尹海平[1]2008年在《传导性电磁兼容关键技术研究》文中进行了进一步梳理随着高速功率开关器件的普遍使用,大量的电力电子装置产生传导性电磁干扰问题不断出现,已成为电力电子技术进步的一个重要约束。因此对电力电子装置的传导性电磁干扰诊断技术以及其传导性干扰的产生机理研究具有十分重要的意义。本课题基于国内外传导性电磁干扰噪声的研究现状,对比分析了基于硬件和基于软件的多种传导噪声分离网络,提出了传导性噪声诊断技术,对一商用开关电源进行传导电磁干扰测量,测试结果表明了该技术可对传导电磁干扰噪声进行有效诊断。在此基础上,开发了传导性电磁干扰智能诊断系统,该系统通过对噪声的提取、处理、诊断、分析,可得出有效的噪声抑制措施,为当前电子产品的设计提供了有效的参考,以满足电磁兼容国际标准。本课题进一步研究了传导性干扰噪声源建模技术,阐述了噪声源建模基本原理,分析比较了几种建模方法的利弊,并利用电流探头法对已知阻抗进行了验证。更进一步,对开关电源的传导电磁干扰产生机理进行较为深入的研究,建立了开关电源传导电磁干扰模型,通过传导电磁干扰噪声机理实验,分析了驱动电路、开关管上升时间以及散热器与漏极电容Cm对噪声的影响,并利用Pspice软件进行传导性干扰的仿真研究,验证了各参数变化对仿真结果的影响。最后,提出一些有效的开关电源传导电磁干扰抑制措施:缓冲电路设计、平衡电感抑制共模干扰,仿真结果验证了这些方法的有效性。
刘建伟[2]2015年在《反激式开关电源的传导和辐射发射特性研究》文中研究表明开关电源被广泛用于电信、军事设备、运输设备等诸多领域。由于电子开关速率不断提高,其所带来的电磁干扰(EMI)成为必须引起重视的电磁兼容问题。由于反激式(Flyback)开关电源通过简单的系统设计可实现降压、升压、升降压的变换而日益广泛应用,同时也存在较为严重的传导和辐射干扰。由于传导和辐射电磁干扰符合性测试需要严格的测试环境和昂贵的测试设备,因此进行开关电源的电磁干扰的预测和评估非常必要。论文据此开展系列研究工作,其主要工作归纳如下:首先分析了一般性传导干扰的产生机理和传导路径。论文采用时域仿真方法来分析和预测传导电磁干扰。分别采用SPICE模型和高频等效电路模型对有源和无源器件建模,基于CST PCB工作室采用2D场求解器提取出印刷电路板(PCB)的寄生参数,进而在该工作室中再完成整个电路的仿真。实验结果证明了该仿真方法的有效性,能快速预测和评估传导电磁干扰;其次研究了典型的“PCB加线缆”这一架构的开关电源模型,其中开关管的快速开与关所产生的瞬时强电压、电流变化(dv/dt、di/dt)是电路板上主要的对外辐射源。同时,电路板外接的线缆能将从板上耦合而来的能量向外辐射出去,增强了辐射发射电平强度,研究确认了线缆辐射也是导致开关电源电磁辐射问题突出的原因之一。基于开关电源的传导和辐射原理,论文提出了一种可以快速预测Flyback开关电源辐射发射的简化模型,并通过实物加工,在电磁兼容实验室对一款20W的Flyback开关电源进行3m外辐射发射的测试,结果表明,该设计完全符合电磁兼容(EMC)指标要求,验证了该模型的正确性;最后在开关电源传导、辐射干扰的抑制方面进行了一系列深入研究。对传导干扰的抑制措施进行电路分析,对辐射干扰通过电磁仿真和电路分析相结合的方法,提出了设计开关电源减少EMI的思路。在设计初期通过预测传导和辐射电磁干扰或采取相应的抑制措施来进行预设计,有利于降低研发成本。
