葛伟萍[1]2003年在《合金元素对氮化硅制备的影响与研究》文中提出本课题以硅粉为原料，合金元素为添加剂，用硅粉直接氮化法制备氮化硅，并对添加剂种类及含量、氮化工艺等进行研究，并对氮化硅的形成机制和部分添加剂的作用进行了探讨。 在Fe、Mg、Al、Ti四种合金元素添加剂中，Fe对硅粉氮化促进效果最显着，Mg次之，而Ti、Al不太明显。但Al对β-Si_3N_4生成有一定的促进作用。 复合元素Fe+Al又比单一元素Fe的氮化促进效果更优。从生成单一氮化硅的角度来看，Fe含量不宜超过1％，Fe+Al不宜超过1.5％，反之产物中就出现Fe-Si化合物。 实验氮化工艺控制在1350℃下连续氮化10小时，以Fe和Fe+Al为添加剂，这对硅粉氮化有利。 采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等测试手段对样品的相组成和微观组织形貌进行了观察和分析，表明1350℃／10h下的氮化样品中生成物以α-Si_3N_4较多，还有部分β-Si_3N_4。产物组织形貌以等轴状的α-Si_3N_4颗粒为主，颗粒平均尺寸为3.3μm。
崔霞[2]2005年在《复合添加制备Si_3N_4多孔陶瓷材料的研究》文中指出本课题以硅粉为原料,以碳粉和尿素为造孔剂,以Al_2O_3、Y_2O_3、Fe、Al为烧结助剂,采用常压反应结合造孔剂法制备氮化硅基多孔陶瓷。本文通过实验系统研究了造孔剂、烧结助剂、成型压力等工艺因素对制备材料的XRD、孔特性(显气孔率、孔径、孔结构)及性能的影响,并探讨了其相互关系,有助于精确控制多孔陶瓷的孔特性与性能,从而制备出性能优良的氮化硅多孔陶瓷。 研究结果表明:采用反应烧结,结合常压烧结工艺可制备出Si_3N_4基多孔陶瓷材料;对添加单一烧结助剂(Al_2O_3与Y_2O_3)与复合添加(Al_2O_3、Y_2O_3、Fe、Al)的试样进行了物相分析,试样都有α-Si_3N_4和β-Si_3N_4生成,且复合添加的效果明显。 随着造孔剂含量的增加,试样的显气孔率增加,平均气孔孔径增大。添加造孔剂(碳粉与尿素)在25%内,可制得平均孔径在16μm-22μm之间的氮化硅多孔陶瓷,在复合添加Al_2O_3、Y_2O_3、Fe、Al、碳粉和尿素的条件下,添加碳粉试样的显气孔率变化幅度高于添加尿素的试样,平均孔径低于同含量添加尿素的平均孔径,气孔分布均匀。 在单一添加氧化物作为烧结助剂的条件下,氧化物含量在20%内,添加Y_2O_3与添加Al_2O_3试样的平均孔径均在14.87μm～16.53μm之间,添加Y_2O_3试样的气孔分布均匀。 对添加相同含量Al_2O_3、Y_2O_3、Fe粉、Al粉,不同含量的C粉、尿素的条件下,碳粉含量的增加可提高材料的显气孔率,降低材料的抗压强度;在气孔率相同的情况下,增加成型压力可提高制品的抗压强度。 此外,论文还对氮化硅多孔陶瓷的硬度、抗弯强度进行了初步探讨。
