林春[1]2001年在《2μm锑化物激光器、探测器材料、器件及物理》文中进行了进一步梳理本论文针对中红外2μm波段AIGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSb PIN探测器的特点和存在的问题，对激光器和探测器的结构进行了设计，并进行了锑化物材料的固态源分子束外延（SSMBE）生长、激光器和探测器制备以及材料与器件表征的研究，取得了如下结果： 用固态源分子束外延方法在（001）GaSb衬底上生长了高质量的InGaAsSb、AIGaAsSb和AIGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料。研究了外延生长条件如生长温度等对InGaAsSb本底载流子浓度的影响。通过对AIGaAsSb中As组分的调节，实现了AIGaAsSb的失配度从正失配到负失配的连续变化，并生长出晶格匹配的AIGaAsSb限制层材料。通过光荧光谱研究了势垒厚度对2μmAIGaAsSb/InGaAsSb应变多量子阱的影响，发现势垒的临界厚度为15nm。 对AIGaAsSb、InGaAsSb的禁带宽度、晶格常数、折射率和AIGaAsSb/InGaAsSb异质结带阶及应变量子阱的子能级位置和价带结构进行了计算，并通过对激光器的光学限制因子的研究优化了加宽波导结构。 通过对锑化物激光器器件工艺的摸索和优化，研制出室温准连续工作激射波长为2.01μm的脊波导激光器，室温下阈值电流为80mA，功率大于15mW，占空比最高达60％，最高工作温度80℃，该器件的特征温度达93K。研制出的台面宽条激光器在185K下连续工作，在脉冲条件下最高工作温度为270K。高AI组分限制层平面宽条激光器实现190K下脉冲受激。 对脊波导AIGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器进行了器件寿命测试，在室温下，占空比10％，连续工作时间超1000小时，阈值电流增加在20％以内。器件老化主要是器件焊接、封装和非辐射复合中心的增加造成的。 在对脊波导AIGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器P-1曲线的测量中观察到扭折现象。结合对激光器激射光谱的测量，发现在扭折发生处，出现了1.86μm和2.01μm两个激射波长。这两个激射波长分别对应于量子阱中E1-HH1和E2-HH2的跃迁。 为了降低InGaAsSb探测器表面漏电流对探测率和器件反向特性的影响，提高探测器性能，本论文设计了AIGaAsSb/InGaAsSb/GaSb探测器，并对InGaAssb PIN探测器的的噪声机制包括产生一复合噪声、俄歇复合噪声进行了理论分析。 研制出的 IpGSASSblGSSb piN探测器室温黑体探测率 Dbb二5．IX10scm．HzllZIW，响应度Rv二37VIVV；AIGaAssbllnGaAssblGasb PIN探测器的黑体探测率Dbb二5＊x10s。一H＊旧M，响应度Rv二78删。本论文还尝试了用AIGaAssbllnGaAssb禾 InGaAssblGasb PIN探测器对 Zpm 锑化物多量子阶激光器进行表征。 本论文的研究工作为完成国家高技术研究发展计划（863计划）的任务做出了贡献，也为进一步开展器件的应用打下了基础。
张雄[2]2004年在《中红外波段锑化物激光器、探测器器件与物理研究》文中研究指明本学位论文针对中红外波段AlGaAsSb／InGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSb PIN探测器的特点和存在的问题，对激光器和探测器的器件物理、器件工艺、器件性能表征进行了深入系统的研究，取得了如下结果： 采用6带尼k·p模型计算了2μm InGaAsSb／AlGaAsSb应变多量子阱的能带结构，分析了应变量子阱的价带色散关系，在此基础上计算了多量子阱激光器的增益谱，系统研究了应变、阱宽对增益谱的影响，得出提高应变或减小阱宽能提高激光器增益的结论，并对此给出了物理解释。