蔡祥吉[1]2013年在《介观半导体微结构输运特性的研究：半经典理论的定量描述》文中指出自上世纪80年代中期以来，随着科学技术的迅猛发展及材料制备技术和微细加工技术的日臻完善，人们已经能够制造出接近微观特征长度具有高电子迁移率的介观半导体器件。在电子器件满足Moore定律的日益小型化下，介观体系输运现象和输运机制的研究已经成为目前凝聚态物理中发展最快的前沿课题，其不仅有着重要的基础研究意义，也为进一步开发具有新原理、新结构的固态电子、光电子器件提供了理论基础。在此基础上，研究电子输运的量子效应、弹道输运、电导涨落和库仑阻塞，并寻求突破现有固体器件的物理极限，为量子器件的制备提供了重要的思想和理论依据。介观体系将用肉眼无法直接观测和测量的微观粒子(如原子中的电子等)与长度尺寸可以应用Boltzmann输运理论的宏观物体紧密地联系起来。介观半导体器件的尺寸介于几个纳米到数百个微米之间，既表现出宏观经典特性又表现出微观量子特性。在很低的温度下，介观半导体微结构中电子的位相相干长度达到微米以上，超过了微观结构的尺度，相干的电子波函数可以扩展到整个体系，这使得观测和测量结构中的一些重要的量子行为变成了可能。这种结构中电子的物理性质完全受量子力学规律支配，因此，研究介观行为一方面需要结合统计概念和假设的新理论方法，另一方面需要处理相干量子力学的其它工具。我们知道，当器件尺寸与电子位相相干长度可比拟时，电子波动性的影响将非常明显，这时就必须考虑不同路径的干涉效应。正是基于电子的这种量子干涉效应，介观体系中的电子输运明显不同于宏观经典电子扩散，从而使得介观半导体微结构表现出不同于宏观导体的物理特性。由测不准原理可知，在这种微小尺度范围的电子不可能同时具有确定的动量和位置，故对于微小尺度的半导体器件，应建立基于Schr dinger方程的量子输运理论。行为可以归类为介观体系的例子存在于物理学中的各种领域：核散射过程、强扰动Rydberg原子、多原子分子、原子分子丛簇、“量子围栏”、微腔声波微波和光学辐射、小金属粒子或简化了维度的半导体中的电子等。而介观半导体微结构将作为理论概念的应用焦点出现在本论文中。微结构中出现的量子干涉现象引起各种新奇的现象，像无序样品中的普适电导涨落、量子化电导、介观金属环中的持续电流、弱局域化现象和A-B效应等，这些量子现象成为介观物理研究的核心内容。介观物理已经成为一门全新的结合原子、分子、团簇和凝聚态物理的交叉学科。一方面介观体系代表了一类重要的电子器件在微米和纳米物理中的迅猛发展，另一方面介观物理在概念上对理论提出了许多新的问题。最初的时候，无序金属成为介观物理研究的兴趣焦点。高电子迁移率半导体异质结的出现、二维电子气的物理原理和光学雕刻技术的进步已经能够将电子限制在可控的纳米几何结构内。这些杂质散射强烈减少的体系由于在边界处发生镜面反射而被认为是弹道的。作为实验中广泛研究的体系，比如金属和半导体、无序和弹道、正常和超导，已经使得介观物理明显地需要不同的理论方法。一方面，需要特别的设计方法来处理无序金属中的任意势场。传统上，图示微扰理论是一种非常有用的处理任意势场的方法。在过去的十几年里，有效的非微扰方法，特别是超非对称性方法引起了人们的广泛关注，并被用于处理介观物理中许多不同的问题。另一方面，在这些小型、低维电子体系的量子干涉效应已经导致了许多新奇物理现象的出现，而且，它们通常表现出相干量子力学结合统计和经典混沌的特性。量子混沌，作为一门新兴的学科，将经典力学和量子力学很好地结合起来；特别地，解决了经典混沌行为怎样反映到相应的量子体系层面上来的问题，因为这些体系若按照微观模型开始处理通常会显得十分复杂。处理量子混沌的方法与介观物理密切相关，因为介观物理中的一些方法将统计概念和量子相干性很好地结合起来。因此，介观物理已经发展成为量子混沌广泛应用的领域。此外，位相相干弹道纳米结构可以看作是研究量子体系混沌性的理想实验材料。微观半导体电子输运特性的研究日益成为介观物理中一个令人瞩目的研究领域。