柳翠[1]2001年在《离子束溅射法制备C-N薄膜的研究》文中提出本文对离子源的溅射特性进行了研究，采用离子束溅射法制备了TiN_y单层薄膜和CN_x／TiN_y多层薄膜，探索该法制备CN_x薄膜的最佳工艺参数，并利用TiN_y薄膜为衬底以促进CN_x薄膜的生长。 溅射特性研究结果表明：屏极电压和溅射气压对离子束均匀性和束流密度影响显着；加速电压对两者影响较小；石墨靶的最佳入射角为50°。 研究了实验参数对TiN_y薄膜结晶取向的影响。结果表明：在能量为875eV、束流为60mA时获得取向较好的Ti_2N(200)晶面；低温沉积的薄膜的主晶相为Ti_2N，高温沉积时为TiN；成分分析表明TiN_y薄膜是富氮的。 分析了实验参数与CN_x／TiN_y薄膜含N量的关系。实验结果表明：入射离子能量较低、束流较低时，制得薄膜的N含量较高；升高温度能增加薄膜中的N含量；辅助离子束的使用同样增加了薄膜中的N含量；获得的CN_x／TiN_y薄膜的最高含N量为49.52at％。 采用SAED、XRD、XPS等手段对制备的CN_x／TiN_y薄膜进行晶体结构和价键结构分析。实验结果表明：室温时CN_x／TiN_y薄膜中含有两种晶相：β-C_3N_4和石墨-C_3N_4，其中β-C_3N_4相为纳米级晶粒，石墨-C_3N_4相晶粒尺寸最大可达3μm，高温沉积的薄膜中只含有β-C_3N_4相，形成蠕虫状β-C_3N_4相。XPS结果分析揭示出CN_x／TiN_y薄膜的CN_x层中主要价键类型为C-N单键和C=N双键。
曹猛[2]2008年在《离子束辅助沉积ZrN/TiAlN和CN_x/TiAlN纳米多层膜的研究》文中研究指明本文利用超高真空离子束辅助沉积技术在Si(100)基底上设计合成ZrN/TiAlN和CN_x/TiAlN纳米多层膜。利用表面轮廓仪和纳米力学测试系统研究薄膜的机械性能,包括表面硬度、弹性模量以及薄膜与基底的附着力;还通过X射线衍射(XRD),俄歇电子能谱仪(AES)和扫描电子显微镜(SEM)等分析手段研究了薄膜的结构特征。揭示多层膜体系的结构和性能以及工艺参数之间的相互关系,找出合成最佳多层膜的工艺,使多层膜体系的硬度和附着力优于单质薄膜材料。对于ZrN/TiAlN纳米多层膜体系,讨论了调制周期、调制比例、离子轰击能量和离子束流等实验条件对薄膜结构和性能的影响。AES、SEM和低角XRD均证明了多层膜的层状结构,而且展示了明晰界面。高角XRD证明ZrN单层膜具有典型的面心立方结构,呈现强ZrN(220)和(111)择优取向。TiAlN表现出有很强的(111)面择优取向和微弱的(200)和(220)晶向。多层薄膜中显示了明显的ZrN(111),TiAlN(111)和AlN(111)织构,说明多层膜形成了很好的调制结构,晶体完整性得到提高,这种强烈的(111)多晶结构会对多层膜硬度和模量的增强有很大贡献。纳米硬度和划痕测试表明多层膜都具有比单质膜更高的硬度、弹性模量和膜基结合力。当调制周期为6.5 nm,ZrN和TiAlN的调制比例为2:3,离子轰击能量为200 eV,氮离子束流为5 mA时薄膜具有最高的硬度(＞30 GPa)、弹性模量(361 GPa)和临界载荷(53.3 mN)。基底温度的升高,会显着降低薄膜的残余应力,但对薄膜的硬度,摩擦系数没有明显影响。