李雪辰[1]2002年在《大气压介质阻挡放电中微放电特性研究》文中认为设计了水电极介质阻挡放电实验装置,首次获得了大气压常温下的稳定放电斑图(包括类六边形斑图、条带斑图及二者的混合斑图)。实验研究发现斑图随放电条件改变:当驱动电压升高、气隙宽度减小、驱动频率升高或电介质层厚度减小时微放电的密度变大;驱动电压升高或气隙宽度减小时微放电的直径减小。采用电学和光学方法研究了微放电的时空分布特性,与电学方法相比光学方法不仅能够实现纳秒的时间分辨测量并且它还能实现对放电斑图的空间分辨测量。利用光学方法研究发现微放电的放电时间间隔是长短交替变化的;当驱动电压变化时斑图中的微放电具有与等离子体显示板类似的多稳特性;斑图中的微放电不是孤立存在的而是分成不同的放电畴,在同一放电畴中微放电是同时的。考虑到电介质表面积累的壁电荷的作用,理论上提出了击穿—熄火方程。该方程很好地解释了微放电时间间隔长短交替变化、放电斑图的多稳特性及放电畴的形成。
俞哲[2]2015年在《分区激励式大气压非平衡等离子体反应器阵列研究》文中研究表明随着我国经济快速增长和国际贸易不断发展,各大港口船舶压载水排放量也逐年增加,船舶压载水中携带大量外来生物,使我国海洋生态环境面临越来越大的外来生物入侵压力。利用基于大气压强电场放电的高级氧化技术是一种安全有效的压载水处理方法,该方法的核心是研制能够连续、规模、高效制备活性氧粒子的发生装置。传统规模化活性氧粒子发生装置,由于存在几何尺度放大效应,致使放电体系难以在数千赫兹以上的高频下运行。而较低的激励频率使活性氧粒子发生装置存在体积过大、效率低、产率难以提高等问题。基于高级氧化处理压载水技术要求,依据大气压强电场放电规模化制备高浓度活性氧粒子的技术路线,开展了分区激励式大气压非平衡等离子体反应器阵列研究,结果表明:(1)利用大气压非对称电极结构介质阻挡放电,在高激励电压下可以产生微流注与微类辉光交替促成放电模式,微流注存在于激励电压的正半周期,微类辉光存在于激励电压的负半周期,微流注头部动态强电场与微类辉光阴极位降区持续强电场在放电间隙内的协同作用,增强了放电间隙内局部强电场的时空分布,有利于提高活性氧粒子的产生效率;(2)通过应用非对称电极结构与高电压激励,可以促使大气压非平衡等离子体反应器工作在微流注与微类辉光交替促成放电模式,在时间和空间上强化了放电间隙内的局部电场;通过对电极表面进行预氧化处理,增加了反应器电极表面抗氧化性,延长了反应器电极寿命,提高了放电稳定性。基于以上优化,大气压非平衡等离子体反应器制备活性氧粒子的最高浓度可达165 g/m3,最高产量达41.9g/h,单位放电面积产量达1130g/m2·h;(3)通过建立分区激励方法,将系统谐振参量(变压器漏感与反应器等效电容)分散到由小型高频高压变压器和大气压非平衡等离子体反应器组成的分区激励单元中,实现了在反应器阵列规模尺度增加的同时,保证系统固有谐振频率不变,放电系统仍然可以工作在原有较高的频率,解决了大气压非平衡等离子体反应器阵列规模尺度放大效应问题;(4)通过设计大功率逆变器与小型高频高压变压器研制了大气压非平衡等离子体反应器阵列分区激励电源。大功率逆变器主电路采用IGBT开关器件组成的全桥逆变电路,通过PWM控制策略对输出功率和频率进行调控,输出频率范围为5N11 kHz,最大输出功率为20 kW,可同时驱动40台大气压非平衡等离子体反应器;小型高频变压器设计充分考虑了高频高压激励的特点,使用频率范围为5-11kHz,最高输出电压为10kV;(5)基于分区激励方法,利用大气压非平衡等离子体反应器与小型高频变压器组成分区激励单元,将24组分区激励单元阵列并接于一台大功率逆变器上,研制了分区激励式大气压非平衡等离子体反应器阵列。在实际工程应用模式下,该反应器阵列首次实现在8 kHz以上的工作频率下运行,保证了活性氧粒子的规模化制备,制得活性氧粒子浓度可达110.9 g/m3,产量可达443.6 g/h:同常规装置相比,其体积大幅减小,工作频率大幅提高(由1 kHz左右提升至8kHz以上),激励电压大幅降低(由10~30 kV降低至2~4 kV),为高级氧化压载水处理系统的研制提供了核心技术装置。