量子台球体系，很长时间以来作为研究经典混沌和量子混沌的原型系统：它们将简单的概念——认为自由粒子被束缚在一定范围的“盒子”里，将与复杂性相关的经典动力学特性和能谱及波函数性质结合起来。因此，量子台球作为微结构模型吸引人们的广泛兴趣而成为研究领域中的独立分支。对封闭台球系统的研究揭示了统计能级和不稳定周期轨道附近的波函数具有显着增强的特点。近年来，由于半导体微结构构造技术的发展进步，使得实验上能够制备出位相相干散射器件，对开放量子台球输运特性的研究日益也受到人们的广泛关注。研究量子台球体系的电子输运性质，一方面在于揭示已知量子结构中的新效应，研究其输运现象的物理机制和规律，另一方面也希望为基于这些量子结构的器件设计提供物理模型和理论依据。半经典近似是描述和分析介观体系弹道输运特性的重要方法。半经典理论，通过修正了的Feynman路径积分公式来处理量子力学问题，关注于粒子在台球内部与边界发生多次碰撞按照经典动力学沿经典轨迹的运动，旨在消除和量子力学之间的经典限制。此外，半经典理论方法为联系经典力学和量子力学建立起一座桥梁：半经典WKB近似等波函数中的经典路径承载着一个反映其几何稳定性的振幅以及一个包含经典作用量和反映量子相干性的位相因子。本论文共分为四个章节。第一章为绪论，简要地介绍该领域的国内外研究背景及发展现状，较为详尽地介绍介观体系的相关知识。第二章中，我们介绍研究介观半导体微结构输运特性时的一般处理方法——把半导体微结构抽象成简易的二维量子台球模型，简要地介绍二维量子台球研究的国内外现状，并较为详尽地介绍二维量子台球体系的动力学性质。第叁章中，我们介绍研究二维量子台球体系输运特性的理论计算方法。从Landuer输运理论公式出发，考虑到器件开口尺寸和电子的de Broglie波长接近，对已有的输运理论公式根据衍射效应进行修正，进而求得体系的输运几率，寻找经典和量子的对应关系，并研究二维量子台球体系在不同外场下的输运机制和所表现出来的不同于宏观器件的输运性质和输运现象，分析影响介观半导体微结构输运的各种因素。第四章是本论文的结束语，对本论文和已完成的研究进行简要的总结，并提出今后可以进一步探索的问题。
杨晓东[2]2004年在《介观体系的电子输运特性研究》文中研究指明本论文针对既具有重要应用价值，又具基础理论研究意义的介观体系的电子输运行为，以及相应体系中的磁阻效应做了较为系统和深入的理论研究。其目的一方面在于揭示已知量子结构中的新效应，研究其磁输运现象的物理机制和规律，另一方面希望为基于这些量子结构的器件设计提供物理模型和理论依据。1. 对磁场调制下二维电子气系统的弹道输运作出了较系统的研究。研究结果表明周期对磁致输运中的透射系数有着很大的影响，随着周期的增加，共振峰呈现出更加丰富的震荡特性，同时原有的震荡峰也会相应的加强。在研究二维电子气的磁致输运中的透射系数基础上，分别研究了平行结构与反平行结构的弹道电导的共振分裂峰和周期对弹道电导的影响。计算中发现，电导共振出现了劈裂，在所考虑的费米能区，相同磁垒构成的每个共振区在周期增加的情况下分裂为多个亚共振区，振荡峰加强。2. 较为系统地研究了周期磁垒调制下的二维电子气的磁阻效应。结果表明铁磁条间距的变化对磁阻有很大的影响，同时磁垒结构的对称性越高磁阻越大。随着周期的增加，磁阻率峰值始终固定在特定的费米能保持不变。从应用的角度来讲，这种磁垒结构对于制造新型选择电子注入器件十分有利。更有趣的是，随着周期的增加，奇数周期（OP）的磁阻率总是大于偶数周期（EP）的磁阻率。所有这些特征都表明，优化磁垒结构有利于进一步的提高磁阻效应。3. 研究了加入背景磁场后的磁侧边超晶格的磁阻效应。结果表明，随着背景磁场的增加，对于特定的费米能，磁阻率线性减小，这一特征非常有希望用于低磁场传感器。这也是与以前研究结果完全不同的一种新的实现线性磁阻效应的有效途径。