用离子束辅助沉积系统所制备的一系列不同调制周期和CN_x所占比例的CN_x/TiAlN纳米多层膜,其界面清晰,层状结构明显。尽管CN_x和TiAlN单质膜分别为非晶和纳米晶结构,CN_x/TiAlN多层膜却当CN_x层极薄的时候(＜0.6 nm)出现共格外延生长现象。当调制周期为2.83 nm,CN_x层所占比例为10%的时候,多层膜出现强烈的(111)晶向,并且硬度和弹性模量分别升高到32.1和408.6 GPa。残余应力和膜基结合力也获得不错的效果。以上结果说明当在TiAlN层中插入异质结构的非晶CN_x层,在CN_x层的厚度极薄时,CN_x晶化且与TiAlN形成共格外延生长,形成具有明锐界面的层状结构,多层膜的微结构满足产生超硬效应的各种条件,从而引起其硬度和弹性模量异常升高。无论是改变调制周期还是CN_x层所占比例,只要当CN_x层厚增大至0.6 nm以上时,CN_x将以非晶形式存在,阻断了多层膜的共格外延生长,使其强化效应消失,薄膜的硬度和弹性模量就会明显降低。对于ZrN/TiAlN和CN_x/TiAlN组成的纳米多层膜体系,以前的文献鲜有报道。本文的结果表明,利用超高真空离子束辅助沉积技术,通过控制合适的工艺参数,合成具有高硬度、高模量、高膜基结合力和低应力的ZrN/TiAlN、CN_x/TiAlN纳米多层膜是可以实现的。本研究可望应用于新的刀具涂层材料,对于提高刀具的切削速率,延长刀具的使用寿命,探索新的超硬材料和扩大纳米多层膜的工业应用范围具有一定的意义。
柳翠, 李东春, 于栋利, 何巨龙, 田永君[3]2002年在《基片温度对CN_x薄膜性能和结构的影响》文中提出采用离子束溅射法，在单晶Si（100）基片上制备CN薄膜。研究了基片温度对CN薄膜性能和结构的影响。结果表明：随着基片温度的提高，薄膜生长致密，表面光滑；薄膜硬度逐渐提高，但温度升高到200℃后，硬度增加缓慢。同时，基片温度升高使薄膜中的N含量增加，促进C-N化合物结晶。X射线衍射结果证明在850℃时，薄膜中产生－C3N4晶相。
于栋利[4]2001年在《碳氮化合物合成方法及其晶体结构的研究》文中认为本文概述了十年来碳氮化合物在理论预测和实验研究方面的进展；采用离子束溅射、叁聚氰胺高温高压和叁聚氰胺热解以及产物的脉冲放电和高速冲击加脉冲放电处理等叁种方法，探索了碳氮化合物的合成途径；借助X射线能谱、X射线衍射、透射电镜、X射线光电子谱和红外光谱等手段，对所获得的碳氮薄膜和碳氮粉末进行了成分、晶体结构、价键结构等性质的分析。 研究结果表明：在离子能量为800～1200eV的氮离子溅射条件下，室温沉积的CN_x(单层膜中，N的平均含量约为20at％，最高含量可达30at％，纳米尺度的β-C_3N_4和立方C_3N_4相镶嵌在非晶CN_x(薄膜中；当基片温度200～850℃范围内变化时，薄膜中的主晶相转变为α-C_3N_4。 在离子束溅射制备的TiN_y薄膜中，当沉积温度在650℃以下时，Ti_2N晶体弥散分布在非晶的TiN_y薄膜中；而650℃以上沉积的薄膜中主晶相为TiN，沉积温度越高，TiN相的(111)织构越明显。 在离子束溅射制备的CN_x／TiN_y多层膜中，[N]/[C]比介于1.6～4.5之间。