陈韦[3]2013年在《AZ31镁合金表面磁控溅射氮化钛铝薄膜及其性能研究》文中研究表明近年来，镁及其合金因储量丰富，性能优异受到人们的关注，广泛应用于汽车工业、微电子产业、航空航天等领域。然而，镁及其合金的耐腐蚀性能较差，严重影响了其广泛应用。提高镁合金的耐腐性是当前镁合金开发与研究的重要课题，目前主要采用各类表面涂层技术。在这些技术中，磁控溅射技术由于具有沉积薄膜质量好、技术简单、对环境友好等优点被认为是制备表面涂层的最佳方法之一。本论文研究采用射频反应磁控溅射法在AZ31镁合金基片上沉积氮化钛铝薄膜， Zr-氮化钛铝、Ti-氮化钛铝、Al-氮化钛铝复合膜。通过电化学测试研究了氮化钛铝薄膜的耐腐蚀性，研究工艺参数对氮化钛铝薄膜耐腐蚀性的影响，采用X射线衍射仪、FIB扫描电镜、X射线光电子能谱仪，显微硬度仪及轮廓仪分别研究了薄膜的微观结构、表面形貌、化学组成、表面硬度、厚度以及表面粗糙度。采用划格实验法评定TiAlN薄膜及复合膜与镁合金基片间的结合力。研究表明：实验制备的氮化钛铝薄膜为非晶态结构，与镁合金基体之间的结合良好。当铝靶溅射功率为50W、钛靶溅射功率为125W、氮气流量为30sccm、沉积时间为8h时，所制备的氮化钛铝薄膜在3.5wt%NaCl溶液中的耐腐蚀性能最好，腐蚀电流密度（2.820×10~(-7)A/cm~2）比镁合金基体（1.066×10~(-5)A/cm~2）降低超过了1个数量级。XPS分析得出，所制备的薄膜含有Al、Ti、N、C、O5种元素，C和O主要来源于空气中吸附和氧化所致。通过对各元素窄谱分析，薄膜主要以TiN，TiO_2，TiON，AlN和Al2O3等相存在。通过显微硬度仪及台阶仪检测表明，氮化钛铝薄膜能有效提高镁合金基体硬度，降低镁合金基体粗糙度。通过对Zr-氮化钛铝、Ti-氮化钛铝、Al-氮化钛铝复合膜电化学检测及浸泡实验Zr-氮化钛铝复合膜对镁合金基体保护性最好，Al-氮化钛铝复合膜对镁合金基体保护性最差。附着力试验得到Al-氮化钛铝复合膜与镁合金基体间的附着力等级为2级，Ti-氮化钛铝、Zr-氮化钛铝复合膜与镁合金基体间的附着力等级为1级，复合膜与基体的结合力均较好。
印传磊[4]2014年在《氮化硅锰合成技术研究》文中研究指明氮在钢中具有一系列的有益作用,被认为是最有研究和开发价值的新材料之一。金属、非金属氮化物,广泛地应用于一些特种钢冶炼中。氮化硅锰作为一种新型氮添加剂,其氮含量高,在钢中可以起到增氮作用,使钢中的Nb沉淀强化和细化晶粒作用明显增强,促进和优化钒的析出,达到增氮降钒的效果。氮化硅锰合金在高氮合金钢生产中具有很好的利用前景。本课题以硅铁合金和硅锰铁合金为原料,采用高温直接氮化法合成氮化硅锰合金。热力学计算与分析表明,单质Si氮化生成Si3N4,T<2295K前,ΔrGo一直为负值。在T<900K之前,锰氮化生成△GM5N2θ<△GMn4N°θ当T>900K之后,△GM5N2θ<△GMn4N°θ MnsN2发生分解的反应自由能在T>600K后就为负值,Mn4N相要比MnsN2相更加稳定,氮化锰相中的主要合成物为Mn4N。Mn/Mn4N与Si氮化生成MnSiN2时,反应吉布斯自由能ArG<0的临界转化温度随着氮气分压的增大越来越高,氮化反应更容易进行,在低氮气分压下就可以氮化合成,增大氮气分压可以促进氮化反应。本实验考察了原料配比、氮气流量、氮化温度、氮化时间、添加剂和催化剂等因素的影响。得出较佳氮化合成工艺：原料硅锰比为11：4和6：5,添加30%稀释剂和5%的NH4C1催化剂,在1673K氮化保温4h、氮气流量控制在3.5L/min,得到氮化硅锰中氮含量分别为31.5%和28.9%。XRD衍射和SEM形貌能谱分析结果表明,较佳工艺合成的氮化硅锰相主要为：MnSiN2、Si3N4.动力学研究表明,氮化合成过程中,1000-1420℃温度区间为整个氮化反应的主反应区,随着温度升高,放热反应越来越剧烈。最终得到速率常数k的经验公式、反应动力学机理函数f(α)=1-α、各阶段的指数前因子A、活化能E(400.800℃,E=0.7898 kJ·mol-1;1000-1200℃,E=8.4969 kJ·mol-1;1200.1420℃,E=12.5874 kJ·mol-1)和动力学方程。