李文耀[3]2017年在《AP-PECVD实验制备硅氧烷绝缘薄膜抑制微放电的研究》文中认为为了研究抑制微放电的方法,本论文采用大气压等离子体增强化学气相沉积法(Atmospheric Pressure Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,AP-PECVD)在铜导体表面制备了硅氧烷绝缘薄膜并对其抑制微放电的作用进行了考察。首先,论文就在铜导体表面制备硅氧烷绝缘薄膜的AP-PECVD实验开展了探索性研究,并分别基于大气压弥散放电以及大气压介质阻挡放电两种放电形式搭建出了两套AP-PECVD实验装置;而后,基于此两种实验装置论文分别对氩气、空气等不同放电气体条件下的AP-PECVD实验的电气特性、发光特性,以及所制备硅氧烷薄膜的化学组成、亲疏水特性以及稳定特性等进行了考察,并最终基于制备可靠的硅氧烷绝缘薄膜的实验目标优选出了最优的实验参数;最后,论文结合对最优硅氧烷绝缘薄膜各介电特性的测试结果,从改善电缆内部导体表面缺陷处的畸变电场以及抑制金属微粒起举运动的效果上对其抑制微放电的作用进行了仿真以及实验研究。AP-PECVD实验研究结果表明,基于大气压弥散放电的AP-PECVD实验受放电气体影响显着,其放电功率、薄膜制备效率以及所制备硅氧烷薄膜的氧化程度都随放电气体组成的改变而显着变化,并在700 sccm空气/500 sccm氩气的条件下制备出了薄膜面积最大、氧化程度最高的硅氧烷薄膜(类SiO2)。但是,受μs脉冲电源触发频率较低的影响,此时实验所制备的硅氧烷薄的膜厚度较小,均未能达到绝缘效果。而在基于大气压介质阻挡放电的AP-PECVD实验中,放电在3 slm氩气/500 sccm氩气(TEOS)的条件下实现了较为均匀的“多辉光”放电,并在15 min后制备出了可靠绝缘的硅氧烷薄膜。此外,空气老化测试实验结果表明,该硅氧烷绝缘薄膜具有优良的绝缘稳定特性,是进行抑制微放电研究的最优薄膜。硅氧烷绝缘薄膜的介电特性测试结果表明,经15 min处理后所制备的最优硅氧烷绝缘薄膜的厚度约为2.07μm,相对介电常数约为3.96,体积电阻率约为6.55×1013Ω/cm。COMSOL电场仿真实验结果表明,经该硅氧烷绝缘薄膜覆盖后电缆中铜导体表面缺陷处的畸变电场得到了显着改善,由1.22×105 V/cm减小至8.87×104 V/cm,并且铜导体表面的电子场致发射能力也受到了抑制,其表面功函数由4.65 eV提高至4.78 eV,由此表明微放电的发生条件受到了抑制。此外,大气环境下线形金属微粒的起举电压测试结果表明,当电极经该硅氧烷绝缘薄膜覆盖后线形金属微粒的起举电压提高了约32%,由此表明因金属微粒起运动而产生的微放电现象也受到了抑制。
崔超超[4]2018年在《大气压等离子体金属表面处理抑制微放电的研究》文中认为导体局部电场畸变容易引起局部微放电,长期存在的微放电会损坏电力设备高压绝缘,造成绝缘失效等安全事故,严重影响电力设备的安全稳定运行。为了研究抑制微放电的可靠方法,本文研究利用大气压等离子体表面改性技术在导体表面沉积绝缘薄膜和半导体薄膜,改善导体表面局部电场畸变的情况,在不影响导体本体性能的情况下,实现抑制微放电的目的。本文探索采用大气压等离子体增强化学气相沉积的方法,使用介质阻挡放电(DBD)作为等离子体源在铜导体表面沉积类Si O_2绝缘薄膜以及使用大气压等离子体射流沉积TiO_2半导体薄膜,以实现对不同应用环境下微放电现象的抑制。