邓宇翔[3]2005年在《多量子点体系的介观效应》文中提出随着半导体器件发展的微型化,凝聚态物理这一门新学科-介观物理形成并迅速发展起来,并成为凝聚态物理研究的一个热点。而介观器件的研究更是灸手可热,越来越受到世界各国的重视。低维介观体系中,能带人工可剪裁性、量子尺寸效应和电子液的量子相干属性产生了许多新现象和新效应,并因此受到人们的广泛关注。作为展现低维介观体系量子效应的典型代表,量子点系统成为最近几年来的研究热点。本论文利用格林函数理论对量子点系统的相干输运性质进行了较系统的研究。 本文共分六章。第一章为绪论,简要的回顾了低维介观体系中典型的介观结构及其制备和一些典型的介观现象。第二章主要介绍了本文所采用的理论工具-非平衡格林函数理论。 在第叁章中,我们利用格林函数方法研究了非对称的双量子点分子的谱性质和电子输运性质。双量子点分子结构由Anderson模型描述,而格林函数则由运动方程方法导出。研究结果表明:在反共振态,由于结构对称破缺,会产生残余电导;当量子点间耦合强度足够大时,耦合双量子点系统过度到“大量子点”。 在第四章,基于发展了的非平衡格林函数方法,我们精确推导了无库仑相互作用的一维多量子点阵列的隧穿电流的一般表达式。在此基础上,讨论了共振隧穿谱的线型和共振隧穿峰数目与量子点阵列参数(量子点能级、相邻量子点的耦合系数和量子点与左右两结的耦合系数)的依赖关系。 在第五章中,我们提出了量子点环的模型,并利用非平衡格林函数方法研究了其量子相干输运的相位特性。讨论了量子点环结构与一维量子点阵列隧穿谱的不同,研究了量子点环隧穿谱中共振峰随磁场发生振荡的现象。 第六章对本论文工作进行了总结,并对以后可深入研究的工作提出了一些设想。
于慧[4]2007年在《介观系统中的自旋极化输运》文中研究指明本论文针对既具有重要应用价值，又具有基础理论研究意义的介观系统中的自旋极化输运现象做了较为系统和深入的理论研究。其目的一方面在于揭示介观系统中新效应的物理机制和规律，另一方面为设计和实现具有优良性能的量子器件提供物理模型和理论依据。在简要地回顾了低维介观体系物理研究中的一些重要实验和理论进展，并较详细地介绍了本文所采用的理论工具——非平衡格林函数方法之后，我们针对几个有趣的问题进行了研究。首先我们从理论上提出了一种新型的能够产生自旋极化电流的设计，该装置构建在由随时间振荡的自旋相关的隧穿所伴随的开放耦合双量子点上。我们计算出了流过该装置的自旋极化电流的精确表达式。数值分析的结果表明，流经该装置的电荷流和自旋流可以由门电压、驱动场的频率以及外磁场控制；此外，通过该装置的自旋极化电流能够产生非常有趣的反共振行为。通过对限制在孤立的耦合双量子点中电子的动力学行为的详细分析，我们对此反共振行为做出了定性地解释并指出了其在自旋电子器件方面的可能应用。然后我们研究了与局域声子模耦合的单分子和量子点的输运特性，重点关注声子效应对自旋流及其噪声谱的影响。自旋流由施加在量子点中的旋转磁场产生。结果表明电声子相互作用可以导致伴峰的出现，它们钉扎在能量等于声子频率整数倍的位置，峰的高度对电声子相互作用的强度非常敏感；此外，声子模对自旋流的零频噪声谱也有显着的影响。最后，基于TMR体系下的无限U Anderson模型，我们讨论了在强电子关联和电声子耦合的共同作用下与金属铁磁电极相连的单分子或量子点中的量子输运特性。通过延拓的运动方程方法我们首先计算了谱密度和非线性微分电导。我们发现电声子相互作用在铁磁—量子点—铁磁强关联系统的自旋极化输运中扮演非常重要的角色。在铁磁电极处于反平行磁化位形时，其输运特性与其它的理论分析结果相类似。而在平行位形，则呈现出了非常不同的输运行为。由于铁磁电极磁特性的影响，Kondo共振峰和声子伴峰在平行位形下均劈裂为不对称的两个低密度的小峰。相应地其微分电导出现了一系列对称的伴峰极大，当电声子耦合较强时，这些伴峰的幅度甚至可以和Kondo共振峰相比。增加电声子的耦合强度导致了非线性微分电导的整体减小。此外，我们发现隧穿磁阻TMR在电声子相互作用的影响下出现了额外的极大值和极小值，在极化强度和偏压较小时其TMR值随偏压在正负值间交替变化；而在非线性区域，由于声子效应，正的TMR值随着极化强度的增加而显着增大。这些奇特的行为导致了非常不同的TMR线形，同时也暗示了隧穿磁阻TMR是探索Kondo共振不同特征行为的一个更为有效的工具。
