阮新亮[1]2017年在《超低功耗FS-IGBT研究》文中进行了进一步梳理电导调制效应的存在使得IGBT器件具有非常低的导通压降和导通损耗,但这也使得其关断损耗较大,因此导通压降和关断损耗之间的矛盾关系已成为低功耗IGBT设计过程中最主要的难题。为了改善IGBT器件导通压降和关断损耗之间的折中关系,以实现超低功耗IGBT器件设计,本文提出了以下两种新型FS-IGBT结构:1、提出了一种具有深槽分裂栅的载流子存储型IGBT器件(Carrier-Stored Trench Bipolar Transistor with a Split-Gate and a Deep-Trench,SGDT CSTBT),其特征为发射极一侧具有深槽和分裂栅结构。在关断状态下,深槽分裂栅结构可以有效地辅助耗尽载流子存储层,使其所在结面处的电场峰值降低,从而缓解因高掺杂载流子存储层引起的耐压退化问题,使CSTBT器件能够更好地发挥载流子存储效果,以获得更低的导通压降;同时,阶梯状槽型结构可以调制体内电场而提高器件的耐压。仿真结果表明,SGDT CSTBT可以使器件在N型载流子存储层浓度提升到5×1017cm-3的情况下仍然能够维持1521V的高耐压水平;同时,与传统CSTBT相比,新结构可以在相同的关断损耗下导通压降下降48.1%;此外,尽管采用了深槽结构,但结合分裂栅使得新结构具有与传统CSTBT一样的密勒电容,因此不会对器件的开关特性造成明显的影响。最后,本文还针对SGDT CSTBT提出了一种可行的工艺方案。2、提出了一种具有电子阻挡层的短路阳极IGBT器件(Shorted Anode Lateral IGBT with Electron Barrier Layer,EB-SA LIGBT),其结构特征为集电极区有P+电子阻挡层和N-高阻通道。通过在集电极区引入电子阻挡层和高阻通道,有效增加集电极PN结附近的等效电阻,使得器件能够在较小的单极电流下进入双极导电模式,从而抑制器件的电压回跳现象,提高器件工作时的稳定性。仿真结果表明,与传统SA LIGBT和SSA LIGBT相比,新结构在集电极区的表面积仅为“4μm×8μm”时就能完全抑制器件的电压回跳现象;同时,与同能抑制电压回跳现象的SSA LIGBT相比,新结构在相同的关断损耗下,其导通压降下降了52.4%。最后,本文还提供了一种可行的EB-SA LIGBT工艺制造方案。
刘兴明[2]2003年在《新结构低功耗IGBT纵向结构的仿真研究》文中研究指明本文对新结构低功耗IGBT——LPL-IGBT纵向结构的仿真优化做了详尽论述。与现有IGBT相比较，LPL-IGBT在结构上保留了NPT-IGBT中的透明发射区和高载流子寿命的本质优点，同时又具有PT-IGBT中n~-／n~+复合薄耐压层的优点；在器件性能上，LPL-IGBT不仅具有比NPT-IGBT更低的能量损耗(包括通态损耗和开关损耗)，而且其余性能如器件耐压、电流密度、安全工作区以及制造成本等相对现有NPT-IGBT均有明显改善。初步的器件仿真以及两轮样管制作均证实了LPL-IGBT性能的优越性。新结构低功耗LPL-IGBT将IGBT的性能推向了一个新的水平，应用前景十分广阔，本研究在上述器件结构基础上通过进一步的仿真最终确定了器件完整的最优化纵向结构以及与之相对应的制作工艺，根据我们提出的制作工艺制得的IGBT具有最优的性能。根据器件物理及IGBT的工作机理我们建立了相应的模型，并对仿真结果进行了合理的解释。本研究在国际上首次对IGBT完整的纵向结构进行了仿真优化，研究中涉及到的器件模型、建模方法、最优器件结构以及制作工艺的确定均可推广到其它类型IGBT及开关器件的优化设计及性能分析中，因而具有重要的实际意义。