根据各种理论预测的碳氮化合物结构因子数据，发现CN层中含有0.2～5um的β-C_3N_4、立方C_3N_4、类石墨C_3N_4叁种晶相；CN_x层的主要价键类型为碳氮单键(C-N)和碳氮双键(C=N)；在CN_x／TiN_y双层膜中，发现了立方C_3N_4在Ti_2N核心上的局域异质外延生长，其外延关系为：(1 1 2)cubic-C_3N_4∥(1 1 13)Ti_2N和[42(?)]cubic-C_3N_4∥[1(?)0]Ti_2N。 在800℃、5GPa压力条件下，叁聚氰胺发生裂解，获得成分为44.8at％C、52.1％N、3.1at％O的碳氮粉末，根据该碳氮粉末的X射线衍射数据分析，该粉末应为单斜结构的碳氮相，其点阵参数为α=8.5206(±0.00061)(？)、b=9.1512(±0.00066)(?)、c=10.2048(±0.00074)(?)、α=γ=90(±0.004)°、β=96.051(±0.004)°；在5GPa压力条件下，随处理温度升高，碳氮粉末的荧光发射峰产生红移。 叁聚氰胺经热解处理后，转变成乱层石墨型结构的碳氮粉末，与叁聚氰胺相比，其氢含量减少一半。叁聚氰胺热解产物再经脉冲放电和高速冲击加咏冲放电处理后，产物仍保持乱层石墨型结构，但有序性明显提高。
吴坚清[5]2008年在《非晶态碳膜和碳氮薄膜的结构与性质》文中指出非晶态碳薄膜和碳氮薄膜因其各种优良性质,如高硬度、耐磨损、可调光学带隙、大范围变化的导电能力等引起了人们的研究兴趣。但是目前有关碳的各种杂化态、碳薄膜中的无序化程度以及N掺杂对碳薄膜的光学和电学性质的影响的研究报道结论不尽相同,尚需要进行深入的研究。本论文采用双对向靶直流磁控溅射系统制备了两个系列样品,即不同溅射功率下的碳薄膜和不同氮气分压下的碳氮薄膜,并对样品的微观结构、光学、电学和缺陷态等性质进行了系统研究。不同溅射功率下制备的非晶态碳薄膜(a-C)均富含sp2C,sp2C聚集起来形成团簇的尺寸都非常小,薄膜中的无序化程度很高。因此,整体上看,薄膜的光学带隙都比较窄,室温电导率比较高,这不同于宽带隙的四面体碳(ta-C)和类金刚石碳(DLC)等类绝缘体材料。提高溅射功率可导致a-C薄膜内层中一些先前形成的sp3键向sp2键转变,薄膜中sp2C含量以及sp2C团簇的数目或尺寸相对有所增加;薄膜的光学带隙值从0.11 eV增加到0.70 eV,室温电导率减小两个数量级,从电子顺磁共振谱(EPR)获得的顺磁缺陷密度N s总体上增加了。低溅射功率下,与键角畸变有关的结构无序是导致光学带隙变窄的主要因素。提高溅射功率,薄膜的局域化参数N ( EF)?γ?3一直减小,说明低温下薄膜中电子跳跃导电能力减弱。随着氮气分压的增加,一部分C与N结合导致薄膜中的N含量先增加而后趋于饱和。掺入的N更倾向于与C形成各种非芳香环状结构的CN相,如N–sp3C、C≡N和N–sp2C等链状和闭合环状结构。薄膜的光学带隙、光学常数(n, k)以及导电能力的变化与大范围形成的非芳香环状结构CN相有关。l nσ~T?1/4关系曲线的前导因子σ00和斜率T0 1/4几乎呈线性增加变化,说明CN薄膜中发生的跳跃传导是带尾局域态内电子的跳跃导电。随着氮气分压增加,EPR一阶微分谱线中高斯分量所占比例增加,自旋与自旋之间的交换作用导致谱线的峰–峰宽度减小,N s总体上有所增加。