冯强[3]2015年在《开关电源传导电磁干扰建模研究》文中进行了进一步梳理开关电源(SMPS)被广泛地运用于工业、军事、医疗等领域,当升高其开关频率或者增大功率密度时,其电磁兼容(EMC)问题不能忽视。特别是在大功率高电压的设备中,开关电源的电磁干扰(EMI)是一个迫切需要解决的问题。开关电源产生的传导干扰,通过线缆耦合进入电网或其他相连的设备,可能造成设备的工作故障。因此,建立开关电源的传导干扰的模型,研究传导干扰产生和传播机理,对传导干扰的抑制和消除作用具有重要的意义。本文以一台升压型(Boost)开关电源为对象,从开关电源的传导干扰测试和建模两方面进行研究,得到了开关电源的传导干扰电路仿真模型。首先,研究了传导干扰的测试技术。重点研究了共模(CM)与差模(DM)干扰测试方法,提出了两种CM/DM干扰分离技术。第一种为基于共模扼流圈的CM和DM干扰分离网络,设计的分离网络的核心器件为两个特性阻抗100Ω的共模扼流圈和一个射频变压器,仿真到了150 kHz至30MHz频带内的良好分离性能。第二种为电流探头测试和软件计算结合的模态噪声分离方法。通过测试一个输出150W/12V的商用开关电源,验证了分离方法的正确性。该方法不仅可以测试输入电源线上的传导干扰,也可以分离部件互联线上的CM/DM干扰。另外,对设计的Boost型开关电源,完成了传导EMI的测试工作,实验数据显示,在150kHz-30MHz频带,“相线”和“中线”传导干扰大小基本一致,并且超过了CISPR22中的B类准峰值检波限值,共模干扰比差模干扰要约高10dB,得出在电源线上主要成分为CM干扰的结论。其次,按照EMC的“叁要素”思路,建立了Boost电源传导EMI仿真电路。干扰路径的建模包括Boost型开关电源中的所有无源元件,PCB板,以及场效应管漏极对接地散热片的寄生电容。干扰源的建模包括电源中的二极管MUR860和N型场效应管IRFPE50。在150kHz-30MHz频带内,仿真的干扰频谱与测试结果幅值上具有良好的一致性,验证了建模的正确性。最后,分析Boost型电源的CM电流的流经路径,并进行近似处理,得到一种简化的CM干扰计算模型。计算的CM干扰与测试结果对比,在150kHz至10MHz频带内,两者在峰值上吻合很好。该模型具有简单、计算方便的特点,对CM干扰的幅值的预测具有实用价值。
居水荣, 王津飞, 石径, 张子豪[4]2017年在《PFM开关电源集成电路的抗电磁干扰设计》文中提出针对脉冲频率调制(PFM)开关电源(SMPS)集成电路,提出了抗电磁干扰(EMI)设计的两种方法。通过采用零电流检测电路,控制开关电源集成电路中的开关金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在第一个谷底导通,从而降低导通电流的尖峰值。通过采用恒压和恒流设计技术,使开关电源集成电路中的电压和电流得到限制,有助于降低电流纹波。采用CSMC 1μm 40 V高压工艺设计了PFM开关电源集成电路SX1618,将以上两种抗电磁干扰设计方法应用在该电路的设计中,并设计了针对性的保护结构。完成SX1618整体仿真和版图设计后进行了流片和封装,并将其应用在实际的开关电源中,经测试,开关电源的抗电磁干扰能力符合标准。
吴振军[5]2003年在《混沌开关调制技术降低开关模式电源EMI水平研究》文中认为本论文对混沌开关调制技术降低开关模式电源电磁干扰水平问题进行了深入研究。主要在以下几个方面展开了工作： 1．对改善开关模式电源电磁兼容性的具体措施进行了综述。被动的方法具体有：滤波、屏蔽、接地、去耦、旁路等。从源头上减小电磁干扰的方法有：各种谐振开关技术(包括软开关技术)、随机开关调制技术、以及本文研究的混沌开关调制技术等。 2．对随机信号和混沌信号的特性进行了分析比较。本文以“蔡氏电路”作为混沌信号源，给出了生成混沌序列的原理及软硬件实现方法。对生成的混沌序列进行了相关性分析，结果表明混沌序列保持了混沌信号的特征。将随机调制模式中的随机部分用混沌信号替代，得到了多种混沌开关调制模式。 3．将着名“蔡氏电路”产生的混沌开关调制信号用于Buck型DC／DC变换器开关的调制控制，使其工作在基于混沌的随机模式。通过对四种混沌调制模式下变换器输入电流与周期PWM模式下输入电流频谱的分析比较表明，混沌调制技术在扩展频谱方面有良好的效果，可以用于降低开关模式电源的电磁干扰(EMI)水平，改善电磁兼容性(EMC)。与随机调制模式相同，混沌开关调制模式也引入输出低频噪声纹波，有些情况下低频噪声纹波可能抵消混沌开关调制降低EMI水平的效果。