高琰[3]2002年在《新结构低功耗IGBT的研究》文中研究表明本文对一种具有新型耐压层结构的IGBT做了详细论述。新结构用叁重扩散的方法在n~-单晶片上引入了n~+缓冲层，仍然保留了NPT-IGBT中薄而轻掺杂p层和高载流子寿命的本质优点，同时又具有PT-IGBT中n~-／(n~+)双层复合的薄耐压层(即薄基区)的优点。它不是现有的NPT型，也不是现有的PT型。命名为：低功耗IGBT(LOW POWER LOSS IGBT——LPL—IGBT)。仿真结果和实际的样管制造结果均证实了这种新结构IGBT的优越性。它的总损耗(通态损耗与开关损耗之和)低于现有NPT-IGBT，而其余性能(耐压、电流密度、安全工作区、抗过流、过压能力等)和制造成本与现有NPT-IGBT相同。它将IGBT的性能推向了一个新的水平，具有更大的应用潜力。在功率开关器件这个大家庭里，IGBT的地位将更加显赫。
陆秀洪[4]2001年在《新结构低功耗IGBT研究》文中认为本文提出了一种新结构的IGBT，命名为低功耗IGBT（LPL-IGBT）。它的设计基于这样一种思路：保留NPT-IGBT在n~-单晶衬底上制造、离子注入形成超薄且轻掺杂的背p~+发射区的特点，从而保留了NPT-IGBT的性能优点；同时在耐压层中引入n~+缓冲层，大大减薄n~-耐压层厚度以降低功率损耗。它的制作方法如下：对n~-单晶硅片进行双面深结扩散，然后去除其中一面扩散层并在n~-上制作MOSFET结构，再减薄另一面的扩散层，得到一定厚度的预扩散层的残留层，然后硼注入制作背p~+发射区并制作背面电极。与FSIGBT相比，LPL-IGBT的n~+缓冲层厚度达几十微米，不存在耐压和漏电流不易保证的缺点，因而更适合实际生产。计算机仿真显示，LPL-IGBT的关断损耗比PT-IGBT和NPT-IGBT减小一倍左右，实验的初步结果一定程度上证实了LPL-IGBT在功耗性能上的优越性。
李伟[5]2017年在《低功耗无回跳逆导型IGBT的结构设计和特性研究》文中提出随着薄片工艺等制造技术的发展,在场阻止型的绝缘栅双极型晶体管(Field-Stop Insulated Gate Bipolar Transistor, FS-IGBT)的背面进行光刻和离子注入并形成N+短路区(N+-short)已成为一种可能,由此上世纪90年代提出的阳极短路型IGBT重新焕发生机。阳极短路型 IGBT 又被称为逆导型 IGBT (Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor, RC-IGBT)。但是目前的RC-IGBT产品只适用于软开关领域(Soft Switching Condition),这是由于它们在逆向导通过程中反向恢复损耗过大以及电流分布不均匀,进而造成器件局部过热和可靠性较低。本文针对目前RC-IGBT存在的问题,利用Sentaurus TCAD仿真软件分析了影响RC-IGBT的正向导通、反向导通、关断、反向恢复和阻断等特性的因素。首先探究了RC-IGBT背面结构的尺寸对正向导通和反向导通特性的影响。随后针对常规RC-IGBT在硬开关领域(Hard Switching Condition)所遇到的问题,提出了具有低反向恢复损耗的RC-IGBT元胞结构。最后对于常规RC-IGBT在正向导通中容易出现的回跳(Snapback)现象,给出了一种新型的短路区结构。仿真结果表明,本文所提出的低功耗型的RC-IGBT,相比于常规RC-IGBT,其反向恢复损耗能减少约一半,反向恢复时间可减少约叁分之一,反向恢复峰值电流减少约四分之一。此外,本文提出了一种沟槽隔离型的短路区结构,采用此结构后,元胞宽度可降为常规RC-IGBT元胞宽度的1/20,同时又能确保导通中不出现回跳现象,进而在导通中拥有均匀的电流分布。本文的研究对于解决目前RC-IGBT在商业化过程中所面临的问题,给出了一种可行的解决方案,具有一定的参考意义,也有助于RC-IGBT的早日国产化。
凌宇[6]2013年在《IGBT功耗优化的研究》文中认为IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是绝缘栅双极晶体管的简称。在各类半导体功率器件中，IGBT因具备双极和功率MOSFET两种特性的独特优势而受到越来越多的青睐。IGBT的设计及优化为提高电力电子设备的性能提供了有力保障，特别是在目前国内IGBT发展仍较为滞后的形势下，IGBT的优化设计对我国各方面的都具有重要的战略意义。进一步优化设计出功耗性能优越的IGBT一直是国际功率器件领域内的研究热点及难点。