国政府对集成电路布图设计知识产权保护的立场。中国经过了大约10 年的努力及十几次对该条例的讨论修改，集成电路布图设计保护的立法终于在2001年4 月2日划了句号。
二、集成电路布图设计保护客体
专利法的保护客体是发明创造，著作权法的保护客体是作品，而集成电路布图设计保 护法的保护客体则是布图设计。
集成电路芯片的设计一般分为两个步骤。第一步骤称为逻辑设计，它是根据该集成电 路芯片所要执行的功能，利用导线将一些基本逻辑元件(如与非门、或非门、反门、异 或门、三态门、全加器、半加器、触发器、寄存器、锁存器、存储单元等)连接在一起 ，最后列出所有逻辑元件的连接网表(简称为网表)。第二个步骤称为布图设计(也有人 称之为布局设计，版图设计、掩膜设计等)，它是根据第一步的逻辑设计所提供的网表 ，根据所选择电路，根据具体的工艺条件，对芯片里所有的逻辑元件及其之间的连线进 行几何配置和布局。在设计中，元件的位置和尺寸应满足电路的设计要求和设计规则( 主要指极限尺寸)。互连层次应满足工艺规范，而整个芯片应以尽可能小的面积实现原 设计的性能要求。布图设计的“产品”是一套类似于照像底片那样的掩膜。不过，它要 比照像底片精细得多，目前工艺可以做到0.4微米或更细。我们所讨论的法律要保护的 就是体现于这组掩膜上的布图设计。
生产集成电路芯片实际上就是将这组掩膜嵌入(三维复制)到硅片或其他半导体材料中 ，目前集成电路芯片的制造主要是用硅(半导体)作材料，它是在硅单晶片上按光掩膜上 的图形利用生长和沉积等技术一层一层地做。因此，一个芯片上的光掩膜是一组而不是 一张，这样一组光掩膜就呈现一个三维的图形。版图设计师所要做的就是根据半导体芯 片制作原理将各个电路在空间的位置作出合理的安排，即把二维的电路图变成一个三维 的图形，这个三维的图形是用分层来表示的。将二维电路图转换成这样一组光掩膜是个 很耗费时间的过程，也是开发芯片的主要投资。相对而言，从芯片上将这组光掩膜复制 出来就显得容易得多，所需的主要设备就是一个精密的高放大倍数的照相机，例如可放 大400倍的照相机。(12)(注：S.Hearings at 79(Statement of Dr.Layton,Intersil,I nc).)复制者拿来一块半导体芯片，想法将塑料或陶瓷的外壳打开，用照相机把顶上的 金属联接层照下来之后，用酸把这层金属溶解掉，这样就可以照下面那层的半导体材料 的图形，照完了后改变一下照相机上的焦距再照更下一层。如此一步一步做下去就可以 得到一个与原光掩膜完全相同的复制品，用这样的复制品作适当的技术修整就可以去生 产同样的芯片。
集成电路布图设计的保护客体有不同的称谓，但其本质并无太大差别，美国称为掩膜 作品(mask work)，中国、瑞典、俄罗斯、韩国称为布图设计(layout-design)，日本称 为电路布图(circuit layout)，欧共体、英国、德国、荷兰、法国、丹麦、西班牙、奥 地利、卢森堡、意大利、葡萄牙、比利时、匈牙利称为拓朴图(topographies)，《华盛 顿条约》、Trips及我国香港则干脆将布图设计与拓朴图视为同义词，统称为布图设计( 拓朴图)，英文为layout-design(topographies)。《美国芯片法》编入美国17U.S.Code 的第九章(17U.S.Code的前八章是版权法)，其注册等有关手续也由版权局管理，但它是 自成一类的，并不属于版权法。《美国芯片法》为什么采取类似于版权法的保护方式， 而不采取类似于专利法的保护方式?美国当年的专利商标局长Gerald Mossinghoff在众 议院听证会上是这样说的：“专利保护适用于制造芯片本身，如果这些方法、线路或产 品本身符合专利性要求的话。电子专利本来是可以用于保护电子线路的制造、使用与销 售，但因为芯片上的这些电子线路一般是公知的，因此也就不具有专利性。制造芯片方 法的专利或作为产品的芯片本身的专利一般来说并不保护(掩膜)设计。”(13)(注：H.H earings(Statement of Commisoner Mossinghoff).)既然《美国芯片法》采用类似版权 的保护方式并续接到美国版权法，故将其保护客体称为“掩膜作品”(类似版权保护客 体的“作品”)而不是简单地称为“掩膜”也就顺理成章。按照《美国芯片法》的定义 ，“掩膜作品”是一套已固着或已编码的相关图象，它们
(A)具有或表示半导体芯片产品各层预定出现或不出现金属、绝缘或半导体材料形成的 三维空间图形；并且
(B)此套图象之间的关系是每个图象在半导体芯片中都有一种形式的平面图形。(14)( 注：United States Code Title 17-Protection of Semiconductor Ohip Products 90 1(a)(2).)