王瑞[5]2007年在《简单介观体系中的量子输运》文中研究指明与自旋相关的量子输运研究是当前自旋电子学领域的一个热点课题。本文在简单地回顾了介观物理学中一些重要的物理现象，如弱局域化，AB振荡，普适电导涨落等之后，对电子在几个具体模型中的自旋极化输运作了研究。首先，通过在一维量子点直链中不相邻的格点上加入不同的静磁场，利用传输矩阵和格林函数方法，我们在出射端得到了自旋流。计算表明，自旋流的极化方向受到外加磁场大小和方向的控制，我们可以在不同的能量范围内得到不同极化方向的自旋流。其次，在上面的基础上更进一步，我们研究了“T”型模型对电子自旋输运的分流特性。当选择模型的一端作为输入端而其他两端作为输出端时，在同一能量范围内，我们在两个出射端得到的自旋流的极化方向可以是相反的，这非常类似于光学中的分光计，即，这样的一个“T”型模型能作为电子的自旋分离器。接下来，我们研究了AB效应和AB环对电子自旋输运的影响。结果表明，AB环和AB效应可以很好地调节和控制自旋流的产生和输运，其可以视为是自旋输运体系的外部开关，在实验上更有利于实际操作和实现。最后，对含有自旋轨道耦合相互作用的半导体系统，我们研究了电子在隧穿该类势垒时的透射率和极化率情况。计算表明，电子对间接势垒的隧穿将导致透射率曲线中Fano线形的出现，且能在更宽的能量窗口内得到较大的自旋极化率，这有助于提高自旋输运和自旋注入的效率。这种输运特性也为设计一种可控制电子自旋的装置提供了理论基础。
张丽[6]2008年在《纳米结构体系中电子输运及接点问题的研究》文中认为随着科学技术的发展,越来越多的纳米量子器件已经开发出来,体系的输运性质决定了器件的特性,因而对输运性质的研究有着重要的理论意义和潜在的应用价值。在纳米结构输运体系中,总存在着宏观引线与纳米体系间的接点,该区域里的电子会受到强烈的散射,存在电荷积累的现象,而该区域的电荷分布及其运动将会影响整个体系的电势分布及电子运动情况,因此将对动态电子输运性质产生重要影响。为研究接点对输运的影响,本文先分别在直流外场和交流外场下研究了纳米结构体系的电导、透射率、以及内部电势和电荷密度分布等输运特性。我们通过理论推导和数值计算相结合的方法得到这些特性,研究其物理特性变化与接点的内在联系,揭示接点对整个系统物理特性的影响。首先研究直流外场下纳米结构体系的输运性质。以一纳米单势垒“二维-一维-二维”(2D-1D-2D)模型为研究,利用散射矩阵方法得到单势垒二端介观体系在直流外场下的透射率和内部电势分布等输运特性。结果表明:接点对其透射率和内部电势分布都有显着的影响;相干器件相连接时,器件与器件、接点与器件之间由于量子相干性而相互影响,不再象传统器件那样可以有相互独立的器件特性。接着研究交流外场下纳米结构体系的输运性质。对纳米量子线结构在交流外场下的动态电导已有许多研究,但在以前研究中计算交流电导公式大多采用低频极限近似,适用于外部交流电场频率很小的情况,或者是利用唯象的电容参数给出与频率有关的电导,因此有必要得到能解决频率较大时计算交流电导的方法。基于这个问题,我们拟采用散射理论加上电荷守恒及电势平移不变性给出交流电导公式。结果表明:接点的出现使体系的电导特性出现了很大的变化,从而体现出接点问题在整个介观体系相干电子输运中的重要性。因此接点问题对介观体系具有进一步的研究价值。最后利用自洽方程初步探讨了一包含单势垒结构的一维纳米体系的内部电势分布。通过与运用托马斯-费米近似的研究结果对比从而确定其方程对此体系的适用性,进而可利用自洽方程进一步探讨纳米体系的其它动态输运特性。