分析表明：CCFMFD模式具有较好的降低EMI水平和引入较小低频纹波的优点，可以作为混沌调制模式较佳的选择。 4．对不同混沌序列生成的混沌开关信号降低EMI水平的效果进行了对比分析。仿真结果表明：CPWM和CPPM模式下，Henon映射混沌序列在较低次谐波处降低EMI水平的效果要好于蔡氏电路混沌序列的效果。CCFMFD模式则有相反的结果。对CCFMVD模式，蔡氏电路混沌序列比Henon映射混沌序列降低EMI水平的效果明显要好。不同混沌调制信号对输出纹波影响的分析结果表明：CPPM、CPWM和CCFMVD模式下，Henon映射混沌序列引入低频噪声纹波比蔡氏电路摘要混沌序列要小;CCFMFD模式下，蔡氏电路混沌序列引入的低频纹波要小。这提示我们:在开关模式电源使用混沌调制控制时混沌序列的选择也具有重要性。
熊军华[6]2004年在《降低开关模式电源EMI水平的混沌调制信号优化研究》文中研究表明本论文以Boost型及Buck型DC／DC变换器为对象，多角度地对混沌开关调制信号降低开关模式电源电磁干扰水平问题进行了研究，为生成混沌开关调制信号的混沌信号源优化选择提供了参考依据。论文主要在以下几个方面开展了工作： 1．在简单介绍改善开关模式屯源EMC降低EMI传统方法的基础上，对随机开关调制技术的特点、应用混沌理论降低开关模式电源电磁干扰的研究发展状况进行了回顾与总结，提出了开展研究工作的思路。 2．对不同性质混沌调制信号降低电磁干扰水平效果进行了分析。以一个能产生混沌、亚超混沌、超混沌信号的四阶电容电路为信号源，将混沌开关调制信号控制的开环Boost型DC／DC变换器中的输入电流及输出电压频谱分别与标准PWM模式下的输入电流及输出电压频谱进行了比较。仿真结果表明，不管是何种性质的混沌调制信号及何种调制模式，都能降低Boost型变换器的电磁干扰水平；不同的混沌调制模式、不同性质的混沌序列，有不同的降低电磁干扰水平的效果。具体地可以得到混沌信号“混沌的程度越高，降低电磁干扰水平的效果越好”的结论。 3．对不同混沌源调制信号降低开关模式电源电磁干扰水平的效果进行了分析。以四种混沌电路——蔡氏电路、Lorenz系统、R(?)ssler系统及四阶电容电路作为混沌信号源，比较不同混沌源调制信号降低开关模式电源电磁干扰水平的效果。以不同混沌源信号调制得到的归一化混沌序列，在相同的开关调制模式下，对电源的输入电流频谱及输出电压频谱进行了分析对比。仿真结果表明：四种混沌源调制生成的混沌开关调制信号，均能够降低电源的输入电流及输出电压的频谱峰值。不同混沌源调制信号有不同的降低电磁干扰水平效果。就所研究的混沌源而言，可得到“Lorenz系统降低电磁干扰水平的效果较好”的结论。摘要4.讨论了相同混沌性质下李雅普诺夫指数的大小对降低电磁干扰水平 效果的影响。首先介绍了正的李雅普诺夫指数的计算方法，编制了 计算正的李雅普诺夫指数的计算程序，给出了蔡氏电路、Lorenz系 统、R石sslel‘系统及四阶电容电路正的李雅普诺夫指数的计算结果。 接着从两个方面分析了李雅普诺夫指数大小对降低开关模式电源 EMI水平效果的影响:其一是不同混沌源信号李雅普诺夫指数的大 小对降低电磁干扰水平的影响效果分析;其二是同一个混沌源信号 李雅普诺夫指数的大小对降低电磁干扰水平的影响效果分析。研究 分析表明:“混沌系统正的李雅普诺夫指数越大，混沌调制信号降低 开关模式电源电磁干扰水平的效果越好”。