崔霞, 赵昆渝, 李智东, 葛伟萍, 段云彪[5]2006年在《合金元素对Si_3N_4陶瓷生成的影响》文中研究指明以合金元素为添加剂制备氮化硅陶瓷.比较了Ti、Mg、Fe和A l四种合金元素对氮化硅生成的效果,结果表明单一元素Fe的效果比较明显;探讨了Fe含量在0.25%~5%(质量百分数)之间对Si3N4生成的影响,为了避免Fe-Si化合物的生成,Fe的加入量不宜大于1%;对比了复合元素(Fe+A l)添加与单一元素(Fe)添加的效果,在添加剂含量相同的条件下,复合元素(Fe+A l)比单一元素(Fe)的氮化效果较理想.
张武[6]2015年在《自蔓延法制备氮化铬铁的实验研究》文中研究表明氮化铬铁主要作为合金添加剂用于含氮特种钢的生产。氮元素可以使钢具有高强度和耐蚀性,并且能够保持钢的塑性处于良好的水平。氮有助于奥氏体的形成,其扩大奥氏体区的作用是镍的30倍左右,生产铬锰和铬锰镍奥氏体不锈钢时氮作为成分能部分代替短缺的镍,低镍不锈钢的生产可以带来极大的经济效益。本文采用自蔓延法制备氮化铬铁,充分利用自蔓延技术工艺设备简单、时间短、节能环保、产品纯度高等优点。自蔓延反应经过诱发开始后,能够自我维持反应的进行,得到所需结构成分的产品。因此,采用自蔓延法制备氮化铬铁是一种值得深入研究的新方法。论文主要由热力学计算和实验验证两部分组成。设计工艺过程为:通过金属铝粉、氧化铬和氧化铁之间发生自蔓延还原反应,加入硝酸钠作为发热剂、尿素作为渗氮剂,制取氮含量3%以上的氮化铬铁。热力学计算部分:通过对铝粉、氧化铬和氧化铁之间发生自蔓延反应的热力学计算可知,本实验的自蔓延反应一经引发能够自我维持反应的进行。通过对硝酸钠用量的计算,得到了硝酸钠作为发热剂的加入量。加入硝酸钠能够保持反应体系具有充足的热量,有助于反应的充分进行,保证氮化铬铁与杂质更好地分离。实验验证部分:首先,利用自蔓延法制备了铬铁合金,这组实验的目的是验证发热剂硝酸钠在自蔓延反应中的作用。再利用尿素作为渗氮剂制备氮化铬铁。结果表明,自蔓延法制备氮化铬铁是可行的,对氮化铬铁进行检测分析可知,得到的氮化铬铁主要存在Cr-Fe,CrN、Cr2N、Fe4N等相;铬元素含量大于60%,氮元素含量大于3%;其它杂质的含量控制在1%左右。加入尿素,不会影响自蔓延还原反应的进行。论文所采用技术与现有制备方法相比,具有明显的优势。采用成熟自蔓延技术制备氮化铬铁,选用尿素作为渗氮剂,得到的氮化铬铁满足工业生产标准。该方法由于工艺简单、流程短、对气氛环境的要求低等特点,可以满足高产量、低成本工业化生产地要求。