本文利用Silvaco软件对IGBT的功率损耗特性进行了仿真，对IGBT功耗的影响因素进行深入分析，引入折衷曲线概念，得出IGBT功耗优化方案。所有研究均从IGBT静态功耗及动态功耗两方面入手，以达到全面分析功率损耗情况的目的。IGBT功耗优化的宗旨就是将静态和动态过程中的功率损耗都降到最小，最终得到功率损耗最低的IGBT。为了实现这一目的，文中先通过对IGBT静态及动态功耗进行理论分析，得出静态功耗和动态功耗的主要决定因素分别是IGBT通态压降和IGBT关断功耗。然后针对性的解析IGBT的通态压降和关断功耗，通过仿真IGBT输出特性来讨论IGBT的通态压降，引入IGBT关断电路来仿真IGBT的关断特性，通过在关断时间内对关断功耗进行积分计算出IGBT的关断功耗。研究包括P+集电极、N+缓冲层及N基区在内的各纵向结构参数对IGBT通态压降和关断功耗的影响。最后，通过引入折衷曲线的概念来分析问题，解决IGBT通态压降与关断功耗此消彼长的矛盾。借助折衷曲线更加直观的分析IGBT功耗的影响因素并对此进行进一步优化，以得到功耗优化下IGBT的P+集电极、N高阻基区及N+缓冲层的最佳结构，来指导生产设计上的最终优化。
华庆[7]2015年在《高压IGBT功率模块瞬态直通模型与关键技术研究》文中研究指明功率模块作为功率半导体器件的重要分支,凭借性能优异、可靠性高、结构紧凑和成本低等优点在工业控制、轨道交通、无线通信和消费电子等领域得到了广泛应用。近年来,随着功率半导体技术的不断发展,功率模块技术也得到了实质性提升和迅速发展,并成为功率半导体领域的关键技术之一。目前,国内外研究者已对功率模块进行了深入研究,但是在功率模块可靠性、集成化和降功耗等方面仍面临着许多挑战。本文以高压IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)功率模块瞬态直通模型与关键技术为研究课题,结合工程项目,根据研发过程中的主要技术难点,重点研究dv/dt瞬态直通、di/dt瞬态负电压、高集成化以及降低功耗。提出高压IGBT dv/dt瞬态直通模型,提出功率模块高集成和低功耗关键技术,提出并研发叁相逆变高压IGBT功率模块、高集成高压IGBT功率模块和低功耗高压SiC(Silicon Carbide)功率模块,其中两种功率模块实现量产。具体研究内容和创新点如下:1.提出高压IGBT dv/dt瞬态直通模型。针对叁相逆变高压IGBT功率模块在系统运行直通失效问题,从理论上分析IGBT栅极尖峰电压与dv/dt、栅极驱动电阻RG、寄生电容CGC、CGE以及寄生电感LS等参数的关系并导出关系解析式,得到高压IGBT dv/dt瞬态直通模型。基于dv/dt瞬态直通模型的提出与实验分析,研究并总结dv/dt与高压IGBT安全工作区的关系。同时,综合考虑电路性能、可靠性、实现难度和成本之间的折中,对功率模块自举和保护等关键子电路进行分析设计。针对叁相逆变高压IGBT功率模块驱动感性负载时引起的di/dt瞬态负电压问题,详细分析其产生机理及抑制方法。基于深槽介质隔离厚膜SOI(Silicon-On-Insulator)工艺技术,提出一种高可靠高压IGBT栅极驱动集成电路,该器件高侧浮动通道经自举电路能够工作于650V高压条件下。实验结果表明,该器件具有较好的抗di/dt衬底噪声能力,其di/dt瞬态负电压承受能力可达-50V,约为传统Si高压IGBT栅极驱动集成电路的1.5倍,因此具有更高的可靠性。而且,其仅需极低的静态供电电流并具有200mA和300mA典型值的输出和吸收电流驱动能力,开通和关断延迟时间典型值为460ns和440ns,上升和下降时间典型值为90ns和65ns。提出一种铝基板架构叁相逆变高压IGBT功率模块,并在合作企业进行了量产,成品合格率从试制时的70%左右提升至量产时的98%左右。2.提出并研发两种高集成高压IGBT功率模块。为进一步提升高压IGBT功率模块集成度和功率密度、缩小系统体积、简化电机驱动设计,提出并研发两种高集成高压IGBT功率模块。综合考虑系统性能和复杂度,基于升压型主电路拓扑架构,选取平均电流控制模式,提出一种具有功率逆变和功率因数校正双功能的集成PFC(Power Factor Correction)的功率模块。