结合材料生长条件，对激光器的有源区进行了优化设计，为激光器的研制打下了基础和提供了理论依据。 对2μm InGaAsSb／AlGaAsSb激光器的波导层进行了研究，应用传递矩阵法和有效折射率法计算了平板波导的光限制因子，结合光场的近场分布和远场分布，进行了加宽波导优化设计，得出0.3-0.5μm的波导层是较合适的选择的结论，应用于激光器材料结构设计与生长。 深入研究和分析了InGaAsSb PIN探测器的暗电流机制和R_0A因子，计算过程考虑了Auger复合、产生复合、表面复合、隧穿复合等机制，重点研究了探测器的表面复合速度的影响。通过计算发现，探测器表面的复合速度S对探测器的暗电流、R_0A因子有着显着的影响。从理论上预计：如果对探测器表面进行钝化处理，降低表面复合速度，则可大大提高探测器的性能。 研究了GaSb材料的腐蚀机理并改进了腐蚀工艺，针对锑化物材料体系的特点，首次发展了中性(NH_4)_2S钝化溶液，比传统的碱性溶液取得了更好的钝化效果。 研究了PECVD低温生长Si_3N_X和剥离等关键工艺过程，改进并确定了有特色的完整的器件工艺流程，为制备高性能的激光器、探测器打下了基础。 自主开发了全息光栅工艺，对光刻胶、显影控制、周期控制，占空比控制等关键工艺环节进行了研究，在不同材料上成功制备出周期严格可控、深度和占空比可调的光栅，为研制DFB激光器打下了基础。 成功制备了两种结构的2协m InGaAssb/AIGaAssb激光器。平面结构的激光器能在室温脉冲下工作，最高激射温度达340K，室温下的阂值电流密度为1 .SKA/clllZ，在220K到340K之间的特征温度T()为90K。激射谱为多模，波长为2.01“m。脊波导结构的激光器实现了室温连续工作，最高激射温度达65“C，20oC下闻值电流密度为557A/c mZ，串联电阻为1 .sn，特征温度为88K，室温下外微分量子效率为32%。 采用困H众s溶液对InGaAssb PIN进行了钝化处理，减小了器件的反向暗电流，RoA因子得到显着提高。探测器的光电性能得到很大改善，峰值探测率D‘、。由钝化前的4.SXlogemHZ’理/w提高到钝化后的l.ZXlo’oemHZ’‘Zzw，响应度Rbb‘由钝化前的37V/W提高到钝化后的256V/W。 首次对硫钝化及其失效机制和抑制途径进行了有特色的研究。利用XPS测试分析了硫钝化的机制，研究了硫钝化中的成键情况，对钝化的物理化学过程进行了阐释;利用PECVD低温生长si3N、薄膜的方法大大减缓了光氧化作用，有效阻止表面再次氧化，防止了硫钝化的退化失效。
唐田[3]2005年在《锑化物激光器、探测器MBE生长与物理研究》文中提出本论文针对2μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSb PIN探测器的特性和存在的问题,对激光器和探测器的材料物理、MBE生长和工艺优化进行了系统的研究,取得了如下结果: 计算了2μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb应变多量子阱激光器的增益谱,系统研究了应变、阱宽对增益谱的影响,得出提高应变或减小阱宽能提高激光器增益的结论。 对2μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb激光器的波导层进行了研究,应用传递矩阵法在有效折射率框架下计算了平板波导的光限制因子,进行了加宽波导优化设计,得出厚度为0.3-0.5μm的加宽波导层是较合适的结论。 根据有效质量框架下一维有限单阱Kronig-Peney模型,进行了InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的子带跃迁设计。其计算结果能够反映多量子阱及应变情况下各参数的变化趋势。以上计算分析表明,在采用单个As和Sb束源条件下的In_xGa_(1-x)xAs_(0.02)Sb_(0.98)/Al_(0.2)Ga_(0.8)As_(0.02)Sb_(0.98)量子阱连续生长方案是可以满足2-3μm波段激光器的需要的,但在激射波长较长时对材料的组份和应变控制要求也是十分苛刻的。 