陈俊英[1]2000年在《CH4/H2系统电子助进热丝化学气相沉积动力学过程研究》文中认为本文采用蒙特卡罗方法，首次对H_2和CH_4混合气体作为源气体的EACVD动力学进行了研究，初步建立了EACVD气相动力学模型，得到结果如下：存在一个合适的E/N（电场与气体粒子数密度之比，单位为1Td=10~(-17)Vcm~2）使电子碰撞氢分解最多；过高的E/N不适合金刚石薄膜的生长；电子碰撞CH_4产生的碎片中CH_3，CH_2~+，CH~+等是生长金刚石的主要活性基团；计算了电子群在H_2及CH_4中的漂移速度，结果与实验符合得很好。上述结果对EACVD中控制实验条件合成高品质金刚石薄膜具有重要意义，同时对直流电场中电子群运动的研究具有重要的参考价值。
张玉红[2]2001年在《H_2/C_2H_2系统电子助进热丝化学气相沉积动力学过程研究》文中认为本工作采用蒙特卡罗方法，首次对以H_2/C_2H_2为源气体合成金刚石薄膜的EACVD过程进行了研究，初步建立了EACVD气相动力学模型。主要结果如下：（1）研究了氢原子的产生及其空间分布随实验条件的变化。给出了气体温度取平均温度及取随空间变化的温度时，偏压为100V、200V、300V的条件下，氢原子的产生；（2）研究了低温淀积金刚石的生长机制，提出了金刚石生长所需的基片温度和基片表面上含碳粒子能量的关系，并且指出：如果要获得高质量的金刚石薄膜，除了含碳物种具有沿着基片表面扩散的能力外，还要求有大量的氢原子存在；（3）提出了一种由氢原子谱线测定电子平均能量的方法，结果对EACVD生长金刚石薄膜过程中，实时监测电子平均能量具有重要的意义，进而可以有效地控制工艺条件，生长出高质量的金刚石薄膜；（4）给出了在不同E/N条件下，电子在乙炔分子中的漂移速度曲线，及在不同E/N条件下，电子的能量分布情况。上述结果对于EACVD合成金刚石薄膜中实验参数的选择及低温下合成高质量金刚石薄膜具有重要的意义；同时，对于直流电场中电子群运动的研究也具有重要的参考价值。
参考文献：
[1]. CH4/H2系统电子助进热丝化学气相沉积动力学过程研究[D]. 陈俊英. 河北大学. 2000
[2]. H_2/C_2H_2系统电子助进热丝化学气相沉积动力学过程研究[D]. 张玉红. 河北大学. 2001
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