为降低集成PFC的功率模块叁相逆变电路中IGBT焊接空洞率,提出一种四角圆弧工艺技术,利用该技术能够有效改善IGBT焊接效果,与传统工艺技术相比,空洞率降低约10%。该集成PFC的功率模块已在合作企业实现量产,模块尺寸为62mm×25.3mm×5.5mm,与具有相同功能的传统方案相比体积缩小约15%。此外,提出一种基于高低压分离架构的数字化双驱动功率模块。该功率模块集成整流电路、PFC电路、压缩机叁相逆变电路、风机叁相逆变电路、驱动电路、控制电路以及保护电路,从而实现高集成一体化电机驱动方案。该功率模块的高压功率电路与低压控制电路采用分离式架构且高压功率电路采用半模封封装形式,能够有效减小干扰和提高散热能力。模块尺寸为115mm×77mm×6mm,与具有相同功能的传统方案相比体积缩小约30%。3.提出并研发两种低功耗高压SiC功率模块。基于铝基板架构,提出并研发两种低功耗高压SiC功率模块,即复合SiC功率模块和全SiC功率模块,以解决传统Si高压IGBT功率模块功耗难以进一步降低问题。通过对单相二线制(1P2W)、叁相叁线制(3P3W)和叁相四线制(3P4W)模式的研究分析,提出高压SiC功率模块功率测试方法。实验结果表明,当压缩机在10Hz~70Hz频率范围内运行时,复合SiC功率模块功率为3.5W~21.7W,全SiC功率模块功率为2.2W~17W,与传统Si高压IGBT功率模块相比,功率分别降低了12.5%~25.5%和32%~53%。
周坤[8]2017年在《高压低功耗MOS栅控功率器件新结构与模型研究》文中研究指明作为全控型器件,MOS栅控功率器件具有高输入阻抗、易驱动等优点,而占分立器件最大市场份额并是功率集成电路的主力功率单元,是AC-DC、DC-DC转换以及功率驱动等芯片的核心器件。功率器件的关键在于实现高耐压、低功耗及高功率密度。作为功率半导体的主力器件,功率MOS存在着Ron,sp∞BV2.5(击穿电压 Breakdown Voltage,B ;V比导通电阻 Specific On-Resistance, Ron,sp)的“硅极限”制约关系。特别地,因空穴的迁移率低于电子的迁移率,p沟道MOS器件中Ron,sp与BV的矛盾关系更为突出。降低表面场(Reduced Surface Field, RESURF)技术与超结(Superjunction,SJ)技术能有效降低功率MOS的Ron,sp并保持高BV。槽型技术则可进一步降低器件所占芯片面积,实现小型化、高密度设计。然而,因实际应用中pLDMOS所接电位的不同,当前RESURF法则并不能直接运用于SOI pLDMOS器件设计,且RESURF技术与超结技术在缩短功率器件横向尺寸方面作用有限;槽型LDMOS器件尚无精确的统一耐压解析模型作为理论指导。IGBT因其具有电导调制效应而在高压大电流应用中更具优势,其中逆阻型(Reverse Blocking, RB) IGBT因同时具备正反向阻断能力,用于矩阵变换器中可以省略二极管,有利于降低AC-AC变频系统的功率损耗,提高转换效率,降低变换系统的体积和成本。然而,基于非穿通(Non-punch-through, NPT)元胞区结构的传统RB-IGBT具有较高的导通损耗及开关损耗。为此,本文围绕高压低功耗MOS栅控功率器件研发中亟待解决的基础问题,从理论模型和器件结构两个方面,从新机理、新材料和新结构方面寻求突破点,面向功率SOI LDMOS及RB-IGBT器件开展研究。本文的创新点在于,建立一个耐压解析模型,在模型指导下提出叁种器件新结构,并进行相关实验研究。1.槽型LDMOS统一耐压解析模型针对槽型LDMOS器件的高压低阻设计,建立槽型LDMOS的统一耐压解析模型,普适于变k介质及均匀介质槽型LDMOS。提出虚拟场板等势解耦法,将槽型器件体内复杂场进行分区解耦,求解二维Poisson方程,获得器件内部关键路径的势场分布解析式,建立耐压解析模型,并导出最优RESURF条件。模型解析结果与仿真结果吻合较好,该模型从理论上揭示了槽型LDMOS关键参数与BV之间的内在联系,获得了高压槽型LDMOS器件的优化设计准则。