分别选用含硅前驱物正硅酸四乙酯(TEOS)以及含钛前驱物四氯化钛(TiCl_4),使其被等离子体中的高能粒子激发以发生化学反应,在铜导体表面沉积得到一层均匀致密的薄膜;分析不同处理时间和基底加热、通入空气等不同处理条件下实验中的放电特性、发光特性,和所沉积薄膜的微观形貌、化学组成以及稳定特性等的变化情况,以获得最优的实验参数;设计实验测试研究两种薄膜对局部电场畸变以及微放电抑制的效果,优选出不同应用环境下抑制微放电的最佳方案。沉积实验结果表明,经过10 min的DBD沉积处理后,铜表面生成一层均匀的致密类SiO_2薄膜,厚度达1.27μm,其化学组成以Si-O-Si基团和Si-OH基团为主,且此时氧化程度较高,薄膜绝缘稳定性分析表明,在真空环境中保存的薄膜10天后其表面电阻率保持在10~(11)Ω左右,稳定性较好;射流处理沉积TiO_2薄膜实验中,在铜基底加热至100°C、通入40 sccm空气时反应最充分,得到的薄膜氧化程度最高,结合最紧密。微放电抑制效果评估实验中,射流沉积TiO_2薄膜使得导体尖端处电晕起始电压提高程度更大,从7.91 kV提高至11.24 kV,因此该方法对于导体表面缺陷引起的微放电是更优的选择;而对于GIL/GIS中自由金属微粒运动引起的微放电,在电极表面使用DBD沉积类SiO_2薄膜后金属微粒启举电压提升约34%,优于沉积TiO_2薄膜,因此是更合适的选择。
刘峰[5]2006年在《介质阻挡放电电子激发温度、分子振动温度研究》文中认为本工作使用双水电极介质阻挡放电装置,采用发射光谱的方法研究了Ar、Ar/air、Ar/N2介质阻挡放电中电子激发温度和分子振动温度。在大气压Ar/air介质阻挡放电中,首先研究了电子激发温度和分子振动温度随着空气含量增加的变化规律,同时还得到放电总光信号和气隙间电压的时间特性以及相应斑图;然后研究了这两种温度与频率的关系,分子振动温度因空气含量不同而表现出不同变化趋势。在Ar/air介质阻挡放电中,当压强增加时,分子振动温度显着地减小。在大气压Ar介质阻挡放电中,实验发现在不同氩气流量下,电子激发温度随外加电压增加变化规律不同。特别是在氩气流量为2.5 L/min时,随外加电压增大,出现了两次类辉光现象;这时电子激发温度随外加电压增加首先减小然后保持不变。在大气压Ar/N2介质阻挡放电中,研究了电子激发温度和分子振动温度与外加电压和氩气流量(氮气流量一定)的变化关系。并对上述计算两种温度的谱线相对强度随实验参数变化进行了分析。此外,本论文还研究了电子激发温度的空间分布。氩气流量≤0.5 L/min时,发现在微放电通道中各个位置的电子激发温度是不相同的,且在放电间隙的正中间出现一个最大值,越靠近玻璃板,其数值越小。氩气流量≥1 L/min、气隙间距d=3 mm时,放电间隙各个位置的电子激发温度基本保持不变;该条件下六边形斑图不随氩气流量和外加电压改变而变化。本工作对介质阻挡放电斑图时空动力学研究以及电子温度控制在工业应用领域具有比较重要的参考价值。
王晓静[6]2012年在《大气压介质阻挡放电多针—同轴反应器结构优化及降解甲醛试验研究》文中提出介质阻挡放电可以在常温大气压下产生低温等离子体,能耗低,且不需要昂贵的真空设备,特别适合于低温等离子体的工业化应用。大气压介质阻挡放电处理挥发性有机污染物是一种新型气态污染物治理技术,因其效率高、无选择性、使用范围广,近年来呈现出良好的应用前景。反应器电极结构是影响介质阻挡放电降解气态污染物效率的重要因素,因此优化反应器电极结构参数及其与电源参数的匹配对于提高气态污染物降解效率、降低能耗和介质阻挡放电大规模工业应用有重要的意义。