王月宣[1]2003年在《钒（Ⅴ）、铝（Ⅲ）络合物的吸附伏安法研究》文中认为本文在查阅大量文献的基础上，以茜素S(ARS)作络合剂，研究了钒(Ⅴ)的两种高灵敏度的吸附(催化)伏安法，同时还研究了铝(Ⅲ)与茜素S络合物在碳糊电极上的吸附伏安行为。全文共分两章：第一章介绍了两种测定钒的吸附伏安法。第一部分：详细地研究了钒(Ⅴ)-茜素S-NaClO_3体系的吸附催化伏安行为。在pH5.3的六次甲基四胺-HCl缓冲溶液中，V(Ⅴ)-ARS-NaClO_3体系产生一灵敏的吸附平行催化波，峰电位在-0.68V(vs．Ag／AgCl)。峰电流与V(Ⅴ)浓度在2.0×10~(10)～1.0×10~(-6) mol．L~(-1)范围内呈良好的线性关系，检出限为1.0×10~(-10) mol．L~(-1)(富集60s)。初步探讨了电极反应机理，用等摩尔连续变化法测得V(Ⅴ)：ARS为1：2。方法应用于水样中钒的测定，结果满意。第二部分：提出了在碳糊电极上测定钒的吸附伏安法。试验发现，在pH5.1的NH_4OAc-HOAc缓冲溶液中，V(Ⅴ)-ARS络合物在-0.52V(vs．SCE)产生一灵敏的吸附还原峰，峰高与钒的浓度在2.0×10~(-9)～1.0×10~(-7) mol．L~(-1)范围内呈线性关系，检出限为8×10~(-10) mol．L~(-1)(富集240s)。试验证明在碳糊电极上，该还原峰是由V(Ⅴ)-ARS络合物中配体ARS的还原产生的。方法用于水样中痕量钒的测定，结果满意。第二章报道了在碳糊电极上测定痕量铝的阴极溶出伏安法。在pH4.9的NH_4OAc-HOAc缓冲溶液中，铝(Ⅲ)-茜素S络合物在碳糊电极上产生一灵敏的吸附还原峰。峰电位E_p=-0.52V(vs．SCE)。峰高与铝的浓度在1.0 μ g／L～15.0 μ g／L范围内呈线性关系，检出限为0.8 μ g／L(富集120s)。讨论了电极反应机理，方法用于水样中痕量铝的测定，结果满意。总之，本文通过大量、系统地试验，建立了用吸附伏安法测定钒(Ⅴ)、铝(Ⅲ)的新体系，灵敏度高，选择性好，线性范围宽。颇有应用价值。
吴辛友, 童坚, 佟伶, 李满芝[2]2003年在《钼的分析进展》文中指出评述了近十年(1991-2002)钼的分析进展包括了化学分离和化学分析、分光光度分析、原子光谱分析、电化学分析等,引用文献167篇。
参考文献：
[1]. 钒（Ⅴ）、铝（Ⅲ）络合物的吸附伏安法研究[D]. 王月宣. 湘潭大学. 2003
[2]. 钼的分析进展[C]. 吴辛友, 童坚, 佟伶, 李满芝. 全国第八届稀有金属难熔金属分析学术会议论文集. 2003