刘国涛[7]2008年在《定向金属氮化法制备MgO/AlN复合材料工艺参数研究》文中研究表明连铸技术的发展对滑板(特别是钙处理钢用滑板)用材料提出了更高的要求,而氧化镁材料耐高温,抗碱性渣性能好,非常适合在这样的苛刻条件下工作,但它致命的缺点是抗热震稳定性较差,不能经受多次反复滑动浇铸。相比之下,氮化铝材料具有较高的导热系数和较低的热膨胀系数,正好可以弥补氧化镁质材料的缺点,且还具有对熔融金属的润湿性差、抗钢水和抗渣侵蚀性强等优良性能,将其与氧化镁质材料复合,有望成为新一代兼具优良抗热震稳定性和抗侵蚀性的耐火材料。本论文将作为触发剂的金属镁粉直接与电熔镁砂颗粒混合,松散堆积成圆柱状作为预形体,然后作为母材的铝锭在高温下氮气气氛中,向上渗透到预形体中,同时发生氮化原位生成MgO/AlN复合材料。采用X-射线衍射仪、光学显微镜、扫描电子显微镜能谱仪和电子探针等手段分析了产物的物相组成、显微结构和微区成份分布,并探讨了复合材料的生成机理。具体研究内容包括:一、以纯铝锭为母材,以电熔氧化镁颗粒为填充剂材料,研究了Mg粉添加量、温度、处理时间等工艺参数对制备过程的影响,探讨了复合材料生成机理。结果表明,Mg在整个反应过程中起到激发和促进铝熔体渗透、氮化和降低反应体系中氧分压的作用,当不添加Mg粉时,铝熔体的渗透和氮化都难以进行。温度的升高,既降低了铝熔体的粘度,提高了渗透速率,又增加了铝氮化反应的动力。随着Mg含量的增加和温度的升高,铝熔体的渗入量和氮化率都在增加,但在Mg含量和温度都较高的情况下,得到试样内部的结构较疏松。在制备过程的初始阶段,铝熔体的渗透和氮化都很剧烈,得到的试样内部以氮化铝陶瓷相为主,随着处理时间的延长,铝的渗透量急剧增加,得到试样内部的基质相中残留大量的金属铝相,进一步延长处理时间,渗透进去的铝逐渐氮化完全。二、采用Al-Si合金熔铸的铝锭作为母材,对比分析了合金元素Si在定向金属氮化法制备MgO/AlN复合材料过程中所起的作用。结果表明,Si可以显着降低铝熔体的粘度,对铝熔体的渗透起到促进作用;但在低温下,对铝熔体的氮化起到阻碍作用,随着温度的升高,又逐渐转化为促进作用。叁、分别以电熔刚玉和镁铝尖晶石为填充剂材料,与氧化镁作为填充剂材料时的实验结果相对比,研究了填充剂材料与铝熔体间的界面反应对复合材料制备过程的影响。结果表明,填充剂材料与铝熔体间的界面反应,通过对反应前沿的Mg分压的改变,影响了铝熔体的渗透、氮化及得到复合材料的内部显微结构。
魏赛[8]2016年在《低温下非氧化物陶瓷的断裂机理、裂纹扩展与性能研究》文中提出随着人类科学技术的进步,低温技术在航空航天、热核聚变以及超导领域得到了广泛的应用。结构陶瓷具有硬度高、耐磨损、电绝缘等特点,可以与金属和高分子材料形成互补,在某些低温应用领域发挥独特的优势。目前关于非氧化物陶瓷低温断裂机理和性能的研究开展的还较少,因此本文从影响结构陶瓷力学性能的因素入手,研究了几种具有典型结构的非氧化物陶瓷低温环境下断裂模式、裂纹扩展、桥接、气孔与材料性能的关系,揭示了材料低温性能变化的规律和原因。研究发现氮化铝陶瓷低温下断裂韧性、抗弯强度和韦伯模数叁个力学性能指标均有增加的趋势。出现这一变化的直接原因是低温环境下材料穿晶断裂比例增加,导致材料断裂表面能增加。同时,通过分析氮化硅陶瓷与氮化铝陶瓷低温断裂机理的区别,发现材料中晶界相的性质、体积分数和分布位置影响了陶瓷低温断裂模式的变化规律。当温度从293K降低到77K时,氮化硅陶瓷的稳态断裂韧性从5.19MPa·m1/2增加到6.51MPa·m1/2,增幅为25.4%。