陈支勇[6]2010年在《稀土掺杂SiC_xN_y薄膜制备及其性质研究》文中指出SiCN是一种新颖的硅基光电材料,而稀土掺杂是一种进一步优化SiCN光学性能的有益尝试,我们制备并研究了稀土掺杂与未掺杂SiCN薄膜。(1) SiCxNy薄膜的制备和性质研究利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCxNy薄膜,并利用X-射线衍射(XRD)、红外吸收谱(FTIR)和X-射线光电子谱(XPS)对薄膜的结构、成份及化学键合状态进行了分析。结果表明,室温制备的SiCN薄膜为非晶状态,并形成了Si-C、Si-N和C-N键；通过改变N2/Ar比,衬底沉积温度,溅射功率等参数可以改变薄膜中的Si,C,N叁元素的比例。进而改变薄膜的光学等性质。而在高温下(衬底温度为800℃),薄膜中含有SiCxNy的晶体成分,薄膜表面变得粗糙,SiCxNy薄膜具有较好的光致发光性能。(2)SiCN薄膜基电致发光器件的制备和性质研究在P型硅和ITO基底上反应溅射沉积了200nm左右的SiC,,Ny薄膜,并镀上Al电极形成叁明治结构,研究了各种N2分压下器件的电学和发光性质研究表明随着N2分量的增加,器件由双向导电变为单向导电进而最后变为绝缘态,而EL现象由双向导通发光变为单向导通发光,最后变为不发光,建立模型解释了这种现象。发现SiCxNy由于其复杂的网络结构,具有很宽的发光包,发光光谱涵盖400～700nm范围。(3)稀土掺杂SiCN薄膜的制备和后处理及发光性质研究分别在N2和NH3气氛下共溅射法制备了样品,发现稀土Tb掺杂样品具有很好的绿光效应。研究了不同温度和气氛环境下退火处理的样品,发现800℃下NH3处理的样品具有最强的肉眼可见的强绿光发射,空气中700。C以下退火的样品呈现强蓝绿光发射,而碳热处理的样品,1250℃下分解为SiC纳米晶和其他团簇,800℃下退火的样品是最适合的退火温度。用XRD, IR, XPS, PL, PLE等研究了样品分解机制和发光的能量传递机理。
刘军[7]2007年在《CNx薄膜的制备与研究》文中认为自从Liu和Cohen在局域态密度近似下用赝势法进行计算，从理论上预言了氮化碳的理想结构β-C_3N_4的硬度接近或超过金刚石的硬度，CN_X薄膜的研究受到广泛的重视。本文利用直流和射频磁控反应溅射法在硬质合金YG8上沉积了CN_X薄膜，系统研究了磁控反应溅射法制备CN_X薄膜的制备技术，CN_X薄膜的结构、成键状态、膜基结合力以及摩擦学性能。在此基础上，研究了衬底腐蚀、制备中间层和高压后处理对CN_X薄膜结构与性能的影响。同时，通过研究以高速钢(W_(18)Cr_4V)和单晶硅(100)为衬底时CN_X薄膜的制备及性能，分析不同衬底对CN_X薄膜制备、结构与性能的影响。为了揭示CN_X薄膜的微观结构及薄膜沉积过程的微观机制，论文对晶态、液态和非晶态C_3N_4的微观结构进行了分子动力学模拟，并用第一性原理方法模拟了单个C、N原子以及C2、N2、CN团簇在硬质合金表面的沉积过程。研究表明，在YG8硬质合金衬底上沉积的CN_X薄膜中存在C-N、C=N、C≡N键。射频磁控反应溅射法有利于碳氮的化学键合，并可以提高膜基结合力和CN_X薄膜耐磨性能，但直流磁控反应溅射法制备的CN_X薄膜具有很好的减摩作用。衬底负偏压对碳氮的化学键合有一定影响，适当的衬底负偏压有利于碳氮的化学键合，提高了膜基结合力并减轻CN_X薄膜的粘着磨损，还有利于改善CN_X薄膜的表面粗糙度。