《华盛顿条约》与《中国集成电路条例》关于布图设计定义除个别词序外几乎一样， 现将《华盛顿条约》第二条(2)款摘录如下：“布图设计(拓朴图)”是指集成电路中多 个元件，其中至少有一个是有源元件，和其部分或全部集成电路互连的三维配置，或者 是指为集成电路的制造而准备的这样的三维配置。
定义中的“多个元件”意将分立元件(如单个晶体管)的布图设计排除在外，而“至少 有一个是有源元件”则将仅由无源元件(如二极管矩阵，电客矩阵)的布图设计排除在外 。
概括起来，集成电路布图设计保护客体既是指集成电路中元件和互连线路的三维配置 ，又是指为制造集成电路而准备的上述三维配置，如果把后者比作相片的“底片”的话 ，则前者就是“相片”。按照立法宗旨，对布图设计的保护决不延及任何思想、原理、 发现、处理过程、操作方法或数学概念等，而不管它们以何种形式在布图设计中进行描 述、解释、阐明或嵌入，这一界定在大多数国家的法律条款中都是明示的。
三、集成电路布图设计保护要件
所谓的保护要件是指为获得法律保护所必须满足的实质性条件，例如，专利的保护要 件是新颖性、创造性(或非显而易见性)和实用性，著作权的保护要件是原创性(origina lity).虽然集成电路布图设计的保护要件也引用原创性原则，但其内容与著作权的原创 性却有所不同。对著作权而言，作品只要能确定系作者自己的创作而非抄袭、复制，则 该作品就具备原创性的条件。但对于集成电路布图设计而言，由于它必须遵守工程设计 原理、方法、规范，甚至采用设计常规。上述这些知识已进入公有领域，属人类共有， 不得为“私权”，这是知识产权有别于其他财产权一大特征。对于智力成果，只能对自 己创造、创作或其他智力活动而产生的信息主张有限度的权利。“贪天之功，据为已有 ”违反了人类的理性。所以在布图设计法律保护制度中，原创性是指该布图设计系创作 者自己的智力劳动成果，并且在布图设计创作者和集成电路制造者中，该布图设计不是 常规的设计。上述这句话概括起来就是，布图设计的原创性等于“自己创作”加“非常 规设计”。
目前，集成电路布图设计绝大多数都以CAD(计算机辅助设计的英文缩写)软件为工具， 并且把基本逻辑元件的版图设计收集起来作为“单元库”(数据库的一种)提供利用，其 原理就如同搭积木。因此，这种集成电路就其每个基本逻辑元件来说，都可以认为是属 于常规的标准设计。对于这种由若干常规元件互连组合而成的集成电路，对其布图设计 只有在其组合作为一个整体上看符合“自己创作”加“非常规设计”时，才具备原创性 条件。
上述有关布图设计原创性条件几乎毫无例外地被各国有关保护布图设计法律及国际公 约所接受，现摘录部分有关条款如下：
《中国集成电路条例》第四条：
受保护的布图设计应当具有独创性，即该布图设计是创作者自己的智力劳动成果，并 且在其创作时该布图设计在布图设计创作者和集成电路制造者中不是公认的常规设计。
受保护的由常规设计组成的布图设计，其组合作为整体应当符合前款规定的条件
《华盛顿条约》第三条(二)款：
原创性要求：
(A)……适用于具有原创性的布图设计(拓朴图)，即该布图设计(拓朴图)是其创作者自 己的智力劳动成果，并且在其创作时在布图设计(拓朴图)创作者和集成电路制造者中不 是常规的设计。
(B)常规的多个元件和互连组合而成的布图设计(拓朴图)，只有在其组合作为一个整体 符合(A)项所述的条件时，才应受到保护。
《美国芯片法》第902条(b)款：
本章对掩膜作品的保护不适用于下列掩膜作品：
(1)不具备原创性；或者
