陆兴中[1]2004年在《颗粒复合材料中光学双稳的温度和界面效应》文中进行了进一步梳理本文主要研究了宏观非均匀颗粒复合介质中光学双稳的温度和界面效应。1.研究了金属-电介质颗粒复合体线性和弱非线性的温度效应。考虑等离子频率、共振频率与温度关系,分析了其他物理量与温度有关的关系,并着重讨论了在不同入射频率时有效介电常数随温度变化的情况,进而以两模型为例分别研究了折射系数、消光系数等随温度的变化。结果表明温度增加时等离子共振频率发生红移,金属颗粒的介电常数实部和虚部数值分别减小和增加;复合体系的有效叁阶非线性极化率随温度的增加而减小,当入射频率接近金属颗粒的表面等离子频率时温度效应较为明显;不同的微结构模型预测的消光系数和折射系数随温度的变化不同。2.在谱表示和自洽平均场近似基础上,用Maxwell-Garnett 模型研究了在稀释极限下的金属-电介质颗粒复合体在强场作用下的双稳结构的温度效应。数值结果表明,颗粒复合体的双稳受到温度影响,温度升高会导致体系的非线性响应降低,使得双稳的宽度减小,甚至消失;在表面共振频率附近,非线性得到增强,使得阈值降低;在双稳区域内折射系数和消光系数对应两个数值,且随温度升高分别增加和降低。据此,我们可以根据需要通过调节外场的相关物理量和环境温度来调制双稳结构。3.采用了Bruggeman 模型研究了二组分无规分布颗粒复合体双稳的温度效应。结果表明,颗粒复合体的双稳不仅与入射频率有关,还与金属颗粒的浓度有关,提高颗粒浓度,可以降低出现双稳所需的外场强度;但由于颗粒间的耦合作用,存在临界的体积分数,该值与入射频率有关,频率越大,临界值越小。在体积分数临界值内,双稳的阈值宽度均随温度升高而减小,因此可以通过调节温度来调节双稳阈值。当体积分数很小时,Bruggeman 模型和Maxwell-Garnett 模型的双稳特征总体相似,略有差异,说明体系的物理性质依赖于微几何结构;在高体积分数下,双稳对应的外场强度降低,双稳阈值宽度降低。另外,由于考虑了温度对等离子频率的影响,光学双稳的上阈值随温度而降低。4.考虑到弥散颗粒与基质间存在着界面层,研究了二维叁组分非线性复合体系的有效非线性响应和光学双稳现象。通过Laplace 方程找出外场作用下圆柱壳的响应电场,从而求出复合体系的有效非线性极化率以及在强场下的双稳特征,着重分析了
曲斌[2]2017年在《MoX_2(X=S,Se)复合纳米材料的光学非线性研究》文中研究表明MoS_2和MoSe_2的禁带宽度较窄(MoS_2,1.2~1.9 eV;MoSe_2,1.1~1.5 eV),且具有可调谐的激子光电效应,使它们在光致发光、光电晶体管、太阳能电池和光学非线性等方面具有潜在的应用价值。然而,纯的MoS_2和MoSe_2的光生电子空穴复合率较高,限制了它们在某些光学领域中的应用。通过设计MoS_2或MoSe_2的复合纳米材料,可以降低材料的光生电子空穴复合率,从而可以扩展其应用领域。本论文通过简单的方法制备了MoS_2和MoSe_2复合纳米材料,将二维层状的MoS_2和MoSe_2纳米片与纳米颗粒或纳米棒复合,利用ZnO、Fe_2O_3、CdS、碳纳米管(CNT)等材料的表面效应、小尺寸效应和界面效应,提高了MoS_2和MoSe_2复合纳米材料的光学非线性和光限幅性能。本论文的主要研究内容如下:1.基于MoS_2具有可见光波段较强的线性光吸收率和高效的光电转换特性,以及ZnO的宽带隙(3.37 eV)和激子结合能高(60 meV)的特性,本论文设计通过液相法首次将Zn O颗粒生长在MoS_2纳米片的表面,合成了MoS_2/ZnO复合纳米材料。将MoS_2/ZnO复合纳米材料分散到甲基丙烯酸甲酯中,制作成聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)有机玻璃,并利用改进的Z-扫描技术首次对MoS_2/ZnO/PMMA有机玻璃的非线性吸收(NLA)、非线性散射(NLS)和光限幅(OL)特性进行了研究。