研究发现，衬底化学腐蚀预处理或加TiN和Si_3N_4中间过渡层有利于提高膜基结合力，但是Si_3N_4中间层的提高附着力的效果不如TiN中间层。TiN中间层的加入有利于氮化碳中碳和氮的成键，能够降低射频溅射CN_X薄膜的摩擦系数，提高CN_X薄膜的耐磨性能。而经过高压后处理的CN_X薄膜摩擦系数显着减小，具有良好的减摩效果。研究表明，以高速钢(W_(18)Cr_4V)为衬底制备CN_X／TiN复合薄膜的膜基结合力低于以YG8硬质合金为衬底制备的薄膜。但适当的衬底负偏压或在衬底上先加一层Ti层对薄膜的膜基结合力有提高作用。同时，Ti层的加入可以明显提高薄膜的耐磨性。以单晶硅(100)作为衬底时，CN_X薄膜的晶化性能较好，薄膜中形成一定数量的α相和β相氮化碳晶相。溅射功率的提高可以促进晶相的形成，并有利于薄膜粗糙度的降低。论文采用Discover模块和等温分子动力学方法模拟了C_3N_4的微观结构。模拟结果表明，晶态C_3N_4分别形成四面体和叁角形配位。液态C_3N_4中，C和N的配位数下降，键角和键长分布趋于无序化。非晶C_3N_4与晶态C_3N_4有着相同的结构基元，但C和N的配位数下降，有一部分C原子形成叁次配位的石墨型结构。通过分子动力学模拟得到β-C_3N_4的体弹性模量与从头计算法计算得到的理论计算值相近。用第一性原理方法对C、N原子在不同衬底表面吸附特性的模拟研究表明，C、N原子在硬质合金YG8、高速钢(W_(18)Cr_4V)和单晶硅(100)表面都形成化学吸附，但C、N在高速钢表面的吸附最稳定。但C2、N2和CN团簇在不同衬底表面的吸附特性与单个原子不同。C2和CN在叁种衬底表面都形成化学吸附，而N2在硬质合金YG8的WC(100)面及高速钢(W_(18)Cr_4V)的(110)面不形成化学吸附。团簇CN在Si(100)晶面的化学吸附能要明显大于在硬质合金表面和高速钢表面的吸附能，单晶硅表面对CN_x薄膜的生长最为有利。对比模拟结果和薄膜制备实验结果可以推测溅射时碳、氮不是以单个原子的形式与衬底表面结合。
孙洪涛[8]2007年在《计算机模拟CN_X成膜结构与吸附沉积》文中研究表明尽管理论上已经预言β-C_3N_4硬度有可能超过金刚石，但至今为止人们仍未合成硬度超过金刚石的β-C_3N_4，主要原因是沉积物中多为非晶CN_x薄膜，很难得到单一相的氮化碳化合物。另外，目前又没有天然存在的标样，使得对晶态氮化碳的结构研究受到很大制约，有许多问题有待研究。本论文对晶态C_3N_4的微观结构进行了计算机模拟。模拟结果显示：在C_3N_4晶体中，C和N原子的配位数分别为3.94和3.09，C为四面体配位。计算得到β-C_3N_4的体弹性模量为436.2GPa，与Liu采用可变晶格模型分子动力学(VCS-MD)从头计算法计算得到的体弹性模量437GPa基本一致。用分子动力学方法和第一性原理方法模拟了C2、N2、CN团簇在硬质合金表面的沉积过程，为团簇与表面的作用搭建了两种不同的吸附模型，即物理吸附模型和化学吸附模型，基体温度分别取为298K、400K、500K、600K和700K。模拟中，还计算了不同基体温度下团簇与表面的相互作用能，并对团簇在衬底表面的吸附结构、吸附能以及成键情况进行了讨论。