(2)设计已广泛采用的，平凡的或为半导体工业界所熟悉的，或者设计虽有变化，但其 组合从整体上看并不具备原创性。
《中国集成电路条例》使用“独创性”而不使用“原创性”从字面上至少有以下两个 特点：第一，有别于版权中的“原创性”，第二，将布图设计中常规设计中常规设计排 除在外更为明显。遗憾地是英文中很难找到相应的词以示这种差别，故统称为original ity，对本文而言，“原创性”与“独创性”为同义。
前面分析了集成电路布图设计与著作权的保护要件的相同点和不同点，下面再将它与 专利的保护要件进行比较。专利的保护要件是新颖性、非显而易见性(或创造性)和实用 性。其中非显而易见性是指申请专利的发明创造与现有技术相比较，对于该领域的普通 技术人员来说是非显而易见的。判断非显而易见性有两个参照物，技术的参照物是现有 技术、人员的参照物是本行业普通技术人员。与判断新颖性不一样，判断非显而易见性 可以采取“多对一”的比较方法，即将多个信息源(如多个已有的专利技术)综合起来与 该技术方案进行比较，比较的结果只有按“本行业普遍技术人员”的标准来看是非显而 易见的，则才满足“非显性”的要求。这也就是平常所说的，技术方案要获得专利必须 具有一定的发明跨度。显然，“非显而易见”要比“非常规设计”的标准高。换句话说 ，能达到“非常规设计”的，未必就能达到“非显而易见”。
现将集成电路布图设计与专利、版权保护要件列表比较如下：
版权集成电路布图设计 专利
要 ①自己创作；且
①新款性；
自己创作(原创性)
②非常规设计 ②创造性(非显而见性)；且
件 ③实用性
由此可见，集成电路布图设计的独创性要求高于版权中的原创性要求，但低于专利中 的非显而易见性要求。
四、集成电路布图设计专有权
集成电路布图设计是一种工程设计，其专有权有以下两个特征：第一，集成电路的布 图设计需要昂贵的设备和大量的资金，因此绝大多数设计属职务创作或雇佣创作，其布 图设计专有权直接归设计人所供职的法人或雇主所有。这一点反映出现代知识产权制度 的新变化，例如美国专利法规定，申请专利只能是发明人(自然人)，而不是其雇主或供 职的法人，然而，《美国芯片法》却规定：“……对于受雇工作范围内所创作的掩膜作 品，则所有权人是指雇佣该掩膜作品创作人的雇主……”。(15)(注：United States C ode Titli 17-Protection of Semiconductor Chip Products 901(a)(6).)第二，因为 集成电路布图设计是一种工程设计，故其精神权利远不如经济权利那么重要，有关专有 权的条款只有经济权利的规定，而无精神权利的规定。概括起来，布图设计专有权主要 有4项(全部是经济权利)：
1.复制权
复制是侵犯布图设计专有权的“源头”，没有未经许可的复制，也就不可能有其他侵 权行为的发生。因此，各国法律及国际公约均将未经布图设计权利人许可，复制受保护 的布图设计的全部或者其中任何具有独创性的部分规定为侵权行为。因为制造嵌入该布 图设计的集成电路芯片属于复制行为，所以集成电路布图设计保护法一般只规定复制权 ，而不再规定制造权。也就是说，复制既包括掩膜复制，也保护芯片复制，即制造含有 该掩膜作品的芯片。不过，复制无独创性的部分不是侵权行为。此外，反向工程中的复 制属侵权例外，这一点将在专有权限制部分讨论。
2.进口权、销售权、提供权
《中国集成电路条例》第三十条(二)款规定：