利用原位降温拉曼光谱测得某一桥接结构293K下桥接应力的最大值为0.7GPa,而在77K下桥接应力的最大值增加到1.0GPa,这说明桥接应力增加是低温下氮化硅陶瓷韧性改善的主要原因之一。通过对氮化硅陶瓷不同温度(293K、159K和77K)下产生的60条裂纹中4323个裂纹偏转和320个桥接结构进行统计分析,发现虽然低温下残余应力能够影响材料中沿晶断裂的比例,但沿晶断裂时裂纹偏转角度分布以及不同角度裂纹偏转形成桥接的概率由材料显微结构决定,不受温度变化影响。以Si3N4-Y2O3-Al2O3体系为研究对象,发现改变烧结助剂Y2O3和Al2O3质量分数或配比时,氮化硅陶瓷中晶界相体积、热膨胀系数和材料显微结构都会发生变化,进而对材料低温性能产生影响,其中显微结构的影响是主导因素。研究发现低温下碳化硅晶粒弹性模量增加,气孔诱发裂纹扩展阻力增大导致材料的断裂强度增加;低温下残余应力场的存在会降低无压烧结碳化硅陶瓷中气孔诱发裂纹有效尺寸,并导致韦伯模数增加。
彭志坚[9]2004年在《载能离子陶瓷刀具表面改性研究》文中研究表明金属蒸汽真空弧(MEVVA)源离子注入和脉冲高能量密度等离子体(PHEDP)是材料新型低温表面改性载能离子技术,具有工艺简单、改性层与基体结合紧密等特点。论文首次采用这些技术对多种金属切削用刀具进行改性研究,并对相应基体和薄膜纳米力学性能进行对比,提出了多种新的力学模型。第一部分,论文采用MEVVA源(高压40kV)对Al2O3、Si3N4等陶瓷刀具进行了钛锆铬离子注入改性系统研究。确定各离子最佳注入剂量:除Al2O3陶瓷刀具注入锆离子为1×1017 ions/cm2外,其余改性剂量均为至少2×1017 ions/cm2。改性后材料表观纳米硬度提高13～64%,杨氏模量最大增加41%,抗弯强度最大增大66%,最大残余压应力为0.63 GPa。在优化剂量下改性后材料表面光滑,平均粗糙度Ra<50 nm;切削刀具寿命比改性前提高约2～12倍,Al2O3注铬效果最佳。第二部分,论文首次提出用PHEDP技术对刀具进行改性研究。确定了室温下在WC和Si3N4刀具上沉积TiN、TiCN和(Ti,Al)N薄膜最佳工艺。在优化工艺下,涂层刀具力学性能优异:残余应力较小,为-2.0 GPa～+1.5 GPa;膜基结合良好,纳米划痕临界载荷达80～110 mN;表观硬度和杨氏模量很高,分别为27 GPa和450 GPa、50 GPa和550 GPa、38 GPa和650 GPa。刀具表面光滑,Ra=40～140 nm;WC涂层刀具能在工业条件下对淬硬钢进行干切削,切削速度可提高2～10倍,且磨损较小,寿命至少35 min;与改性前相比,Si3N4涂层刀具加工淬硬钢和灰铸铁后面磨损分别降低6～10倍;其中TiCN涂层刀具性能最佳。论文还深入研究了纳米压痕技术中的若干基础理论问题。发现由纳米压痕实验确定的材料硬度存在峰值荷载依赖关系,采用一些经验或半经验公式描述了实验观察到的硬度随荷载的变化关系,确定了材料的真实硬度,且用各种模型确定的真实硬度非常接近。发现由纳米压痕实验确定的杨氏模量也存在峰值载荷依赖关系,指出其原因是压头尖端圆角化,并据此提出了一个确定杨氏模量新方法。基于锥形压头近似,提出了一个分析纳米压痕数据的新方法,用新分析方法确定的弹性模量和硬度与用传统Oliver-Pharr方法获得的值近似。新方法具有清晰的物理意义,并用新方法对幂定律指数m的变化提出了合理解释。