(相关研究发表于IEEE Transactions on Electron Devices (T-ED), 2015, 62(10): 3334-3340)2.超低比导变k槽型SOI nLDMOS器件新结构在槽型LDMOS耐压解析模型的指导下,基于异质材料融合的思想,提出变k槽型SOI LDMOS器件。新结构将低k介质与Si02介质引入SOI LDMOS耐压区,基于不同介质电位移连续性原理,利用k值的突变,在SOI槽型LDMOS体内产生新的电场峰值,获得最优体内电场分布。与以往通过提高LDMOS漂移区载流子浓度的方式不同,该器件新结构采用了横向功率器件“纵向化”的设计思想,充分利用体内承受横向高压,大幅降低器件横向尺寸,突破功率器件2.5次方“硅极限”制约关系。新结构在BV=600～900V高耐压范围内,Ron,sp仅为15.8-37.7 mQ·cm2,品质因数(FOM=BV2/Ron,sp)高达21.8MW/cm2,优于当前国际上同类槽型LDMOS 器件。(相关研究发表于 IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), Hawaii, 2014, 189-192 和 IEEE T-ED, 2015,62(10): 3334-3340)3.电导增强型高压SOI pLDMOS器件机理与新结构针对SOI pLDMOS电气连接特殊性导致RESURF效应受限的问题,本文提出RESURF增强的SOI pLDMOS器件新结构。该器件在N-SOI顶层硅内构建了围绕介质槽的U型P-漂移区。阻断状态下,利用N-SOI顶层硅和介质槽内的垂直延伸栅对P-漂移区产生的多维度耗尽作用,实现增强的RESURF效果。通过解析计算,获得电导增强因子△Q=1.4×1012cm-2～3.4×1012cm-2,而常规SOI pLDMOS漂移区电荷量仅为1011cm-2量级。该器件在BV=329V耐压下实现Ron,sp=17.5mQ·cm2,相比平面型P-top结构的Ron,sp降低79%。此外,新结构实现了对背栅偏置效应的有效屏蔽,以300V级器件为例,器件有源区电学特性能够在VBG=-150V～150V的大范围浮动下保持恒定。(相关研究发表于IEEE T-ED, 2014, 61(7): 2466-2472)4.超低功耗SJ RB-IGBT器件新结构针对常规RB-IGBT元胞区NPT结构导致功耗较高的问题,本文首次提出SJ RB-IGBT器件,新结构兼具双向高压阻断能力、低导通压降及开关损耗。该器件在漂移区采用SJ结构,并引入短路集电极槽,利用短路集电极槽对底部截止层N1辅助耗尽,结合N条顶部N2场截止层,有效解决了 FS IGBT和常规SJ IGBT无法同时承受正反向阻断高压的问题。通过研究新结构通态电流输运机制,揭示了SJ RB-IGBT与常规SJ IGBT不同的导通特性:在线性区导通态,SJ RB-IGBT可在高漂移区浓度下保持双极电流输运模式,增强了电导调制效应,而实现低Von,且降低电学性能对浓度变化的敏感性;在关断瞬态,SJ耐压区的横向电场使器件呈现单极电流输运模式,使SJ RB-IGBT在关断速度方面可与MOSFET媲美,实现无拖尾电流和低关断能耗。因此,SJ RB-IGBT新结构兼具双极型器件大电流能力和单极型器件高关断速度的优点。(相关研究发表于IEEE Electron Device Letters(EDL), 2016, 37(11): 1462-1465)值得一提的是,面向基于矩阵变换器的AC-AC应用,本文研究了 SJRB-IGBT的应用级特性,分析基于SJRB-IGBT的矩阵变换器的换流特性及损耗分布,得出基于SJRB-IGBT的矩阵变换器的总功耗,并与现有RB-IGBT器件进行比较,评估新结构在AC-AC应用的性能优势。(相关研究发表于IEEE Transactions on Power Electronics,已录用)