……有下列行为之一的，行为人必须立即停止侵权行为，并承担赔偿责任：……(二) 为商业目的进口、销售或者其他方式提供受保护的布图设计、含有布图设计的集成电路 或者含有该集成电路的物品的。
上述条款包括三个层面：进口、销售或以其他方式提供该布图设计；进口销售或以其 他方式提供含有该布图设计的集成电路芯片；进口销售或以其他方式提供含有该集成电 路芯片的物品。
《美国芯片法》原本并无规定第三层面的专有权，《华盛顿条约》也无要求第三层面 专有权的强制性规定，只是在Trips谈判时，美、日等国代表强烈要求，才将专有权延 伸到第三层面。现将有关条款，摘录如下，以示对照。
《美国芯片法》第905条(2)款：
本章所保护的掩膜作品的所有权人有以下专属权或授予权：……(2)进口或行销嵌入其 掩膜作品的半导体芯片产品；
《华盛顿条约》第六条(一)款：
(A)任何缔约方应认为未经权利持有人许可而进行的下列行为是非法的：……(2)为商 业目的进口、销售或者以其他方式供销受保护的布图设计(拓朴图)或者其中含有受保护 的布图设计(拓朴图)的集成电路。
(B)对于未经权利持有人许可而进行的除第(A)所述以外的其他行为，任何缔约方亦有 确定其为非法的自由。
Trips第36条：
……缔约方应将未经权利及所有者同意而进行的下述行为认作是非法行为，即为了商 业目的而进口、出售、或推销受到保护的布图设计，一种采用了受到保护的布图设计的 集成电路，或者一种采用上述集成电路的产品，只要它仍然包括一个非法复制的布图设 计。
Trips协议所界定的知识产权有7项，其中只有工艺品外观设计、专利和集成电路布图 设计设置了进口权，而版权、商标等均无进口权的规定。进口权直接与知识产权“权利 穷竭”理论相关联。按“权利穷竭”理论，由专利人生产或授权生产的产品(俗称“真 品”)投放市场后，权利人对该产品的控制权即告“穷竭”，该产品的合法持有人对该 产品有自由处分的权利，包括自由销售的权利。因此就产生了权利穷竭是在国际范围内 ，还是在一个经济区域内，例如在一个国家内。前者称为“国际穷竭”，后者称为“区 域穷竭”或“国内穷竭”。大多数知识产权(专利、商标、工业品外观设计、集成电路 等)均必须注册或申请授权后才能产生，在那些没注册或没授权的国家或地区，该项知 识产权就不存在，因此第三者生产该产品就谈不上侵权。只有当该产品输出到对其享有 知识产权国家或地区口岸时，其进口才是侵权行为。这就是说，权利人可以对不是其生 产又未经其授权生产的产品主张进口权。但是，权利人是否可以对自己生产或授权他人 生产的产品主张进口权，这就涉及到真品的平行进口问题。笔者倾向于“国际穷竭”理 论，因为“区域穷竭”与当代经济潮流“经济全球化、贸易自由化”相左。按照这样的 思路，真品平行进口应“原则放行，例外禁止”，只有满足以下条件的真品才禁止平行 进口：(1)权利人在进口国享有“进口权”；(2)真品来源地属于权利人特殊销售政策， 该销售政策有正当的理由以低于国际市场的价格投放市场，或者进口人的进口行为属于 不正当竞争；(3)真品在货物的适当位置明确标示允许流通的区域，而进口国不在该区 域之内。
五、集成电路布图设计专有权限制
1.反向工程