兰亮[10]2016年在《Si_3N_4陶瓷与镍基高温合金的部分瞬间液相扩散工艺与机理的研究》文中进行了进一步梳理氮化硅(Si_3N_4)陶瓷具有耐高温、高强度、高硬度、高耐磨性、抗腐蚀等优异的性能,在航空、航天、冶金、能源、机械等领域有着重要的应用。然而,Si_3N_4陶瓷材料的本征脆性以及制备技术的限制,难以获得大尺寸、形状复杂的陶瓷构件。而镍基高温合金是目前在航空领域应用较为广泛的一种合金,因此,实现Si_3N_4陶瓷与镍基高温合金的可靠连接是其获得广泛应用的关键,且具有极大的工程应用价值。部分瞬间液相扩散(PTLP)连接具有在较低温度下获得高温稳定性好的扩散接头的优点,适用于异种材料的连接。本文分别采用Ti/Cu/Ni、Ti/Au/Ni中间层对Si_3N_4陶瓷与DZ483高温合金进行了PTLP连接,研究了工艺参数对Si_3N_4/DZ483高温合金接头的显微组织结构及力学性能的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能谱仪(EDS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、选区电子衍射(SAED)、显微硬度仪、万能试验机等测试研究方法,对Si_3N_4/DZ483高温合金接头界面显微组织结构、成分、相组成、力学性能以及断口形貌等进行了系统的研究,揭示了连接Si_3N_4陶瓷与DZ483高温合金的界面反应机理,获得以下结论。采用Ti/Cu/Ni中间层对Si_3N_4陶瓷与DZ483高温合金的PTLP连接,界面微观结构表示为:Si_3N_4陶瓷,TiN反应层,Ti_2Ni相,富Cu相,Cu-Ni固溶体,Ni中间层,富Cu相,CuTi_2析出相,Ni_3Ti反应层,富Cr相,DZ483高温合金。通过TEM对Si_3N_4-Ti/Cu界面形貌详细的分析,发现TiN界面反应层由两部分组成:0.4μm厚的细晶粒TiN反应层和尺寸为0.8μm粗晶粒TiN反应层。随着连接温度的升高和保温时间的延长,原子之间充分扩散,反应层变厚。在连接温度1323 K保温60 min的条件下,获得的Si_3N_4/DZ483接头室温下的叁点弯曲强度达到最大值170 MPa。对采用Ti/Cu/Ni中间层的Si_3N_4/DZ483接头的高温性能进行研究,在873、1073 K高温抗弯测试中,接头所获得的强度分别为125 MPa和95 MPa;随着测试温度的升高,接头的高温强度逐渐降低;当测试温度达到1273 K时,接头性能严重下降。在大气氛围1073 K保温100 h氧化处理后,接头的抗弯强度保持在128 MPa,表明在此温度下获得接头具有良好的高温性能;随着氧化温度的升高,接头的强度明显降低;在1123 K保温100 h,接头的强度降低至81 MPa;当温度提高到1173 K保温100 h后,接头氧化后直接发生断裂。研究了Ti/Cu/Ni中间层获得的Si_3N_4/DZ483接头的断裂组织,在1323 K,保温60 min条件下,接头的断裂主要发生在Si_3N_4陶瓷侧连接界面处,并向陶瓷界面发生扩展,属于混合断裂模式;结合接头的应力-应变曲线的分析,表明Si_3N_4/DZ483接头的室温断裂属于脆性断裂方式,然而,在高温弯曲测试后,接头没有完全断开,在高温断裂接头中发现了韧窝的存在,表明高温断裂接头具有塑性断裂的特征。