为降低起始放电电压和运行电压、提高电子密度和污染物降解效率,本文首先构建多针-同轴结构电晕介质阻挡放电反应器,试验检测放电特性,结果表明其放电模式是细丝(流注)模式。根据气体放电理论,每个放电细丝在交流电压的一个周期内可以划分为叁个阶段进行分析研究:放电的形成——放电的击穿;放电击穿后,电流细丝流过气隙并传输电荷;在微放电通道中原子、分子的激发和反应动力学的启动。基于此,本文的主要研究内容和创新性成果有:①在检测并分析大气压空气中多针-同轴反应器电晕介质阻挡放电特性的基础上,建立基于有限元的电准静态空间电场分布计算模型,研究电极结构参数对反应器空间电场分布的影响;以大气压空气中不均匀场电子雪崩产生临界电场强度为判据,采用电准静态模型首次优化多针-同轴电极结构参数,并以试验验证。仿真结果还表明,相邻针之间相互作用显着影响反应器空间电场分布,所以本文进一步采用流注放电流体力学模型首次模拟相邻针相互作用对大气压空气中多针流注放电发展的影响:通过对比分析单针与多针流注放电过程中电场强度、电子和正离子数密度随时空发展过程,以及电子平均能量分布,表明多针流注的发展速度、流注发展轴线上电场强度、电子平均能量分布以及电子数密度和正离子数密度均比单针流注的小。但是,在相邻针相互作用下,多针结构的电晕放电性质较单针结构减弱,且反应器内非流注区域电场强度和电子平均能量能保持比单针结构大的水平,这对于降解气态有机污染物等DBD工业应用是有利的。②正交试验研究周期传输电荷量最大的多针-同轴电极结构参数与电源参数的配合,方差分析结果表明试验因素对目标因素周期传输电荷量影响的显着性排序是电压幅值>频率>针间距>针长>相邻针夹角,长度3.5mm和2mm的针以纵向相邻针角度为45°间隔2.5mm排列的电极结构与电源频率21kHz的匹配令目标因素最大。③正交试验研究甲醛降解率最高的电极结构参数与电源参数的匹配,结果与目标因素为周期传输电荷量的正交试验结果相同;借助分子模拟软件,首次采用密度泛函理论研究介质阻挡放电降解甲醛的机理:建立化学反应相对能计算模型,模型中考虑常压常温条件下的热力学焓校正值;设计介质阻挡放电降解甲醛过程中可能的主要自由基反应过程和自由基生成路径,并进行细致分析;最后将本文研究成果与文献研究成果对比分析,说明密度泛函理论研究可以作为试验研究的有效可靠补充手段。
刘鑫[7]2008年在《介质阻挡微放电中氮等离子体分子束质谱及发射光谱的诊断研究》文中研究说明本文利用分子束质谱技术和发射光谱技术对介质阻挡微放电氮等离子体中N~+/N_2~+进行了实验检测,对氮分子振动温度及其时间分辨特点进行了诊断研究,取得结果如下:1.利用介质阻挡微放电等离子体产生技术和分子束质谱(MBMS)检测技术相结合,在气体压力50-220 Torr范围内检测纯氮介质阻挡微放电丝中的离子成分。在所研究的试验条件下粒子流中的主要离子成分是N_2~+、N~+,并研究了放电气压、放电电压、放电重复频率分别对氮等离子体中N~+与N_2~+活性物种离子流强度的影响。结果显示N~+与N_2~+浓度随放电电压、放电频率的增大而增大,N~+、N_2~+的相对浓度几乎不变;随N_2压力变化出现一个极值,随气压增加,N~+、N_2~+的浓度比也不断增加,并对其产生、检测和形成机制进行了研究。2.使用针-板式电极装置,利用发射光谱诊断技术,首次在大气压氮气介质阻挡微放电中,通过对氮分子第二正带系(C~3Π_u→B~3Π_g)发射光谱的时间分辨谱线进行分析,根据振动带序发射光谱强度计算得出N_2(C,v)振动温度的时间分辨特性,并研究了压强及放电电压对氮分子(C~3Π_u)的振动温度时间分辨的影响。实验结果表明:氮分子振动温度的范围为2000-3500 K,在每个放电周期内都呈减小趋势,且正负半周期振动温度差较大。振动温度随电压升高而升高,随压强的升高而降低。