胡兢, 骆钧炎[7]2016年在《介观二能级体系的量子输运特性研究》文中进行了进一步梳理利用电子数分辨的量子主方程,推导了介观输运体系中的电流和散粒噪声计算方法,研究了二能级体系的量子输运特性。在非对称隧穿耦合强度下,电流输运出现了快慢通道的输运机制,导致了动态库伦阻塞,以及新颖的负微分电导现象和超泊松散粒噪声。这些研究结果对量子器件的实现、优化和控制具有一定的实际意义。
刘甲[8]2012年在《多端二维系统的输运特性研究》文中认为近年来,有关介观体系输运方面的研究工作大都是以半导体异质结为研究对象,考虑自旋轨道耦合,研究系统的自旋霍尔效应,或进行自旋流的测量等等。本文主要在二维电子气系统中考虑Rashba与Dressehaus自旋轨道耦合作用,研究其对Nernst效应和自旋Nernst效应等热电效应的影响。论文内容如下：第一章首先简单介绍介观体系及其热电特性,如Nernst效应等,然后从自由电子的Dirac方程出发推导Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合作用,最后介绍研究介观输运的Landauer-Buttiker公式。第二章介绍本文所采用的数值计算方法——有限差分法和表面格林函数法。作为例子用有限差分法具体求解了一维谐振子的本征值与本征方程；从格林函数的定义出发详细推导出表面格林函数,并用其求得理想石墨烯纳米带的电导以及能带结构。在第叁章,我们同时考虑Rashba与Dressehaus自旋轨道耦合作用,研究四端二维电子气系统的热电效应——Nernst效应和自旋Nernst效应,数值计算并分析发现：(1)当散射区和电极都存在自旋轨道耦合且两种自旋轨道耦合强度一样时,Nernst系数的峰不发生劈裂,当耦合强度不一样时,Nernst系数的峰劈裂,且劈裂的程度与自旋轨道耦合强度差值有关,当这两种自旋轨道耦合强度大小互换时,曲线完全一样,不影响峰的位置,得出Rashba与Dressehaus自旋轨道耦合对Nernst效应的影响处于同等的地位；(2)当只有散射区存在自旋轨道耦合且两种自旋轨道耦合强度一样时,由于电极与中间区域存在的分界面引起了电子的散射,从而在Nernst系数共振峰旁边出现了一个子峰,说明Nernst效应可以反映与中间区域相连导线的电子态密度。当自旋轨道耦合Rashba与Dressehaus强度不相等时,出现自旋Nernst效应,随着磁场倒数1/B的增加,自旋Nernst系数振荡的幅度也在变大,在较大自旋轨道耦合或者较小的磁场下,自旋Nernst效应越强,分析认为这是由于磁场的作用使得沿相同的方向运动的电子向相同的方向偏转,而自旋轨道耦合的作用是使不同自旋的电子向相反的方向偏转从而导致自旋Nernst效应,磁场和自旋轨道耦合对不同自旋电子的输运影响不同,存在竞争关系；(3)在该章的最后,我们还讨论分析了Nernst系数在温度无限接近零温时的特性,发现在低温极限下,Nernst系数与温度T成线性关系。
黄丽[9]2002年在《低维介观体系物理特性的格林函数方法研究》文中提出随着材料科学技术和超微细加工技术的发展，所制备的半导体微结构已可达到介观尺度。在低维介观体系中，能带人工可剪裁性、量子尺寸效应和电子液的量子相干属性产生了许多新现象和新效应，并因此而受到人们的广泛关注。作为展现低维介观体系量子效应的典型代表，量子点和介观Aharonov-Bohm(AB)环结构已成为近年来的研究热点。本论文利用格林函数理论对介观环量子点系统的谱性质和量子输运性质进行了较系统的研究。本文共分六章。第一章为绪论，简要的回顾了低维介观体系物理研究的一些重要实验和理论进展，并详细介绍了本文所采用的理论工具—格林函数理论。在第二章中，我们利用因果格林函数方法研究了嵌入在介观环一臂中处于库仑阻塞区的量子点的谱性质。介观环量子点结构由包含点内电子相互作用的类Anderson模型描述，而因果格林函数则用运动方程方法导出。研究结果表明，量子点的平均电子占据数呈现梯级特征，且在梯级上随磁场呈现周期振荡；量子点的局域态密度明显依赖于点内的电子占据数。在第叁章，采用非平衡格林函数方法，我们研究了双分裂栅式介观环量子点结构的电子输运。计算了电子隧穿量子点几率的传输幅度和相位。所得的电子隧穿量子点的相位变化与实验观测相符。同时考虑量子点的共振隧穿和干涉效应，我们还计算了整个装置的微分电导。数值结果显示，微分电导的振荡随着电压的变化存在连续的相移，且关于磁场在线性响应和非线性响应下都是不对称的。在第四章中，我们提出了叁种介观环量子点干涉装置的模型，并利用非平衡格林函数方法研究了其量子相干输运的相位特性。与已有研究装置模型不同的是，我们将量子点置于介观环的中央，