采用固态源MBE设备,研究分析了单层AlGaAsSb和InGaAsSb材料分子束外延的生长参数及工艺技术。实验结果表明良好的衬底表面处理和适当生长温度是制备高质量外延材料的首要条件。对于AlGaAsSb材料,通过控制As和Sb元素的含量,可以调节AlGaAsSb与衬底的应变从正失配到负失配连续变化,并且保证材料的良好质量。我们通过对生长条件的渐变,已成功制备出高质量的AlGaAsSb梯度材料,其Al组分从0.2渐变到0.4。 我们对材料掺杂特性进行了研究,AlGaAsSb的n型掺杂浓度达可以达到6×10~(17)cm~(-3),p型掺杂的AlGaAsSb材料的空穴浓度可以达到2×10~(18)cm~(-3)。用轻掺Te补偿p型本底的方法实现了InGaAsSb载流子浓度的降低,其n型载流子浓度达到3×10~(16)cm~(-3)。
洪婷[4]2005年在《锑化物激光器、探测器的刻蚀工艺以及电化学C-V技术研究》文中研究说明本论文工作围绕2μm中红外波段AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSb PIN探测器的特点和器件工艺中存在的问题,对其相关材料的湿法干法刻蚀以及电化学C-V(EC-V)载流子浓度剖面测量技术进行了研究和改进,取得了如下结果: 一.研究了锑化物材料的湿法腐蚀机理并改进了腐蚀工艺,对基于氢氟酸的两种腐蚀液(HF-NaKT-H_2O_2、HF-H_2O_2)的腐蚀特性进行了研究。实验结果表明这两种腐蚀液对GaSb和AlGaAsSb的腐蚀速率稳定,在较低的腐蚀液浓度时可对腐蚀速率进行精确控制,腐蚀后材料表面平整光滑。在合适的Al组分下还可对这两种材料进行非选择性腐蚀。 二.使用Cl_2/Ar作为刻蚀气体对GaAs、GaSh、InP和InAs四种材料进行反应离子刻蚀(RIE)的研究。分别研究了刻蚀气体组分、偏置射频功率以及刻蚀时间对刻蚀速率以及刻蚀形貌的影响。研究表明,在刻蚀GaSh以及GaAs时刻蚀速率分别可达0.45gm/min和1.2μm/min,但是在刻蚀含铟的两种材料时速率都很低(<40nm/min)。在所研究的大部分刻蚀反应条件下,GaAs、InP和InNs的刻蚀面都可以保持平整光滑,但在GaSb的刻蚀中,当氯气含量较高时,表面会变得较为粗糙。 叁.对GaSb、AlGaAsSb以及InGaAsSb材料进行感应耦合等离子体刻蚀,刻蚀使用BCl_3/Ar作为刻蚀气体。分别研究了刻蚀气体组分、射频自偏压以及ICP源功率对材料刻蚀速率以及形貌的影响,并详细讨论了刻蚀过程中各阶段的反应机制。实验表明,相同条件下GaSb和AlGaAsSb的刻蚀速率大大高于InGaAsSb的刻蚀速率。在所有研究采用的实验条件下对这两种材料的刻蚀均能得到平整的
韩玺, 蒋洞微, 王国伟, 张宇, 倪海桥[5]2017年在《锑化物纳米结构的中红外激光器与探测器的新进展》文中研究说明锑(Sb)化物基光电子材料主要是指包含(InGaAlN)(AsSb)等元素的典型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,其光电物理性质独特、内涵丰富。锑化物材料在高性能中波红外激光器和中长波红外探测器等领域内具有广阔的应用前景,近年来发展迅猛。开展锑化物低维材料物理和关键制备技术的研究,对开发下一代高性能器件具有十分重要的科学意义和应用价值。
金哲军[6]2008年在《InP基InGaAlAs/InGaAsSb应变量子阱激光器材料与设计研究》文中提出本论文从理论上分析了InP基砷化物和锑化物半导体材料的基本性质,主要包括通过二元系和叁元系材料参数线性插值计算InGaAlAs,InGaAsSb四元系材料的晶格常数、禁带宽度等,并在禁带宽度的计算中考虑了能带弯曲引起的修正量(bow)。在此基础上采用有效质量模型下的4×4 Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对InGaAlAs/InGaAsSb应变量子阱的能带结构、激射波长进行理论分析和设计优化讨论,并采用力学平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。