美国期望集成电路布图设计中的反向工程能有利于设计出功能相同而性能更优、尺寸 更小、制造成本更低的半导体芯片，(16)(注：S.Hearings at 75(Statement of F.Tho mas Dunlat,Jr.,Corporate Counsel and Secretary,Intel Corp.).)故其1984年制定 的半导体芯片保护法明确地将反向工程规定为不侵犯其专有权的行为，作为对集成电路 布图设计专有权限制之一。英特尔公司的法律顾问Jr.Thomas Dunlap当年在国会作证时 说，开发一种新芯片要花三至三年半的时间，用反向工程重新设计要花一至一年半的时 间，而直接复制只需花三至五个月的时间；(17)(注：H.Hearings at 33(Testimory of F.Tnomas Dunlap,Jr.,Corporate counsel and Secretary,Intel Corp.).)一个花四 百万美元开发出来的芯片用反向工程重新设计要花一百万美元。(18)(注：S.Hearings at 66(Testimony of F.Thomas Dunlap,Jr.,Corporate Counsel and Secretary,Intel Corp.).)从技术层面上看，直接复制与反向工程技术效果不一样，直接复制制造集成 电路在技术上没有创新而反向工程制造集成电路则往往在技术上会有创新。1989年，世 界知识产权组织主持制定的《关于集成电路的知识产权条约》也吸取了同样的规定，此 规定在Trips协议中得确认(Trips第35条)。我国也采取同样的立场，《中国集成电路条 例》第二十三条规定：
下列行为可以不经布图设计权利人许可，不向其支付报酬：
(一)为个人目的或者单纯为评价、分析、研究、教学等目的而复制受保护的布图设计 的；
(二)依据前项评价、分析受保护的布图设计的基础上，创作出具有独创性的布图设计 的；
(三)对自己独立创作的与他人相同的布图设计进行复制或者将其投入商业利用的。
2.权利用尽
权利用尽在知识产权制度中经常用以对知识产权专有权的一种限制，美国将此种限制 称为“首次销售”(first sale)，其意是含有知识产权产品首次投入市场后，权利人对 该产品的部分权利即告穷竭。“权利用尽”限制在《美国芯片法》、《华盛顿条约》、 Trips及许多国家的法律中同样得到实现。我国《集成电路条例》第二十四条规定：受 保护的布图设计、含有该布图设计的集成电路或者含有该集成电路的物品，由布图设计 的权利人或者经其许可投放市场后，他人再次商业利用的，可以不经布图设计权利人许 可，并不向其支付报酬。在理解“权利用尽”时，以下两点必须注意：
(1)权利用尽的只是其部分权利，而不是全部权利，其原则是排除知识产权权利人对该 产品或物品再次利用的控制权，而不是剥夺权利人其他的专有权。对集成电路布图设计 而言，权利用尽不包括复制权。因此，未经布图设计所有权人许可不得制造或者协助制 造含有该布图设计的集成电路芯片。
(2)集成电路布图设计权利用尽不适用于未经权利人许可而制造的集成电路芯片。
3.无知侵权
无知侵权是指当事人在获得某集成电路芯片时不知道或没有合理的依据推定其知道该 集成电路包含有非法复制的布图设计，因购买且投入商业性利用而可能造成对布图设计 专有权人利益的侵害。因布图设计是嵌入在集成电路芯片里，肉眼是无法观察到的，经 营者仅依靠正常渠道可得知的表面现象往往很难判断是否含有侵权的布图设计。因此， 为了公平的分担责任和解决纠纷，美国《1984年半导体芯片保护法》对此作了明确的规 定，后来，世界知识产权组织主持制定的《关于集成电路的知识产权条约》及许多国家 的法律都采取同样的立场。
《中国布图设计条例》第三十三条规定：
在获得含有受保护的布图设计的集成电路或者含有该集成电路的物品时，不知道也没 有合理理由应当知道其中含有非法复制的布图设计，而将其投入商业利用的，不视为侵 权。