朱志峰[10]2009年在《XC_6H_4X分子输运性质的第一性原理研究》文中研究表明密度泛函理论(DFT)给多电子体系电子结构的理论研究提供了一种有效的方法,它在物理和化学等领域都有广泛的应用,特别是成功用于研究分子和团簇的性质,20世纪90年代,交换关联能的引入使密度泛函理论的计算结果更加趋近于实验结果,密度泛函理论是目前多种领域中较成功的电子结构计算方法。随着计算机性能的快速提高,由于密度泛函理论计算量适中、计算精度较高,目前已开发出ATK、ADF等多种DFT计算软件。团簇由于尺寸在原子和宏观体系之间,属于微纳尺度或介观物理范畴,其性质具有多样性和奇异性,因此成为研究的重点和热点。本论文研究的对象是一种新的XC_6H_4X分子,由苯分子中两个对称的H原子分别被S、Se、Te叁种原子替换形成。我们用ATK和VNL软件对XC_6H_4X分子进行了模拟和结构优化。之后,将XC_6H_4X分子置于一对Co(001)电极之间,形成两电极系统Co-XC_6H_4X-Co,结合分子电子学,用密度泛函理论和非平衡态格林函数相结合的第一性原理计算方法,对该系统的输运性质进行了详细研究。论文的工作主要包括以下几方面:用拟牛顿法对XC_6H_4X分子进行了结构优化计算,根据能量最低时的分子结构,得到了稳定状态X原子和C原子的成键距离,并且,新的XC_6H_4X分子结构发生了不同程度的变化。在考察XC_6H_4X分子的X原子连接到Co电极(001)面的位置中,分别对空位、桥位和顶位进行了计算,发现在Co电极(001)面的空位处连接能量最低,结构最稳定。同时比较了空位处连接能量的局域密度近似和广义梯度近似之间计算结果的差别。还计算了电极自旋极化情况下空位处X原子的连接情况,发现自旋极化引起了成键距离的增大。计算了非极化情况下两电极系统Co-XC_6H_4X-Co的态密度和透射系数,根据计算结果,Co-SC_6H_4S-Co、Co-SeC_6H_4Se-Co和Co-TeC_6H_4Te-Co的态密度有微小变化,这说明不同的X原子及其成键距离引起了成键能级的变化;对透射系数的研究表明,两电极系统Co-XC_6H_4X-Co存在不同程度的谐振隧穿现象,其中Co-SC_6H_4S-Co的电子透射性最强。
参考文献：
[1]. 介观半导体微结构输运特性的研究：半经典理论的定量描述[D]. 蔡祥吉. 山东师范大学. 2013
[2]. 介观体系的电子输运特性研究[D]. 杨晓东. 北京工业大学. 2004
[3]. 多量子点体系的介观效应[D]. 邓宇翔. 湘潭大学. 2005
[4]. 介观系统中的自旋极化输运[D]. 于慧. 山西大学. 2007
[5]. 简单介观体系中的量子输运[D]. 王瑞. 山西大学. 2007
[6]. 纳米结构体系中电子输运及接点问题的研究[D]. 张丽. 湖南大学. 2008
[7]. 介观二能级体系的量子输运特性研究[J]. 胡兢, 骆钧炎. 浙江科技学院学报. 2016
[8]. 多端二维系统的输运特性研究[D]. 刘甲. 山西大学. 2012
[9]. 低维介观体系物理特性的格林函数方法研究[D]. 黄丽. 湘潭大学. 2002
[10]. XC_6H_4X分子输运性质的第一性原理研究[D]. 朱志峰. 合肥工业大学. 2009
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