通过这些理论分析,优化了激光器的结构和各层材料的组分、厚度等参数,为材料生长和器件制备提供了理论依据。众所周知,InP为衬底的半导体激光器作为光纤通信用光源起着重要作用,并在1.3μm和1.55μm光纤通信波段已经有高性能的单模激光器得到了实用化。InP基InGaAlAs/InGaAsSb应变量子阱材料虽然波长范围相对较窄(1.6-2.5μm),但它与GaSb基AlGaAsSb/InGaAsSb材料相比,在衬底质量和器件工艺等方面体现出来的优势而引起人们的关注。采用InP衬底对锑化物材料的外延生长和结构进行研究,一方面可以借鉴InP基材料的外延生长以及器件工艺方面的成功经验,另外将会在未来的光电子集成方面发挥重要作用。因此,本论文重点研究InP衬底上,InGaAs、InAlAs、InGaAlAs、InGaAsSb材料和结构的制备和特性。采用固态源分子束外延(SSMBE)设备,在InP衬底上生长了单层InGaAs、InAlAs、InGaAlAs、InGaAsSb材料。通过外延材料的表面形貌、界面特性、晶格质量以及发光特性等进行了研究分析,结果表明良好的衬底表面状态和适当生长温度是制备高质量外延材料的首要条件。通过优化分子束外延的生长参数及工艺技术,生长出了质量较高的InGaAs、InAlAs、InGaAlAs、InGaAsSb单晶体材料。在以上工作基础上,初步生长了InGaAlAs/InGaAsSb单量子阱结构,并研究了其发光特性,为制备高性能的激光器打下了基础。
靳川[7]2017年在《锑化物超晶格红外探测器研究》文中研究表明锑化物超晶格红外探测器是当前光子型红外探测器领域的研究热点,是极具潜力的新型红外技术。锑化物超晶格探测器以III-V族化合物半导体为材料,利用高精度材料生长技术,控制不同材料构成特性的结构,以实现红外辐射的探测。通过改变结构中各层材料的厚度来调整探测器的禁带宽度,探测范围可覆盖1μm至30μm。III-V族化合物半导体材料生长和器件制备技术成熟,均匀性好,此外还具有抗辐照性能强等优势,所以锑化物超晶格探测器受到了广泛的研究。本文聚焦于InP基的In GaAs/GaAsSb和GaSb基的InAs/GaSb两种锑化物II类超晶格红外探测器,主要开展了以下几方面的研究:1.研究了InP衬底上GaAsSb材料的生长工艺,利用非平衡热力学模型对生长过程进行了模拟,在此基础上获得了In GaAs/GaAsSb II类超晶格材料。利用光致发光谱对该材料的光学性质进行了研究,发现由于能带的弯曲效应,造成PL峰值能量值随着激发功率的增加出现蓝移的现象,并对峰值能量与温度关系进行了拟合。研究了Be掺杂温度对超晶格特性的影响,并通过Be的补偿掺杂获得了p型的InGaAs/GaAsSb II类超晶格。制备了不同吸收区厚度和吸收区补偿掺杂的探测器,并对性能进行了表征,发现吸收区厚度的增加对提升器件量子效率有限,而采用补偿掺杂技术的探测器量子效率得到了显着提升。最后制备出了InGaAs/GaAsSb II类超晶格320×256焦平面原型器件,在200 K温度下,pπn焦平面器件的峰值探测率为4.3×1011 cm?Hz1/2?W-1,响应不均匀性12%。2.设计了和生长了GaSb基pBπBn结构InAs/GaSb II类超晶格材料,吸收区的晶格失配Δa/a仅为2.1×10-5,-1级卫星峰的全宽半高峰(FWHM)为21.6弧秒。为了获得高性能的长波12μm InAs/GaSb II类超晶格焦平面器件,针对GaSb衬底强吸收红外光的问题,对所用GaSb衬底对红外光的吸收机制和衬底厚度与透射率的关系进行了研究,发现GaSb衬底的吸收机制以光学声子和电离杂质散射为主导,衬底减薄对GaSb透过率的提升十分有限。通过选择性腐蚀试验得到了超晶格探测器的去衬底工艺,解决了衬底对红外光的强吸收问题。针对大面阵焦平面器件热失配导致的裂片问题,对焦平面器件封装结构进行优化设计和实验验证,提出了最优的封装方案,成功获得了320×256长波12μm InAs/GaSb II类超晶格焦平面器件。3.