前款行为人得到其中含有非法复制的布图设计的明确通知后，可以继续将现有的存货 或者此前的订货投入商业利用，但应当向布图设计权利人支付合理的报酬。
4.非自愿许可
1989年5月8日至26日，世界知识产权组织在主持制定《关于集成电路的知识产权条约 》时，非自愿许可是发达国家与发展中国家争论的一个焦点之一，发展中国家经过不懈 努力争取到稍微宽松一点的非自愿许可的条件，这个条件是“第三者按商业惯例经过努 力而未经取得权利持有人许可”，而国家主管机关根据第三者的申请“认为授予非自愿 许可对于维护其视为重大的国家利益是必要的”(19)(注：WIPO，《关于集成电路知识 产权条约》第6条(3)款。)但是，在制定Trips时，由于发达国家代表的强烈主张，非自 愿许可条件做了更为严格的限制，其条件与专利非自愿许可的条件相同。(20)(注：Tri ps第37条2款。)根据Trips协议，我国也将非自愿许可的条件限制在下列三种情况：国 家出现紧急状态，为了公共利益目的和权利人不正当竞争。《中国布图设计条例》第二 十五条规定：在国家出现紧急状态或者非常情况时，或者为了公共利益的目的，或者经 人民法院、不正当竞争行为监督检查部门依法认定布图设计权利人有不正当竞争行为而 需要给予补救时，国务院知识产权行政部门可以给予使用其布图设计的非自愿许可。
六、保护期限和布图设计登记
保护期限也是发达国家与发展中国家争论的焦点之一，《美国芯片法》规定保护期为1 0年。(21)(注：United States Code Title 17-Protection of Semiconductor Chip P roducts 904.)在讨论《关于集成电路的知识产权条约》时，经发展中国家的共同努力 ，争取到了保护期至少为8年的规定，(22)(注：《关于集成电路的知识产权条约》第8 条。)但到了Trips谈判时，发达国家的主张又使保护期延长到了10年。(23)(注：Trips 第38条。)我国根据Trips的要求将保护期规定为10年。《中国布图设计条例》第十二条 规定：布图设计专有权保护期为10年，自布图设计登记之日或者在世界任何地方首次投 入商业利用之日起计算，以较前日期为准。但是，无论是否登记或者投入商业利用，布 图设计自创作完成之日起15年后，不再受本条例保护。
知识产权权利的产生大致可以分为3种制式：(1)自动保护制，我国和世界上绝大多数 国家的版权制度采用这种制式，其权利的产生基于作品创作完成这一法律事实；(2)实 审授权制，我国的发明专利和世界上绝大多数国家的专利制度采用这种制式，其权利的 产生基于主管当局对当事人申请保护的内容进行实质性审查，符合法律规定的才授予专 利权；(3)登记制，其权利的产生基于当事人的登记申请和主管当局对申请文件和材料 作形式审查，形式上符合法律规定的则准予登记并产生权利。我国的实用新型和外观设 计专利“初步审查制”与登记制类似，它除对申请文件形式审查外，对申请的内容也做 了明显性审查，如申请主题是否明显在法定范围之外，申请内容是否明显违反公序良俗 等。登记制有利于管理，有利于证据的获取，有利于公示和减少纠纷，而且申请手续简 单方便，比较符合集成电路技术的发展速度。中国、美国和大多数国家对集成电路布图 设计保护均采用登记制，《华盛顿条约》和Trips协议对此没有强制性规定。
标签：集成电路论文; 集成电路布图设计论文; 中国芯片论文; 知识产权法院论文; 知识产权管理论文; 专利管理论文; 法律论文; 半导体论文;