杨大力[9]2017年在《基于TCAD的SJ-IGBT特性设计与分析》文中指出绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为电力电子领域中的—'种典型开关器件,具有输入阻抗大、导通压降低、驱动功率小等优点,在开关电源、家用电器、轨道交通等领域发挥着日益重要的作用。然而,传统IGBT存在导通压降和关断功耗的矛盾关系。如何有效改善器件导通压降和关断功耗之间的折中关系一直是IGBT设计的难点。针对此问题,在IGBT理论研究基础上,通过在器件漂移区中引入超结(Super Junction,SJ)结构,目的在于进一步提高IGBT的综合性能。本文使用Medici TCAD软件对SJ-IGBT器件特隆进行了较为系统地仿真赫分析,具体研究内容如下:第一,分析了 SJ-IGBT器件工作原理,研究了柱区宽度、厚度、掺杂浓度对器件静动态特性的影响。当P柱和N柱保持电荷平衡时,器件耐压特性明显优于FS-IGBT。当P柱和N柱电荷失衡时,器件击穿电压会有所降低,且下降幅度与柱区掺杂浓度有较大关系。器件正向导通时的电流输运模式受柱区掺杂浓度和FS层掺 浓度影响,存在单极和双极输运模式駄结果表明,在正向饱和导通压降为1.6V时,SJ-IGBT器件的关断功耗较FS-IGBT器件降低了约39.96%。因此,超结结构能够有效改善器件性能。第二,分析了半超结IGBT(Semi SJ-IGBT)器件特性。结果表明,随着柱区厚度的增加,器件击穿电压也随之增加。同时,器件导通压降易受柱区掺杂浓度的影响。为了降低Semi SJ-IGBT的导通压降,研究了具有N阻挡层的Semi SJ-IGBT器件特性。结果表明,N阻挡层会办起到有效降低器件导通压降的作用。第叁,在Semi SJ-IGBT结构基础上,提出了一种带电子抽取通道的新型Semi SJ-IGBT结构。该结构底部具有一个NPN叁极管,在器件关断过程中,NPN叁极管能够为电子载流子提供抽取通道,提高了器件的关断速度,从而实现降低关断功耗的目的。结果表明,在正向饱和导通压降为1.25V时,新型器件的关断功耗较Semi SJ-IGBT器件降低了约40.03%。因此,器件性能够得到有效改善。第四,在Semi SJ-IGBT结构基础上,又提出了一种具有N掺杂条的新型Semi SJ-IGBT结构。该结构通过在P+集电区内引入N型掺杂条,调节集电极空穴注入效率,从而降低H件的关断时间。结果表明,在正向饱和导通压降为1.25 V时,相比于Semi SJ-IGBT器件,新型器件的关断功耗阐氏了约37.03%。因此,器件性能也能得到有效改善。
吴郁, 陆秀洪, 亢宝位, 王哲, 程序[10]2001年在《低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真》文中进行了进一步梳理提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT的优点 ;同时具有由衬底预扩散残留层构成的 n型缓冲层 ,又具有 PT- IGBT的优点 .计算机仿真结果证明 ,它的关断损耗比 PT- IGBT和 NPT- IGBT降低一倍左右 .它的结构比 FSIGBT更适合于实际生产
参考文献：
[1]. 超低功耗FS-IGBT研究[D]. 阮新亮. 电子科技大学. 2017
[2]. 新结构低功耗IGBT纵向结构的仿真研究[D]. 刘兴明. 北京工业大学. 2003
[3]. 新结构低功耗IGBT的研究[D]. 高琰. 北京工业大学. 2002
[4]. 新结构低功耗IGBT研究[D]. 陆秀洪. 北京工业大学. 2001
[5]. 低功耗无回跳逆导型IGBT的结构设计和特性研究[D]. 李伟. 西安理工大学. 2017
[6]. IGBT功耗优化的研究[D]. 凌宇. 沈阳工业大学. 2013
[7]. 高压IGBT功率模块瞬态直通模型与关键技术研究[D]. 华庆. 电子科技大学. 2015
[8]. 高压低功耗MOS栅控功率器件新结构与模型研究[D]. 周坤. 电子科技大学. 2017
[9]. 基于TCAD的SJ-IGBT特性设计与分析[D]. 杨大力. 西南交通大学. 2017
[10]. 低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真[J]. 吴郁, 陆秀洪, 亢宝位, 王哲, 程序. 半导体学报. 2001