实验结果表明,MoS_2/ZnO/PMMA有机玻璃表现出比MoS_2/PMMA有机玻璃更好的光学非线性性能,具有更高的光损伤阈值,以及较好的机械强度和柔韧性。2.基于Fe_2O_3具有较大的折射率和较高的叁阶光学非线性特性并且其带隙接近MoS_2,因此本论文设计通过液相法首次成功的将纳米化Fe_2O_3超小颗粒生长在MoS_2纳米片的表面,合成了MoS_2/Fe_2O_3复合纳米材料。将MoS_2/Fe_2O_3复合纳米材料制作成MoS_2/Fe_2O_3/PMMA有机玻璃,并首次研究了MoS_2/Fe_2O_3/PMMA有机玻璃的光学非线性吸收特性和光限幅特性。实验结果表明,MoS_2/Fe_2O_3/PMMA有机玻璃表现为反饱和(RSA)吸收;同时,通过调整增加入射光能量得到反饱和吸收的波谷加深。相比于Fe_2O_3/PMMA有机玻璃,MoS_2/Fe_2O_3/PMMA有机玻璃具有增强的光学非线性性质和更高的光限幅性能。3.基于金属硫化物MoS_2和CdS都具有较好的光学非线性特性,设计通过溶剂热法将两种金属硫化物复合。本论文首次将超小的CdS纳米棒生长在MoS_2纳米片的表面,合成了MoS_2/CdS复合纳米材料。首次将MoS_2/CdS复合纳米材料制作成MoS_2/CdS/PMMA有机玻璃,研究了MoS_2/Cd S/PMMA有机玻璃的非线性吸收性能。实验结果表明,MoS_2/CdS/PMMA有机玻璃表现为从饱和吸收(SA)到反饱和吸收的转变,以及通过适当增加入射光能量得到反饱和吸收的波谷加深。与CdS/PMMA有机玻璃相比,MoS_2/CdS/PMMA有机玻璃具有增强的光学非线性性质。4.基于MoSe_2比硫化钼具有更窄的带隙和更低的光吸收系数,以及碳纳米管优良的光学非线性性能,设计通过溶剂热的方法将MoSe_2纳米片生长在CNT表面,合成了CNT/MoSe_2复合纳米材料。本论文首次将CNT/MoSe_2复合纳米材料制作成CNT/MoSe_2/PMMA有机玻璃,研究了CNT/MoSe_2/PMMA有机玻璃的非线性吸收和光限幅性能。实验结果表明,CNT/MoSe_2/PMMA有机玻璃表现出了比MoSe_2/PMMA和CNT/PMMA有机玻璃更好的反饱和吸收的特性和更高的光限幅性能。5.基于MoS_2、MoSe_2和CNT的复合纳米材料都具有较好的光学非线性特性,设计通过溶剂热的方法首次将S和Se掺杂的MoSSe纳米片生长在CNT表面,合成了CNT/MoSSe复合纳米材料。并首次将CNT/MoSSe复合纳米材料其制作成CNT/MoSSe/PMMA有机玻璃,研究了CNT/MoSSe/PMMA有机玻璃的非线性吸收和光限幅性能。实验结果表明,CNT/MoSSe/PMMA有机玻璃表现出了比MoSSe/PMMA和CNT/MoSe_2/PMMA有机玻璃更好的反饱和吸收特性和更高的光限幅特性。
黄妍[3]2006年在《PbS纳米材料光学非线性研究》文中认为本论文系统总结了近年来国内外关于半导体纳米材料的光学非线性特性及光限幅效应的研究成果、研究方法及相应的理论分析方法。详细介绍了单光束激光Z扫描技术以及相关的理论分析。根据有效介质理论推导出不同形状纳米材料的叁阶有效非线性极化率X~((3))_(eff)，并用Origin软件进行仿真对比分析形状对半导体纳米材料叁阶光学非线性及光限幅特性的影响。 利用单光束激光Z扫描技术研究了不同形状PbS纳米材料的DMF悬浮液的光学非线性特性，发现叁种被测样品在纳秒激光入射的情况下，具有很强的非线性吸收，显示出自聚焦特性，得出不同形状PbS纳米材料的叁阶非线性折射率、非线性吸收系数及叁阶非线性极化率。在皮秒激光入射的情况下，表现出的弱的非线性起因于溶剂效应。 研究了不同形状的PbS纳米材料DMF悬浮液的光限幅特性，发现在波长为532nm、脉冲宽度为8ns、重复频率为1Hz的激光脉冲作用下，叁种PbS纳米材料均表现出光限幅特性；而在皮秒激光脉冲作用下，叁种样品的光限幅能力很弱。