刘骞[7]2004年在《车载电子设备的电磁兼容研究》文中指出本文以电力机车用110V开关电源的电磁兼容性设计为例，研究了车载电子设备的电磁兼容性原则。内容涉及到该设备电磁兼容预测性模型的建立，提取了减小电磁干扰的原则，用于指导其设计，成功通过了铁标TB／T3021-2001中所规定的电磁兼容试验，该产品电磁兼容性设计的成功为车载电子设备的电磁兼容性设计提供了借鉴。 为了使得预测的电磁干扰水平和实际接近，首先对大功率开关器件进行了高频建模，在分析干扰耦合途径的基础上，对无源元件的寄生参数进行了提取，同时提取了主回路器件连接导线的寄生参数，建立了电磁兼容的预测模型。在选定了某种元件布局的基础上，进行了软件模拟仿真，修改元器件布局方式，得到不同的干扰水平，鉴于软件仿真的直观性、方便性及精确建模基础上，结果可信度高。对于仿真中提取的原则，用于指导实践，减小了电磁兼容性设计的盲目性，降低了成本和开发周期。在减小辐射干扰水平方面，就理论上进行了探讨。由于电磁兼容学科本身的复杂性，以及依据装置工况不同干扰水平不同的特点，实际设计中采取了滤波和屏蔽措施。 本文为车载电子设备的电磁兼容设计提供了借鉴的思路。通过预测性模型的建立可以减小设计中的盲目性和局限性。
陶陈彬[8]2008年在《开关电源共模EMI抑制技术研究》文中研究说明随着电力电子技术的发展,开关电源的小型化、高频化成为趋势,其中各个部分工作时的电磁干扰问题也越来越严重,因此开关电源的电磁兼容性也越来越引起人们的重视。目前,软开关技术因其能减少开关损耗和提高效率,在开关电源中应用越来越广泛。本文的主要目的是针对开关电源中的电磁干扰进行分析,研究软开关技术对电磁干扰的影响,并且提出一种抑制共模干扰的滤波方法。本文首先介绍了电磁兼容的定义、开关电源EMI的特点,论述了开关电源中EMI的研究现状。从电磁干扰的叁要素出发,介绍了开关电源中电磁干扰的干扰源和干扰的耦合通路。分析了电感、电容、高频变压器等器件的高频特性,并介绍了线性阻抗稳定系统(LISN)的定义和作用。在了解了软开关基本概念的基础上,本文以全桥变换器为对象,介绍了移相全桥ZVS的工作原理,分析了它在实现过程中对共模干扰的影响,并在考虑IGBT寄生电容的情况下,对其共模干扰通道进行了分析。然后以UC3875为核心,设计了移相全桥ZVS的控制电路和主电路,实现了软开关。为了对共模干扰进行抑制,本文提出了一种新型的有源和无源相结合的EMI滤波器,即无源部分采用匹配网络法,将阻抗失配的影响降到最低;有源部分采用前馈控制,对共模电流进行补偿。针对以上提出的问题,本文通过Saber软件对移相全桥ZVS进行了仿真,并和硬开关条件下的传导干扰进行了比较,得出了在高频段,ZVS的共模干扰小于硬开关,在较低频段改善不大,甚至更加严重,而差模干扰有较大衰减的结论。通过对混合滤波器进行仿真,取得了良好的滤波效果,和传统的无源EMI滤波器相比,在体积和重量上都有一定优势。
郑博[9]2016年在《半隔离DC/DC开关电源传导电磁干扰预测与抑制研究》文中认为由于开关电源具有效率高、功率密度高、体积小、重量轻等优点,因此被广泛地应用于程控交换、光数据传输、无线基站、有线电视系统及IP网络中。当今通信开关电源多采用单端双端电路、半桥电路和全桥电路等拓扑,在中小功率场合,双单端电路和半桥电路被广泛地应用。然而,由于功率管有较高的开关频率,开关电源开通和关断过程产生的瞬变电压/电流含有较为丰富的高次谐波成分,这些谐波容易经过传导和辐射污染周围电磁环境,对其他通信设备和电子产品造成干扰。因此,通信开关电源需采取必要措施减小其电磁干扰发射的能力,使其符合EMC发射标准的规定。本课题主要针对一种结构较为少见的半隔离式DC/DC开关电源的传导EMI问题进行研究。在该电路拓扑中,部分电能从输入侧直接传递到输出,另一部分电能则通过变压器耦合到输出侧。本文从该电路DC/DC工作过程出发,在分析其差、共模干扰传播特性的基础上,建立其传导电磁干扰的模型,并研究在此拓扑中出现的传导干扰新特性,进而提出相应的改进和抑制措施。为了研究该半隔离拓扑开关电源的电磁干扰机理,文本具体介绍了这台额定输入-48V,输出为-57V,工作在开关频率110k Hz的半隔离功率变换器。隔离部分的变压器原边采用全桥电路,副边采用全波整流。在此基础上,原副边用一根-48V线相连接来实现增压输出。根据电路纹波指标,设计了主电路电感电容等器件参数。