李伟[8]2007年在《介质阻挡放电法氟碳薄膜制备工艺及性能研究》文中认为氟碳薄膜是一种很有应用前景的集成电路用介质材料,其低的介电常数和较好的热稳定性使它可以取代传统的SiO_2作为致密、高速集成电路的金属互连线间的绝缘隔离层,从而提高集成电路的速度和效率。介质阻挡放电是一种可在中高气压范围内产生非平衡等离子体的放电方式。利用介质阻挡放电沉积氟碳薄膜,是一种新颖的薄膜制备方法。该方法具有放电装置简单、耗能低、气体耗量小以及可实现在室温下多种基底上大面积成膜等优势。在总结多种氟碳薄膜沉积方法的基础上,我们利用介质阻挡放电在低气压和大气压两种气压条件下成功地制备出氟碳(FC)薄膜,并利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱分析(XPS)和静态接触角测量等测试手段对介质阻挡放电法沉积的氟碳薄膜进行了诊断和分析,结合介质阻挡放电等离子体特性和薄膜性能的关系,对该种方法的薄膜沉积机理进行了探讨。首次利用低气压介质阻挡放电等离子增强化学气相沉积(DBD-PECVD)方法成功制备出大面积性能良好的FC薄膜,研究发现:FC薄膜随着电源频率的增大,表面粗糙度增大;随着沉积气压的增加,薄膜表面粗糙度值减少。X射线光电子能谱分析检测结果显示随着气压从25Pa上升到125Pa,FC薄膜中CF_2成分有了显着的增加,并且伴随着CF_3和交联结构的减少。静态接触角测量结果显示,所有沉积出的FC薄膜均表现较高的憎水性,静态接触角在105°-112°的范围内。放电频率对薄膜沉积速率有较明显的影响,随着电源放电频率从1kHz到7kHz的增加,薄膜沉积速率也从81nm/min增加到了152nm/min。在国内首次利用大气压下介质阻挡放电法使用C_4F_8/Ar作为放电气体制备出FC薄膜,SEM结果显示在C_4F_8含量的较小时,沉积的FC薄膜较均匀,质量较高。在XPS检测结果中,随着C_4F_8含量的增大,促进了薄膜中交联结构的产生。
于清旋[9]2012年在《大气压针—板DBD发射光谱的斯塔克展宽特性》文中研究说明非平衡等离子体已经被广泛应用于环境保护、材料表面改性、微电子工业、纳米材料制备、新能源开发、辐射光源等诸多工业领域,对等离子体进行诊断有助于了解其内部粒子成分及含量、热力学温度和能量分布等参数,获取其中碰撞、能量传递、解离、电离和运输等微观物理过程的相关信息。但目前每种诊断方法都存在局限性,还没有适用于所有体系的方法可供利用,发射光谱法作为一种不介入放电体系、可以进行实时检测的方法深受研究人员的青睐。本文结合国家自然科学基金项目“大气压非平衡等离子体时空尺度效应研究”(项目编号:50877005),在针-板介质阻挡放电结构中得到了单个微放电通道。对微放电的电学特性与光辐射特性进行了简要的对比分析,在空气中加入少量氩气,利用单色仪采集ArI418.188nm谱线,经过数学上非线性最小二乘法、单纯型算法和LM算法对实验数据进行迭代拟合分离出洛伦兹展宽和高斯展宽,最终得到斯塔克展宽,进而计算了电子密度,数量级在1015cm-3,实现了将斯塔克展宽法诊断电子密度应用到窄间隙的实验体系中,建立了可行的诊断方法。本文通过谱线的斯塔克展宽特性对电子密度进行诊断,发现斯塔克展宽及电子密度随激励电压的增大而增大,几乎不随放电间隙的改变而改变,随介质层厚度的增加而减小。通过分析放电结构以及激励电压对放电通道中粒子激发电离程度的影响说明了上述现象产生的原因。利用CCD拍摄放电影像,通过观测不同放电结构下发光强度的变化推测电子密度的变化情况,得到的结论与斯塔克展宽方法得到的结论相符合。