徐建龙[4]2015年在《铁酸铋异质结阻变特性与机制研究》文中研究表明多铁性铁酸铋(BiFeO3,简称BFO)材料是目前唯一在室温同时具有铁电和铁磁性的多铁性材料,具有优异的铁电和磁电耦合特性,在新型非挥发性存储器件、多功能传感器件、自旋电子器件、光伏器件等领域具有广阔的应用前景。铁酸铋基阻变存储器件结合了铁电存储器和阻变存储器的优点,通过铁电极化的反转调控界面势垒和载流子输运特性,以此来实现高低阻态切换,而非缺陷调控阻变行为,显示出独特的优势。本论文围绕铁酸铋基阻变结构,构筑了铁酸铋/金属和铁酸铋/半导体两种异质结阻变结构,对铁酸铋薄膜和器件制备技术及阻变电学行为进行了研究,深入探讨了异质结构的阻变机制、物理模型及主要调控因素。论文首先采用溶胶-凝胶法和脉冲激光沉积法在单晶硅和钛酸锶衬底上成功制备出具有良好铁电性的高质量铁酸铋薄膜,通过引入氧化物缓冲层、化学掺杂、以及控制氧压与沉积温度等减少薄膜缺陷与漏电路径,获得了致密、均匀、铁电性能好、漏电流密度低的铁酸铋薄膜。同时,对铁酸铋进行双金属离子掺杂,获得了具有一定铁磁性的铁酸铋材料;并采用无磁性镁元素掺杂制备铁酸铋纳米结构提升其磁性,获得了铁磁性与顺磁性共存的铁酸铋纳米结构。设计并制备了Au/BFO/SRO异质结阻变结构,在无需电成型操作下,获得了具有自限流特性且可靠性高的双极性阻变行为。设计并实现了对铁酸铋电阻状态的有效调控,通过设置不同的扫描电压、外加限流、扫描模式等方法获得多个有效的存储状态,证明其具有多值存储能力。从电极材料、铁电极化、材料缺陷等分析了铁酸铋材料的阻变机制,结合其电学行为及对温度与测试氛围依赖性的结果,证明铁电极化调控界面势垒及载流子输运特性的阻变机制,并揭示了铁电极化反转与氧空位的迁移在铁酸铋阻变行为中的竞争机制,获得了影响铁酸铋阻变特性的关键因素。此外,根据此阻变模型,对自限流特性及多值行为进行了解释。设计并制备了BFO/ZnO异质结阻变结构,获得了双稳高低阻态切换特性及二极管整流效应。研究了薄膜厚度及铁电材料的化学掺杂对异质结阻变效应的影响,建立并完善了BFO/ZnO异质结阻变物理模型,通过极化效应调控界面载流子耗尽或积累态,并将铁电极化引入异质结能带结构中,推导出铁酸铋与氧化锌的界面势垒,获得了铁电极化调控异质结阻变特性的方法及关键影响因素。
张旭光[5]2016年在《纳米材料/聚合物复合电双稳存储器件的机制研究》文中研究说明基于纳米材料与有机聚合物复合的电双稳存储器件由于快速响应、非破坏性读取、高存储密度和易于制备等特点备受关注。已有研究结果显示纳米材料中与表面缺陷以及量子尺寸相关的电子能级结构对器件载流子的传输过程、器件的存储机制具有重要的影响,本学位论文将两种纳米材料(四元Zn-Cu-In-S纳米晶(ZCIS NCs)和碳量子点(CDs))分别应用于电双稳器件中,在纳米材料的表面官能团、内部缺陷和能级结构表征分析的基础上,设计了纳米材料/有机聚合物的电双稳器件并表征了器件的性能,分析了电场作用下器件中载流子的运动过程和器件的存储机制。1将四元ZCIS NCs嵌入聚合物PMMA作为活性层制备了Al/ZCIS NCs embedded in the PMMA layer/ITO的一次写入多次读取电双稳器件。利用J-V曲线拟合和器件能级结构图分析认为器件由高阻态向低阻态转变的过程中,载流子传导分别满足热电子发射、缺陷主导的空间电荷限制电流以及FN隧穿机制。当器件处于低阻态,载流子传输以欧姆传导为主。