变压器采用导线单层绕制的方法,选择PC40作为磁芯材料,磁芯骨架结构为EI28,并由工作电流大小确定绕组的绕线方式和线径大小。变换器采用对角MOS管交替触发的控制方式,对直流输入电压进行逆变和整流后,通过输出侧LC滤波后变换出直流电压。在主电路参数确定的基础上,在控制电路变换器中设计了PID补偿器,使补偿后的系统满足稳定性等要求,并实现DC/DC变换控制。为了对该电源中传导电磁干扰进行仿真,从而实现噪声的准确预测。建立该半隔离变换器电路中器件的高频电路模型,主要包括无源器件、有源器件及PCB板的高频模型。对于无源器件,电容和电感均采用阻抗分析仪测试其传导频段内的阻抗曲线,并与阻抗分析仪内部的高频等效电路仿真结果进行比对,确定其寄生元件的参数。对于MOSFET和二极管等有源器件,利用SABER软件中自带的MOSFET高频模型和二极管高频模型,将厂家提供的元器件各特性曲线导入到SABER软件中进行拟合,由软件自动计算出有源器件高频模型中的寄生电感和寄生电容。由于变压器的高频模型和绕组的绕制方式和磁芯参数有很大关系,而且本课题中采用了副边中心抽头式的变压器,其高频建模是较大难点。本研究采用传统变压器高频模型,主要参数包括原副边漏阻抗,原边的励磁阻抗和绕组间的寄生电容。其中,通过对变压器进行短接实验,由阻抗分析仪可以得到其漏阻抗和励磁阻抗的高频曲线,对这些阻抗的仿真结果和实测结果进行拟合对比,从而得到变压器的漏阻抗模型和励磁阻抗模型及参数。绕组间的耦合电容则采用解析计算的方法,由算式得到变压器原副边之间的寄生电容值。为了进一步分析EMI噪声的耦合通路,对本课题所用变压器的最终的高频寄生电容进行了简化。PCB板中走线也存在高频寄生电感和寄生电容,使用LCR表可以测得PCB板上走线的电感、电容以及MOS管对地寄生电容。将上述所有模型组合后,可以得到该半隔离式DC/DC变换器完整的高频仿真模型。将母线上的噪声仿真结果与样机实测得到的噪声进行比对,两者的频谱高度吻合,以此验证该高频模型的正确性。为了明确传导干扰的路径及各噪声源产生干扰成分的大小,从而为滤波器的设计提供依据,本文分析了半隔离开关电源的传导(CE)干扰形成机理和特点。根据EMI叁要素定义,分别阐述了差模(DM)和共模(CM)噪声的干扰源、干扰路径及它们噪声频谱的特点。根据已有的研究共识,半隔离式变换器中的主要干扰源来自MOSFET和二极管等有源器件在开通和关断过程中产生的过快的电压和电流变化。根据有关文献成果,由于MOSFET的散热片与物理大地之间存在寄生耦合电容,作为噪声源的MOSFET由于其在开关过程中产生的电压尖峰不断地对此寄生电容进行充放电,导致其产生明显的共模电流,而寄生电容也为共模电流提供了耦合通道。同时,二极管在开通和关断的动态过程中,也存在较为明显的反向恢复电流,这些峰值较大的电流从而成为差模干扰的主要来源。本课题在建模过程中,将全桥每个桥臂电压低边侧的MOSFET等效成电压源,而每个桥臂电压高边侧的MOSFET以及所有的二极管则按照电流源等效。其中,实测样机的MOSFET电压电流波形以及二极管的电流波形将在文中给出,以便于分析各噪声源的幅值大小。在确定了噪声源的基础上,该半隔离电源噪声通路的分析主要依据电路迭加和等效原理进行。分析电压源的影响时,所有的电流源被当作开路处理。由于MOSFET作为电压源作用时,其产生的电流会对输入和输出侧的滤波电容有较大的影响,此时可以等效为在输入和输出侧额外增加了两个噪声源。对模型进一步简化后可知,共模噪声的幅值为叁个电压源单独作用时在LISN上测得的噪声之和。利用迭加定理,单独分析每一个电压源作用时,其他两个电压噪声源看作短路处理,由此可以得到共模电流的具体流通通路,并可以通过计算得到LISN上100?电阻的共模电压值。迭加定理同样应用于差模通路的建模过程。当所有的电流源单独作用时,电路中的电压源看作短路。MOSFET作为电流源会在输入侧的滤波电容上产生压降,同理副边侧二极管作为电流源也会在输出侧的滤波电容上产生一定的电压,输入和输出侧电容上的电压通过电压源等效,由此电流源作为噪声源的电路转化为电压源作为噪声源。