张颖[10]2016年在《大气压沿面型介质阻挡放电光电特性实验和模拟研究》文中认为与传统的体相介质阻挡放电相比,沿面型介质阻挡放电更容易产生大面积等离子体层,并可以有效控制边界层气流分布,近年来在材料表面处理、等离子体流动控制、生物医学等领域表现出良好的应用前景。目前,放电模式转换机理和均匀性控制是沿面型介质阻挡放电研究中的两个重要方向。本文通过发射光谱、高速图像采集和数值仿真的方法对大气压空气中沿面放电的模式转换和均匀性等进行了研究。主要研究内容和结论如下:1.建立了一套大气压沿面型介质阻挡放电装置和光学诊断系统,设计了一个延时仅为10ns的同步触发控制系统,用于实时触发ICCD相机以捕捉瞬态放电过程。2.利用发射光谱技术和电流电压探测技术,研究了不同放电参数对发射光谱、电子激发温度、转振温度的影响及其空间分布规律。结果表明,电子激发温度沿轴向放电间隙变化不大,而沿径向最大值出现在暴露电极边缘。随着峰值电压升高,氧原子的电子激发温度和氮分子的转振温度均随之增大。3.利用ICCD高速相机对大气压空气沿面型介质阻挡放电的径向发展和模式转换过程进行了研究,观察到在正、负向电压阶段呈现出两种不同的放电模式,即丝状放电和弥散放电。利用时空分辨光谱测量的方法比较了丝状放电模式和弥散放电模式的发射光谱和转动温度,并分析了两种放电模式发生转换的原因。结果表明,丝状放电通道内的高能电子数密度大于弥散放电;随着丝状放电向弥散放电的转换,氮分子的转动温度减小;介质板表面积累的带电粒子以及表面二次电子发射,是导致正、负向电压阶段放电不对称性的主要原因。4.通过提取阈值后统计图像的像素点,对放电区域的面积进行了检测。同时,提出了一种利用数字图像处理技术中的灰度频率分布曲线来判定放电均匀性的方法,并讨论了激励频率、气体成分、气速、介质材料和厚度对沿面放电均匀性的影响。结果表明,本实验条件下电源频率对沿面放电均匀性的影响较小;惰性气体的加入有利于均匀放电的形成;气速的增加对丝状放电有一定的抑制作用;介电常数较大的陶瓷作为阻挡介质时放电均匀性较好,介质厚度的减小可以有效减弱丝状放电的发展。5.利用大气压空气沿面放电二维流体力学模型,对介质表面电荷密度的周期演变过程及电场强度的时空分布进行了详细分析,验证了一个电压周期内放电的不对称性,并模拟了激励电压、介质材料及电极配置对空气中沿面放电的影响。结果表明,放电区域中的电子雪崩导致初始电场分布发生改变;在电子密度最大位置处场强增大,反向电压阶段电子数密度最大可达3.6×10。6 m-3;最大电子密度随电压峰值的增大而增大,具有较高电子密度的区域也随之扩大。介质板二次电子发射系数的增加有效的减小了气隙击穿电压。滑动型沿面放电结构有利于产生大面积等离子体层。
参考文献:
[1]. 大气压介质阻挡放电中微放电特性研究[D]. 李雪辰. 河北大学. 2002
[2]. 分区激励式大气压非平衡等离子体反应器阵列研究[D]. 俞哲. 大连海事大学. 2015
[3]. AP-PECVD实验制备硅氧烷绝缘薄膜抑制微放电的研究[D]. 李文耀. 大连理工大学. 2017
[4]. 大气压等离子体金属表面处理抑制微放电的研究[D]. 崔超超. 郑州大学. 2018
[5]. 介质阻挡放电电子激发温度、分子振动温度研究[D]. 刘峰. 河北大学. 2006
[6]. 大气压介质阻挡放电多针—同轴反应器结构优化及降解甲醛试验研究[D]. 王晓静. 重庆大学. 2012
[7]. 介质阻挡微放电中氮等离子体分子束质谱及发射光谱的诊断研究[D]. 刘鑫. 大连理工大学. 2008
[8]. 介质阻挡放电法氟碳薄膜制备工艺及性能研究[D]. 李伟. 大连交通大学. 2007
[9]. 大气压针—板DBD发射光谱的斯塔克展宽特性[D]. 于清旋. 大连海事大学. 2012
[10]. 大气压沿面型介质阻挡放电光电特性实验和模拟研究[D]. 张颖. 大连理工大学. 2016