四元ZCIS NCs中的大量缺陷可作为陷阱中心,俘获由电极注入的电子;而PMMA和ZCIS NCs之间高能级势垒可阻止反向电场下被俘获电子的释放,二者共同作用使器件表现出一次写入多次读取的特性,器件开关比可达到4×103,双稳态保持时间长达1×104 s。额外PMMA层预涂覆在ITO基底之后,发现有效改善了ITO与功能层的面接触电阻,降低了器件的“写入”电压和增大了低阻态电流,器件开关比增加了近50倍;PMMA嵌入层也使得电子释放的势垒厚度增加,加大了被俘获电子释放的难度,从而提高了器件的稳定性。2将采用高温热分解法制备得到的CDs夹层于两层聚合物PVP之间,制备了结构为Al/PVP/CDs/PVP/ITO/Glass的电双稳器件。C-V曲线显示了器件具有金属-绝缘体-半导体(MIS)的滞后行为。将具有良好电子传输性能的ZnO纳米晶层嵌入器件中制备了结构为Al/ZnO/PVP/CDs/PVP/ITO/Glass以及Au/PVP/CDs/PVP/ZnO/Al/Glass器件。I-V和C-V曲线对比分析认为,嵌入的ZnO纳米晶提高了电极注入电子的效率,有效中和了器件Al/ZnO/PVP/CDs/PVP/ITO/Glass中被CDs层俘获的空穴。在Au/PVP/CDs/PVP/ZnO/Al/Glass器件中,由于ZnO纳米晶层在Al上的浸润性较ITO好,电子注入效率可进一步得到提高,进而提高了器件的开关比和存储窗口。3以旋涂成膜的方法制备了结构为Al/PMMA/CDs/PEDOT:PSS/ITO电双稳器件,与未加入CDs层的器件相比具有明显的滞后行为,发现短路电流和开路电压随扫描电压增加而增加,当最大施加电压达到±15 V时,二值均达到饱和。借助分子极化理论认为PEDOT:PSS和PMMA内的电偶极子在电场作用下发生极化,形成与原电场反向的附加极化场,且随外加电场的增大极化效果增强,引发了I-V曲线特殊滞后行为。
吕蓬[6]2007年在《纳米Si-SiN_X复合薄膜发光与非线性光学性质的研究》文中认为半导体硅基材料是电子技术、信息技术领域最为重要的基础材料之一。近年来,研究和开发以硅为基质材料的光子器件乃至实现光电集成(OEIC)已成为半导体光电子学领域需攻克的重大课题。在众多的硅基材料中,氮化硅作为一种典型的硅基材料,已作为钝化层和电绝缘层广泛应用在硅器件和集成电路方面。因此,硅基低维材料与氮化硅薄膜组成的复合材料的制备及其光电性能的研究是硅基光电子领域中热门课题的重要组成部分。本文采用射频磁控反应溅射法结合热退火技术制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜(nc-Si/SiNX),并对薄膜进行X射线能谱(EDS)、红外吸收光谱(IR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及紫外—可见吸收光谱(UV-VIS)的测定,对薄膜进行了组分、键合状态、结构及光学带隙的表征。研究发现制备的相关工艺条件对薄膜的组分结构等特点产生重要影响。本论文研究测定了薄膜的光致发光特性。室温条件下,分别用265nm和510nm波长的光激发,得到在350～900nm范围内众多发光带,分别归结为氮化硅中缺陷和纳米硅颗粒的发光。归纳起来,其发光机制以能隙态模型和量子限制效应为主。采用皮秒激光运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究。分别在中心波长1064nm和532nm的皮秒脉冲激光投射下,该复合薄膜的非线性光折射和光吸收都表现出较明显的特征,测得薄膜叁阶非线性极化率的绝对值都是10-9esu量级,并将薄膜这种叁阶光学非线性增强的原因归因于量子限域效应。首次报道了用沉积在硅衬底的纳米硅镶嵌氮化硅(nc-Si/SiNX)薄膜样品作为可饱和吸收体,在凹—平腔中实现了氙灯抽运Nd:YAG激光器的被动调Q运转,在抽运重复频率1Hz情况下获得脉宽最小可达19ns的调Q单脉冲输出。并且研究了该薄膜结构特性、激光器参数,如:抽运电压、腔长对调Q脉冲输出性能产生的影响。在此基础上,对实验现象产生的原因做了分析讨论。