对制备的320×256长波12μm InAs/GaSb II类超晶格焦平面器件进行性能测试和分析。80 K和65 K温度下探测器的相对响应光谱基本重合,50%截止波长为12μm。通过四种暗电流机制对探测器的拟合进行了拟合与分析,当温度高于70 K时,暗电流以扩散电流为主导,低温时以产生复合电流为主导。测试了不同背景辐射下探测器的电流-电压曲线,发现探测器的响应并不会随着温度与偏压发生变化。研究了温度和电路偏置电压与焦平面器件响应之间的关系,得到了电路注入效率是主要影响焦平面器件响应的因素。对盲元产生的缘由进行了分析,发现少部分为铟柱互连不佳,大部分是由于探测器的暗电流比平均值偏大。通过反馈优化器件的制备工艺,获得了国内第一个长波12μm InAs/GaSb II类超晶格焦平面组件,峰值探测率能够达到7.2×1010 cm?Hz1/2?W-1,盲元率为2.7%,响应不均匀性为7.8%,噪声等效温差29.2 mK。4.针对红外遥感的应用,开展了γ辐照对InAs/GaSb II类超晶格探测器性能影响的研究。通过背照型器件的实时辐照实验,InAs/GaSb II类超晶格器件性能基本未发生变化,表明该超晶格探测器具有良好的抗辐照特性。结合实时的电流-电压曲线和辐照停止后器件电流随时间的演化情况,对辐照所带来的微观损失机理进行了分析,发现零偏和小反偏压下,电离效应损伤为主导,短时间即可恢复,大反偏压下则以位移效应损伤为主导,恢复时间明显增长。对焦平面器件辐照前后的性能测试进行对比,发现辐照并不会影响探测器的基本性能,但会影响读出电路,使其工作状态发生变化甚至是失效。通过将正照型器件的辐照实验结果与背照型器件对比,发现二者具有相同的辐照损伤机制。
朱诚[8]2006年在《中红外半导体激光器的热特性分析》文中认为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体激光器在紫外、可见光、红外等波段均有重要应用，具有广阔的发展前景。然而激光器的性能，包括阈值电流、光谱特性、工作模式等，都极大受到温度的影响。此博士学位论文主要利用数值分析方法对2μm波段锑化物多量子阱激光器和中红外量子级联激光器的热特性进行了深入的分析。内容包括： 1．在前人工作的基础上，对应用于半导体激光器的热特性分析的有限元计算方法进行了大量优化工作，成功地加快了分析的效率和精度，并且使器件模型、材料性质等参数更加接近实际情况，从而分析结果更加准确。 2．采用Abeles近似和插值法计算了尚无实验数据的一些叁元和四元系锑化物材料的热导率参数；在结构特殊的量子级联激光器有源区中首次引入界面热阻的概念并采用DMM(Diffuse Mismatch Model)近似估算了其热导率；利用Debye近似计算了有限元分析所需的各种材料的热容。 3．采用有限元方法，基于实际器件重点分析了InGaAsSb／AlGaAsSb脊波导多量子阱激光器、InGaAs／InAlAs量子级联激光器和InGaAs／AlGaAsSb量子级联激光器在目前常用的几种封装方法下的稳态和瞬态热特性。通过引入热时间常数来定量分析激光器瞬态工作条件下的散热效率，并且对比分析了各种封装方法的优劣和散热特点。此外还分析了结构因子以及材料的改变、温度的变化对于激光器性能的影响。发现了激光器有源区内部非均匀热场分布对于激光器光谱特性的影响，并通过对激光器激射光谱的测试观测到了光谱展宽现象。 攻读学位期间的工作还包括：利用传输矩阵法对化合物半导体双结太阳电池表层抗反射涂层进行了优化设计，通过绘制反射率等值线图来表征薄膜各层材料的厚度对于抗反射性能的影响，并从几种常用的材料组合中寻找到了最佳的方案；分析了GaAs，InGaP同质隧道结的隧穿电流与材料、掺杂浓度等参数的关系；多种光电探测器材料及准晶结构的MBE生长和材料的特性表征。
刘超, 曾一平[9]2009年在《锑化物半导体材料与器件应用研究进展》文中进行了进一步梳理窄禁带的锑化物半导体材料近年来被国际上公认为第叁代超高速、超低功耗集成电路和第叁代焦平面阵列红外探测器的首选材料体系。概述了它们独特的能带结构和物理特性及其为各种新型功能器件的研发提供的极大发展空间,指出该材料成为美国、日本、德国、以色列等发达国家竞相开展研究的热点领域。概要介绍了锑化物半导体材料的制备工艺、存在的问题和器件应用的一些最新成果,给出了今后该领域的发展趋势。