模拟结果显示：团簇与叁种晶面都成化学吸附，N2分子与近邻W原子不成键，而C2分子与W原子的成键最强，CN吸附在WC(100)表面上时在W和CN之间存在比较强的离子键，使得CN能够较稳定地吸附在WC(100)表面上。在硅衬底表面由于C、N团簇的吸附Si原子的悬挂键被C(N)原子部分饱和，且Si(100)表面由于C2的吸附具有金属性。C2、N2和CN团簇都与Cu表面成化学吸附，且C2在Cu表面的吸附最为稳定，CN次之，N2与Cu表面化学吸附较弱。在硬质合金表面，模拟出了对生长CN_X薄膜有利的衬底温度为600K。
余东海[9]2005年在《离子束辅助真空电弧沉积TiN/CNx薄膜的研究》文中提出本文研究了采用钛/石墨复合靶和钛/甲烷/氮气真空电弧沉积法,利用Bulat-6多弧离子镀膜机在不同的工艺参数下制备了TiN/CNx复合薄膜,并用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对薄膜进行了结构和形貌表征,用显微硬度计、摩擦磨损实验仪对薄膜的性能进行了检测;分析了离子束加速电压、离子束流、氮气压力及靶材成份对钛/石墨复合靶工艺制备TiN/CNx薄膜的组织结构、表面断面形貌、显微硬度和摩擦磨损性能的影响;分析了氮气、甲烷以不同的比例和方式通入到镀膜室对钛/甲烷/氮气工艺制备TiN/CNx薄膜的组织结构、形貌、显微硬度和摩擦磨损性能的影响。结果表明: 石墨靶真空电弧沉积是制备CNx薄膜是可行的方法之一,该方法制备的CNx膜层中有少量的β-C_3N_4相生成。真空电弧沉积时,弧流的大小影响复合靶中石墨的蒸发量,在钛/石墨复合靶制备TiN/CNx薄膜时,弧流为75A时,石墨含量1.5%(wt)复合靶获得与靶材设计较接近的成份比。较低离子束加速电压下沉积的TiN/CNx薄膜较厚,获得膜层显微硬度高,但较高的离子束加速电压下,离子束对薄膜表面溅射作用增强,沉积的膜层较薄。氮气压力对沉积TiN/CNx薄膜的硬度影响明显,提高氮气压力,获得的TiN/CNx薄膜显微硬度较高。本实验在钛/石墨复合靶制备TiN/CNx复合薄膜时,离子加速电压为2500V,离子束流约为120mA时,氮气压力4.1×10~(-1)Pa时获得的薄膜显微硬度最高,达到HV_(0.025)2875。石墨含量为1.5%(wt)的复合靶比3%(wt)的复合靶制备的TiN/CNx薄膜显微硬度高;石墨含量为3%(wt)的复合靶制各的TiN/CNx薄膜对GCr15钢球的摩擦阻力系数较小,与钢球有较好的对磨性。 采用甲烷和氮气经大束流的离子源离化后制备的CNx薄膜有少量β-C_3N_4相生成,同时还检测到未能确定的CN相。钛/甲烷/氮气工艺真空电弧制备TiN/CNx薄膜时,氮气先经过离子源离化再进入到镀膜室,当甲烷:氮气比例为1:4时,沉积的TiN/CNx薄膜的膜层较厚,显微硬度最高,达到HV_(0.025)4009,薄膜表面钛液滴较多,膜层表面粗糙。甲烷:氮气比例为1:8时,无离子束辅助沉积的TiN/CNx薄膜较厚,显微硬度HV_(0.025)3127。甲烷与氮气的比例对TiN/CNx薄膜的影响明显,甲烷与氮气比例为1:2时,虽然薄膜的显微硬度较低,但沉积的薄膜对钢球的磨损较小,有较好的对磨性。甲烷与氮气比例为1:4和1:6时,沉积的TiN/CNx薄