张小强[7]2012年在《静电纺丝法制备一维纳米复合材料》文中研究指明一维纳米复合材料由于其特殊结构而具有与体材料相异的光电、物理、化学性能，在传感器、生物支架材料、光催化剂及载体材料、储氢材料等领域有着极大的基础研究价值和潜在的应用价值。近年来采用静电纺丝法结合溶胶凝胶技术制备了许多种一维纳米复合材料，与其它传统的合成方法相比，静电纺丝法被公认为一种合成一维纳米复合材料简单可行有效的方法。本文采用静电纺丝法结合溶胶凝胶技术制备了叁类一维纳米复合材料，具体归纳如下：1、静电纺丝参数的研究。以铈锆固溶体前驱体纺丝液为研究对象，详细研究了纺丝过程中的几个重要参数（聚乙烯吡咯烷酮（PVP）浓度、粘度、电压、工作距离、挤出速率）对纤维形貌和直径分布的影响，实验结果表明：当PVP的质量百分比为12-14wt%，相对应的纺丝液的粘度为600-1100cp，可以形成连续的表面光滑的一维纳米线。电压固定在16-18kV，接收距离固定在10cm，挤出速率固定在0.6mL/h时，电纺可以连续的稳定的进行。2、采用静电纺丝法制备一维铈锆固溶体纳米线。以上述实验得出的结论为基础，通过改变硝酸铈和硝酸锆的摩尔比，制备了一系列铈锆固溶体纳米线，并研究了煅烧温度对纤维形貌的影响。结果表明：前驱体纳米线的平均直径在130nm左右。在800℃温度下煅烧可以得到纤维表观形貌良好、结晶性能较好的连续的一维铈锆固溶体纳米线。温度太高则纤维形貌基本被破坏，但是当有基底存在的情况下，在较高的煅烧温度下（900℃）仍能保持连续性很好的一维铈锆固溶体纳米线。3、采用同轴静电纺丝法制备ZnO/CeO_2纳米管。将一定量的PVP和冰乙酸加入到一定量的N，N二甲基甲酰胺中，在室温下磁力搅拌至澄清透明，此为内层溶液。在内层溶液内加入一定量的硝酸铈和乙酸锌搅拌至澄清透明，此为外层溶液。然后将内、外层溶液分别移入注射器中进行同轴电纺，得到PVP@PVP/Ce(NO_3)_3/Zn(Ac)_2核壳结构前驱体纳米线，在500℃保温2h后制得ZnO/CeO_2纳米管。分析测试结果显示：核壳结构前驱体纳米线经过高温煅烧之后，纤维的表观形貌由光滑变得粗糙，纤维的平均直径下降将近50%，纤维由平均粒径为10-15nm的颗粒的纤锌矿型ZnO和萤石型CeO_2两种纳米粒子组成，对罗丹明B的光催化降解实验显示，在90分钟之内该纳米管对罗丹明B的降解达到90%，相较于单组分ZnO和CeO_2来说，显示出了更加优越的光催化性能。4、采用静电纺丝法制备TiO_2/ZnTiO_3及载银复合纳米纤维。以PVP为有机物模板，以钛酸丁酯、乙酸锌为前驱体，采用静电纺丝技术制备了PVP/Ti(OC_4H_9)_4/Zn(Ac)_2前驱体纳米线，经过高温煅烧之后制得了TiO_2/ZnTiO_3一维复合纳米线，在此基础上，采用乙醇还原的方法，制备了TiO_2/ZnTiO_3@Ag复合纳米线。表征测试结果显示：前驱体纳米线经过700℃煅烧之后，形貌保持良好，煅烧之后纳米线由金红石型TiO_2和钛铁矿型ZnTiO_3两种颗粒组成。采用393nm波长的光激发，研究了不同煅烧温度下的纳米线的荧光性能，由于煅烧温度的升高，颗粒结晶性能有所增加，荧光强度略有增强。对载银纳米线的的形貌和晶形结构也进行了初步的表征。