戎佳敏[10]2016年在《低发散角GaSb基宽区波导激光器的研究》文中提出本论文主要研究了低发散角2μm波段GaSb基宽区波导半导体激光器的设计与实现。研究从宽区激光器侧向和横向发散角的改善着手,在侧向即激光器的慢轴方向,我们通过引入鱼骨形微结构增加高阶膜的损耗,抑制高阶模式激射,改善激光器的侧向光束质量;在横向即激光器的快轴方向,我们采用布拉格反射波导结构,利用光子带隙原理取代传统的全反射波导进行光场限制,用来实现大的光学模式尺寸、高功率、低发散角激光输出。该方法可以有效解决传统半导体激光器发散角大、易于腔面灾变损伤、光束质量差、亮度低等问题,因此本研究选题具有一定的创新性和重要的研究意义。本论文主要针对高光束质量2μm波段GaSb基半导体激光器,重点研究其结构设计、材料生长、器件制备及测试分析,具体的研究内容和成果如下:(1)采用传输矩阵理论和布洛赫波近似的方法设计了新型高折射率中心层低快轴发散角GaSb基布拉格反射波导激光器。(2)理论研究了布拉格反射镜(DBR)的厚度、对数、高低折射率比以及中心腔厚度对激光器的远场发散角和光限制因子的影响,最终获得优化的器件结构,该结构可将2μm GaSb基激光器快轴发散角(半高全宽)从50度以上压缩到10度以下。(3)采用有限元插分法(FDTD)模拟鱼骨形微结构对各高阶侧向模式的调制作用,理论上证明该结构可有效抑制高阶模式激射,改善激光器侧向光束质量。(4)将鱼骨形微结构应用于GaAs基宽区布拉格反射波导激光器上,制备了100μm条宽、1.4mm腔长的单元器件,测试结果表明远场发散角降低22.2%,从而在实验上验证鱼骨形微结构的对侧向发散角的改善作用。(5)将鱼骨形微结构应用于2μm波段GaSb基宽区半导体激光器,侧向远场发散角改善了56.4%,连续输出功率提高19%,而且该结构基本不改变宽区GaSb基激光器的制备流程,具有工艺简单、成本低、可规模化制备等优点,为低侧向发散角GaSb基激光器的实现提供了一种有效的解决方法。
参考文献：
[1]. 2μm锑化物激光器、探测器材料、器件及物理[D]. 林春. 中国科学院上海冶金研究所. 2001
[2]. 中红外波段锑化物激光器、探测器器件与物理研究[D]. 张雄. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）. 2004
[3]. 锑化物激光器、探测器MBE生长与物理研究[D]. 唐田. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）. 2005
[4]. 锑化物激光器、探测器的刻蚀工艺以及电化学C-V技术研究[D]. 洪婷. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）. 2005
[5]. 锑化物纳米结构的中红外激光器与探测器的新进展[J]. 韩玺, 蒋洞微, 王国伟, 张宇, 倪海桥. 中国基础科学. 2017
[6]. InP基InGaAlAs/InGaAsSb应变量子阱激光器材料与设计研究[D]. 金哲军. 长春理工大学. 2008
[7]. 锑化物超晶格红外探测器研究[D]. 靳川. 中国科学院大学(中国科学院上海技术物理研究所). 2017
[8]. 中红外半导体激光器的热特性分析[D]. 朱诚. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）. 2006
[9]. 锑化物半导体材料与器件应用研究进展[J]. 刘超, 曾一平. 半导体技术. 2009
[10]. 低发散角GaSb基宽区波导激光器的研究[D]. 戎佳敏. 中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所). 2016
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