崔葵馨, 常兴华, 李希鹏, 莫俳, 王旭[1]2012年在《高体积分数铝碳化硅复合材料研究进展》文中提出阐述了高体积分数铝碳化硅复合材料的性能及影响因素,重点综述了各种制备方法的研究现状及其优缺点,阐述了目前存在的问题和下一步研究方向。
黄思德[2]2012年在《碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备与性能研究》文中研究表明高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料（SiC_p/Al）具有高导热、低膨胀、高模量、低密度等优异的综合性能，在电子封装领域具有广阔的应用前景。研究铝碳化硅电子封装材料的结构与性能对制备性能优良的封装材料具有重要的理论意义和实用价值。本文研究了Si含量对复合材料组织与性能的影响和低Si含量复合材料界面稳定性，探讨了液态铝合金无压熔渗SiC预制件工艺制备的复合材料组织和性能特点。主要研究结果如下：高体积分数SiC_p/Al复合材料和渗后残留铝合金凝固后的Si相分布相同，但在Si形态上存在差异。当Si含量为7%时，铝合金中Si相以细小颗粒及圆润短杆为主，偏聚分布，而复合材料中，Si相也是偏聚分布但Si的形态更细小。当Si含量为12%时，铝合金中Si相呈粗大的片状或长针状，而复合材料中Si相形态多为弯钩形状和短条状，多数Si相沿SiC颗粒边界析出。当Si含量为14%时，铝合金中Si相呈粗大枝状和小块状，复合材料中Si相多数为短小颗粒和短条状，弥散分布在Al和SiC之间。由于复合材料中Si含量和形态不同相应地导致其抗弯强度存在差异，含量为7%时最高，14%时其次，12%时最低。当铝基体中Si含量为7%的复合材料，其熔渗温度高于800℃熔渗时，界面不稳定出现粉化，在735℃～800℃之间时，无Al_4C_3相产生也不粉化；其抗弯强度随熔渗温度735℃升至850℃而逐渐提高，不因Al_4C_3相的形成而降低。利用液态铝合金自下而上无压熔渗以粒度为F240和F600配比的SiC预制件制备获得显微组织结构均匀的SiC体积分数为65%的SiC_p/AlSi7Mg8复合材料，其抗弯强度在308～384MPa之间，热导率在160～170W/m·k之间，在25℃～100℃范围内的平均热膨胀系数为5.57×10~(-6)K~(-1)，满足电子封装要求。
蔡德龙, 陈斐, 何凤梅, 贾德昌, 匡宁[3]2019年在《高温透波陶瓷材料研究进展》文中研究说明透波陶瓷材料已成为高超声速飞行器天线罩、天线窗等部件的关键候选材料。因此,如何有效提升透波陶瓷材料的耐温、透波、承载等特性是发展高超声速飞行器的关键技术之一。本文针对高超声速飞行器对透波陶瓷材料的技术要求,阐述了透波陶瓷材料的发展历史,着重对现有透波陶瓷材料体系及其透波特性测试方法和原理的研究历史和现状进行了全面回顾,并提出今后的发展方向。本文旨在为未来新一代高超声速飞行器的设计提供参考。
王崇林, 王宣, 唐泽洪, 余杰, 曾洪亮[4]2019年在《陶瓷颗粒增强镁合金研究现状及发展趋势》文中认为本文概述了常见的陶瓷颗粒及其物理特性,着重综述了陶瓷颗粒增强镁合金材料的几种典型制备工艺,理论研究进展及其应用,简单介绍了陶瓷颗粒的分类以及选择,并对陶瓷颗粒增强镁合金材料的研究方向提出了一些看法和展望,并指出该类材料的发展趋势。
参考文献：
[1]. 高体积分数铝碳化硅复合材料研究进展[J]. 崔葵馨, 常兴华, 李希鹏, 莫俳, 王旭. 材料导报. 2012
[2]. 碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备与性能研究[D]. 黄思德. 合肥工业大学. 2012
[3]. 高温透波陶瓷材料研究进展[J]. 蔡德龙, 陈斐, 何凤梅, 贾德昌, 匡宁. 现代技术陶瓷. 2019
[4]. 陶瓷颗粒增强镁合金研究现状及发展趋势[J]. 王崇林, 王宣, 唐泽洪, 余杰, 曾洪亮. 内江科技. 2019