采用Ti/Au/Ni中间层进行Si_3N_4陶瓷/DZ483高温合金的PTLP连接,界面组织可以表示为:Si_3N_4陶瓷,TiN反应层,富Au相,富Ni相,Ni中间层,富Au相,Ti O相,Ni_3Ti反应层,富Cr相,DZ483高温合金。连接温度在一定的范围内提高时,TiN界面反应层增厚,界面结合强度增加,对接头的性能有利。然而,当连接温度过高时,接头界面区的脆性金属间化合物增加,接头缓解残余应力的能力降低,从而使接头的力学性能下降。在一定的范围内延长保温时间,界面反应层逐渐增厚,接头合金区中Ni基固溶体不断长大,随着保温时间进一步提高,虽然界面反应层增厚,然而Ni基固溶体转成脆性Ni_3Ti化合物,接头力学性能下降。在室温条件下测试,接头的叁点弯曲强度最高为211 MPa,当测试温度为1173 K时,接头的抗弯强度达到91 MPa。当接头在1173 K的大气氛围中保温100 h后,接头的抗弯强度保持在85 MPa左右,说明接头具有优异的耐高温性能。此外,还发现Si_3N_4/TiN界面在纳米尺度上呈现波浪状的界面结构,这种结构有利于提高接头的性能。从动力学角度分析采用Ti/Au/Ni中间层获得接头的Si_3N_4陶瓷侧与DZ483高温合金侧界面反应层的生长行为可知:Si_3N_4陶瓷侧的TiN界面反应层厚度与时间的曲线符合抛物线方程,即生长速率由扩散速率控制而非反应速率控制,并计算得到TiN反应层扩散激活能为283.8 k J/mol;DZ483高温合金侧的Ni_3Ti界面反应层生长同样符合由扩散控制的抛物线方程法则,计算得到Ni_3Ti界面反应层扩散激活能为186.7 k J/mol。Si_3N_4陶瓷侧界面区域主要有TiN反应层,Ni基固溶体和Au基固溶体组成,通过HRTEM和SAED分别研究了Si_3N_4与TiN,TiN与富Ni相界面的位向关系,表明Si_3N_4和TiN晶粒之间具有一定的位向关系,然而TiN晶粒与Ni基固溶体之间没有特定的位向关系。Si_3N_4陶瓷与TiN界面特定的位向关系保证了良好的界面结合,使连接界面具有较高的强度。
参考文献：
[1]. 合金元素对氮化硅制备的影响与研究[D]. 葛伟萍. 昆明理工大学. 2003
[2]. 复合添加制备Si_3N_4多孔陶瓷材料的研究[D]. 崔霞. 昆明理工大学. 2005
[3]. AZ31镁合金表面磁控溅射氮化钛铝薄膜及其性能研究[D]. 陈韦. 重庆大学. 2013
[4]. 氮化硅锰合成技术研究[D]. 印传磊. 东北大学. 2014
[5]. 合金元素对Si_3N_4陶瓷生成的影响[J]. 崔霞, 赵昆渝, 李智东, 葛伟萍, 段云彪. 昆明理工大学学报(理工版). 2006
[6]. 自蔓延法制备氮化铬铁的实验研究[D]. 张武. 辽宁科技大学. 2015
[7]. 定向金属氮化法制备MgO/AlN复合材料工艺参数研究[D]. 刘国涛. 武汉科技大学. 2008
[8]. 低温下非氧化物陶瓷的断裂机理、裂纹扩展与性能研究[D]. 魏赛. 清华大学. 2016
[9]. 载能离子陶瓷刀具表面改性研究[D]. 彭志坚. 清华大学. 2004
[10]. Si_3N_4陶瓷与镍基高温合金的部分瞬间液相扩散工艺与机理的研究[D]. 兰亮. 上海大学. 2016