分别分析两侧电压源单独作用的情况,最后再进行迭加,从而得出差模电流的流通路径。值得注意的是,在分析单个电源作用的时候,会出现噪声源同时产生共模电流和差模电流的情况。将所有电源单独作用的情况分析完成后,提取并简化差模和共模的电流通路模型,仿真后得出电路在传导频段内(150k Hz-30MHz)的频谱,并与实测的噪声频谱进行对比。通过对比发现测试波形和仿真波形一致,验证了共模和差模传导噪声模型的正确性。由于电源传导的实测噪声已经超过了国际通用的传导干扰发射标准,需要采取有效的措施抑制噪声的幅值,使之降低到标准以下。本文采用国际上CISPER组织Class B标准,将实测的共模和差模噪声频谱幅值与限值进行比较,从而确定共模噪声和差模噪声需要衰减的量。首先,采用传统滤波器的设计方法进行噪声抑制。由传统滤波器电路可得到共模衰减斜率和差模衰减斜率,根据各频点需要衰减确定滤波器的差、共模转折频率。选择共模滤波电容和差模滤波电容,再由滤波器转折频率公式,计算得到共模滤波电感的值。一般差模电感不需单独设计,共模电感的漏感可以起到滤除差模电流的作用。滤波器设计完成后,实测加入滤波器后的半隔离变换器噪声,与原始噪声进行对比,发现噪声幅值有了较大下降,从而证明设计有良好效果和准确性。进一步研究发现,鉴于半隔离电源特殊的噪声通路,可以改进滤波器的拓扑,设计体积更小的滤波器。由于共模电感的存在,其漏感对差模电流有很大的阻碍作用,导致副边产生的差模电流更多的流经LISN上的电阻,使测试得到的差模噪声幅值增加。基于此原理,在保留共模滤波电感的基础上,在-48V原副边的连接线上加入了一个差模滤波电感。此差模电感可以切断副边产生的差模电流流入LISN侧的流通路径,从而进一步抑制了差模噪声电流的幅值,实现良好的滤波效果。
杨志勇[10]2002年在《半桥QRC变换器电磁兼容性分析与研究》文中研究指明为了避免尝试性修改方法对于解决开关电源电磁干扰的盲目性和局限性，本论文借助Cadence软件对开关电源PCB进行了印制导线建模分析、提取寄生参数和电磁兼容仿真分析，实现了开关电源PCB的计算机辅助电磁兼容分析和计算机辅助最优布局设计，从而可以在PCB设计阶段就对其潜在的电磁干扰源进行抑制。 选择一种半桥准谐振变换器作为研究对象，对其工作原理进行了详细的分析，制作了实验样机，分析了它的主要干扰源，建立了它的共模、差模噪声电流等效电路模型，对它的四种不同PCB布局进行了寄生参数提取和电磁兼容仿真，在此基础上分析得到了影响其电磁噪声水平的最重要因素，并设计出了最优的PCB布局。 本论文为开关电源电磁干扰的解决和PCB电磁兼容设计提供了一种较为合理有效的研究思路。
参考文献：
[1]. 传导性电磁兼容关键技术研究[D]. 尹海平. 南京师范大学. 2008
[2]. 反激式开关电源的传导和辐射发射特性研究[D]. 刘建伟. 南京航空航天大学. 2015
[3]. 开关电源传导电磁干扰建模研究[D]. 冯强. 西南交通大学. 2015
[4]. PFM开关电源集成电路的抗电磁干扰设计[J]. 居水荣, 王津飞, 石径, 张子豪. 半导体技术. 2017
[5]. 混沌开关调制技术降低开关模式电源EMI水平研究[D]. 吴振军. 郑州大学. 2003
[6]. 降低开关模式电源EMI水平的混沌调制信号优化研究[D]. 熊军华. 郑州大学. 2004
[7]. 车载电子设备的电磁兼容研究[D]. 刘骞. 中南大学. 2004
[8]. 开关电源共模EMI抑制技术研究[D]. 陶陈彬. 天津大学. 2008
[9]. 半隔离DC/DC开关电源传导电磁干扰预测与抑制研究[D]. 郑博. 哈尔滨工业大学. 2016
[10]. 半桥QRC变换器电磁兼容性分析与研究[D]. 杨志勇. 南京航空航天大学. 2002
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