唐利强[10]2007年在《磁控溅射法制备CNx薄膜及其性能研究》文中提出1989年，Liu和Cohen在局域态密度近似下用赝势法计算从理论上预言了氮化碳的理想结构β-C_3N_4的硬度接近或超过金刚石的硬度。到目前为止，制备的样品多为非晶态，只有少数样品中含有少量的晶相。尽管如此，研究表明，非晶态的CNx仍然具有高弹性、摩擦系数小、抗氧化、耐磨损、防腐蚀等优良性能。因而在国际上受到广泛的重视。本工作利用直流和射频磁控反应溅射法在硬质合金YG8以及Si(100)上沉积了CNx薄膜以及CNx／TiN复合薄膜，并对样品进行了后处理。系统的研究了磁控反应溅射法制备的CNx薄膜的结构、成键状态、附着力以及摩擦磨损性能。通过AFM测试发现，施加100V负偏压后，CNx薄膜的粗糙度减小；在50～200W范围内随着溅射功率的增加，薄膜的表面粗糙度减小。薄膜的沉积率随溅射功率的增大而增大；随偏压的增加先增加后减小，当负偏压为100V时薄膜的沉积率达到最大值。XRD分析所得CNx薄膜主要为非晶态，同时存在一定的α相与β相，FTIR分析表明CNx中含有C-N，C=N，C=N，C-H和N-H，C-H，N-H的存在表明沉积在衬底的CNx薄膜有从空气中吸氢或吸湿的能力；射频反应磁控溅射法更有助于C≡N的形成。XPS分析表明C，N原子是以化合态存在的，沉积中间过渡层TiN后结合能位移增大，对于氮化碳的生成和提高薄膜中的含氮量是有利的。经后处理的样品中除了存在CN化学键外，还存在sp~3B-N。通过划痕试验表明，直流磁控溅射的样品附着力较差在20N以下，而射频磁控溅射法制备的样品附着力较好，经过腐蚀处理和施加中间过渡层TiN以后附着力达到了34～58N，达到了JB／T8365-96标准，摩擦磨损实验表明CNx与CNx／TiN复合薄膜具有良好的耐磨性能，经过后处理的样品减摩效果显着，对耐磨性没有提高。CNx薄膜和CNx／TiN复合薄膜具有硬度高、化学性能稳定、耐摩擦磨损等性能，并且与硬质合金衬底结合牢固，可作为新型的工具涂层，在机械、能源、军工等各方面都具有很好的应用前景。
参考文献：
[1]. 离子束溅射法制备C-N薄膜的研究[D]. 柳翠. 燕山大学. 2001
[2]. 离子束辅助沉积ZrN/TiAlN和CN_x/TiAlN纳米多层膜的研究[D]. 曹猛. 天津师范大学. 2008
[3]. 基片温度对CN_x薄膜性能和结构的影响[J]. 柳翠, 李东春, 于栋利, 何巨龙, 田永君. 燕山大学学报. 2002
[4]. 碳氮化合物合成方法及其晶体结构的研究[D]. 于栋利. 燕山大学. 2001
[5]. 非晶态碳膜和碳氮薄膜的结构与性质[D]. 吴坚清. 天津大学. 2008
[6]. 稀土掺杂SiC_xN_y薄膜制备及其性质研究[D]. 陈支勇. 兰州大学. 2010
[7]. CNx薄膜的制备与研究[D]. 刘军. 江苏大学. 2007
[8]. 计算机模拟CN_X成膜结构与吸附沉积[D]. 孙洪涛. 西安建筑科技大学. 2007
[9]. 离子束辅助真空电弧沉积TiN/CNx薄膜的研究[D]. 余东海. 广东工业大学. 2005
[10]. 磁控溅射法制备CNx薄膜及其性能研究[D]. 唐利强. 江苏大学. 2007
标签：工业通用技术及设备论文; 磁控溅射论文; 射频溅射论文; 原子结构论文; 石墨结构论文; 分子和原子论文; 石墨论文; n2论文;