简晓慧[8]2013年在《几种有机分子包埋纳米粒子薄膜的制备及电学特性研究》文中指出近年来,有机存储器件以其机械柔性好、质量小,成本低、可大面积制作等优点而得到广泛研究,在众多存储器件中有机双稳态器件成为了替代传统半导体存储器的潜在选择研究表明纯有机薄膜的开关比小、保持时间短、稳定性差,无法满足实际应用要求。纳米粒子有机分子包埋复合薄膜双稳态器件因具良好开关特性成为研究重点,目前包埋纳米粒子的种类主要包括金属纳米粒子(Au、Ag、Cu)、金属氧化物(ZnO、CdSe)、有机染料分子及生物活性分子。本研究选用空穴传输材料PMMA和电子传输材料Alq3包埋氧化还原法制备的Au纳米粒子和NiO、TiO2、和NiTiO纳米粒子,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、扫描探针显微镜、紫外可见光分光光度计、电化学工作站等分析仪器,研究了纳米粒子浓度、薄膜厚度、退火温度、薄膜层数及复合结构等对复合薄膜的结晶性、表面形貌、开关特性、光学特性等的影响。论文主要内容如下：首先,研究了PMMA、Alq3和PMMA:Alq3包埋Au纳米粒子器件的特性。结果表明Au纳米粒子均匀分散子薄膜中,成膜性很好。有机分子包埋后的器件均表现出电学双稳态特性,开关比较纳米粒子本身的开关比增大了两个数量级。GaIn/Au-PMMA/ITO器件的开关特性在3层薄膜、PMMA和Au纳米粒子体积比为1：1、退火温度为110°C较好。不同膜层结构对Galn/Au-Alq3/ITO器件的开关比影响不大,均接近纳米粒子本身开关比。对于不同膜层结构的GaIn/Au-PMMA:Alq3/ITO器件,电极与有机层直接相接触的器件的开关比大于与电极与纳米粒子直接相接触的器件开关比。对器件进行时效追踪,发现器件的开关特性在经过15天后仍能稳定保持。对Au-PMMA和Au-Alq3系统的第一性原理计算发现相对于本征有机分子,复合系统产生了新的能级轨道,禁带宽度减小。其次,研究了PMMA、Alq3和PMMA:Alq3包埋NiO、TiO2、内米粒子器件的特性。PMMA、Alq3包埋NiO纳米粒子器件分别在2.5mg/3ml、10mg/3ml的浓度下达到最好的开关性,开关比较NiO本身增大了两个量级。PMMA、Alq3、PMMA:Alq3包埋TiO2纳米粒子薄膜器件的开关比表现出双稳态特性,但是无明显的阂值电压,且电阻率随着包埋浓度的增大而减小。最后,研究了PMMA、Alq3及PMMA:Alq3包埋按不同Ni:Ti比复合的NiTiO纳米粒子薄膜器件表现出开关特性。结果表明器件GaIn/NiTiO-PMMA/ITO和GaIn/NiTiO-Alq3/ITO器件在Ni:Ti为7：1时,开关比最大,阈值电压也较小。器件GaIn/NiTiO-PMMA:Alq3/ITO在Ni:Ti为3：1时,开关比最大,阈值电压最小。对器件进行单向电压扫描,器件在阈值电压处打开后,一直处于开状态,即反向电压的施加对器件开关现象的可重复性是不可缺少的。总之,有机分子包埋纳米粒子复合薄膜的开关特性与有机分子同纳米粒子的能级匹配有关,开关机理为电荷捕获/释放。
参考文献：
[1]. 颗粒复合材料中光学双稳的温度和界面效应[D]. 陆兴中. 苏州大学. 2004
[2]. MoX_2(X=S,Se)复合纳米材料的光学非线性研究[D]. 曲斌. 哈尔滨工程大学. 2017
[3]. PbS纳米材料光学非线性研究[D]. 黄妍. 黑龙江大学. 2006
[4]. 铁酸铋异质结阻变特性与机制研究[D]. 徐建龙. 清华大学. 2015
[5]. 纳米材料/聚合物复合电双稳存储器件的机制研究[D]. 张旭光. 天津理工大学. 2016
[6]. 纳米Si-SiN_X复合薄膜发光与非线性光学性质的研究[D]. 吕蓬. 华侨大学. 2007
[7]. 静电纺丝法制备一维纳米复合材料[D]. 张小强. 浙江理工大学. 2012
[8]. 几种有机分子包埋纳米粒子薄膜的制备及电学特性研究[D]. 简晓慧. 东北大学. 2013
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