![半导体技术发展过程中的基本研究分析论文_刘晓芳,]()
(天津环鑫科技发展有限公司300384)摘要：在硅技术领域，对于芯片的尺寸正在逐渐的变小，晶圆的尺寸在不断的增大，这两种需求正在积极的推动着半导体技术快速的向前发展。随着半导体...
![半导体行业废水处理方法概述论文_张学良]()
江苏中电创新环境科技有限公司江苏省无锡市214073摘要：该文章主要叙述了半导体行业的废水种类、来源、处理方法，并预测废水处理的未来发展方向。关键词：含氟废水；含磷废水；有机废...
![探讨电子科学技术中的半导体材料发展趋势论文_陈超]()
佛山市美的清湖净水设备有限公司广东佛山528311摘要：对于电子科学技术中半导体材料发展趋势问题进行分析与研究，有利于我国应用现有的研发成果，不断引进国外的新技术，在消化、吸收...
![半导体工厂综合安防体系构建与风险评价研究论文_禹继尧]()
西安卫光科技有限公司陕西西安710000摘要：随着经济的迅速发展，我国的科学技术也随之得到了很大的进步，在我国当前的工业领域中，也开始适应一些较为新型的技术，来投入实际的生产、...
![电子安装技术的最新动向和展望论文_董博]()
中国三冶电装公司辽宁鞍山114001摘要：近年来，随着科学技术的发展，我国电子安装技术得到了不断进步，这带动了我国电子行业的不断繁荣发展，对于我们每个人的日常生活都有着密切的联...
![关于光通信用可调谐激光器的研究探讨论文_付健]()
（汉口学院机电工程学院湖北省武汉市430212）摘要：随着人们对通信网络传输容量需求的加大，可调谐激光器技术在光通信用的应用不断增加。本文主要对可调谐激光器的现状做了相应研究，...
![大功率半导体元器件可靠性分析论文_陈小雪]()
（天津环鑫科技发展有限公司300384）摘要：产品的可靠性是衡量质量的重要指标，是能否保持优良性能的关键因素。若产品出现不可靠问题，技术性能就无法得到发挥，那么可靠性也就毫无保...
![工业陶瓷材料及其制品的市场研究论文_王洪敏,冯雪莲,陈常祝,赵晶]()
山东工业陶瓷研究设计院有限公司山东淄博255000摘要：文章主要围绕工业陶瓷展开叙述，其中对工业陶瓷材料和制成品进行了详细介绍，然后详细描述了陶瓷的种类和应用，希望可以不断推动...
![LED和OLED在车灯上的应用及发展论文_司亮]()
曼德电子电器有限公司保定光电分公司河北保定071000摘要：随着汽车工业的飞速发展，对汽车照明提出了越来越高的要求，车灯的发展将以LED光源为基础，以新型电子技术、新型光学设计...
![生物羊膜+半导体激光治疗鼻腔粘连的疗效评价论文_曾强悍 伍海洋 何政]()
（汉寿县人民医院五官科湖南常德415900）摘要：目的观察鼻腔粘连应用生物羊膜+半导体激光治疗鼻腔粘连的疗效。方法随机抽取本院自2014年2月到2016年5月收治的鼻腔粘连患者...
![三星员工患癌症的毛病是谁？_三星论文]()
三星工人患癌疑云谁之过？，本文主要内容关键词为：三星论文,疑云论文,之过论文,工人论文，此文献不代表本站观点，内容供学术参考，文章仅供参考阅读下载。58岁韩国出租车司机黄相基的...
![铅盐的电子结构和光学性质及其（001）面结构的理论研究]()
马健新[1]2004年在《铅盐的电子结构和光学性质及其（001）面结构的理论研究》文中指出面心结构的铅盐PbS、PbSe、PbTe是一类窄带隙半导体化合物，具有许多优良的光电和热电特性，如高的折射率和正的热电系数。在红外探测、光散射、光纤激光技术和太阳能技术方面已有广泛的应用。最近，人们对铅盐的异质...
![水相体系中半导体复合纳米粒子的研究]()
王祎亚[1]2004年在《水相体系中半导体复合纳米粒子的研究》文中认为纳米科学技术（Nano-ST）、信息技术和生物技术并称为现代世界的叁大技术，它起步于20世纪80年代末期，是一门新兴的科学技术，所研究的领域是人类过去从未涉及的非宏观、非微观的介观领域，这标志着人类的科学技术进入了一个新时代，即纳...
![纳米SnO2及其复合体系表面界面光电性质研究]()
刘向阳[1]2004年在《纳米SnO_2及其复合体系表面界面光电性质研究》文中研究说明近年来，半导体纳米粒子与无机或有机半导体功能材料复合体系的研究越来越受到人们的关注。纳米材料的诞生为纳米复合材料的研究增添了新内涵，利用纳米微粒的特性，进行纳米尺度的合成，可以使复合体系各组元之间的协同和增强作用得...
![数值CV方法的研究与SDB硅膜厚度的测量]()
李慕荣[1]2004年在《数值CV方法的研究与SDB硅膜厚度的测量》文中提出由于世界范围内对半导体产品的需求持续上扬，半导体工业的进步以及对制造微型芯片最为关键的薄硅晶片的大量需求将引导半导体黄金时代的发展，对半导体科学的研究也提出了更高的要求。半导体技术的发展与封装、组装、测试技术的发展密不可分。...
![碳化硅场效应晶体管技术与特性研究]()
徐昌发[1]2002年在《碳化硅场效应晶体管技术与特性研究》文中研究表明SiC材料由于具有宽禁带、高临界击穿电场、高饱和电子漂移速度、较大的热导率等优良特性，因此成为制作高温、高频、大功率器件的理想半导体材料。本文主要研究SiC场效应晶体管的特性和制作工艺。论文分析建立了4H-SiCMOSFET和M...
![碳化硅宽带隙半导体薄膜的异质外延生长技术及其结构性质分析]()
张永华[1]2002年在《碳化硅宽带隙半导体薄膜的异质外延生长技术及其结构性质分析》文中提出SiC是一种宽带隙半导体材料、第叁代半导体材料的代表，是制造高温、高频、大功率、抗辐照等半导体器件的优选材料，又被称为极端电子学材料，在微电子学领域具有广阔的应用前景。本论文提出了在蓝宝石上引入一层缓冲层材料...
![纳米二氧化钛的制备、修饰与催化特征研究]()
熊忠华[1]2002年在《纳米二氧化钛的制备、修饰与催化特征研究》文中研究表明本文以钛酸丁酯为前驱体，利用溶胶—凝胶法制备了纳米级的TiO_2粉体材料，通过正交实验研究了醇盐的浓度、溶剂的种类、水含量、水解温度、干燥条件和煅烧温度等工艺条件对纳米粒子的比表面积、粒径大小及分布、晶相组成等性能的影响。...
![Si/SiGe异质结器件研究]()
王佳瑛[1]2015年在《黑磷光电特性及其异质结器件研究》文中认为黑磷作为一种新型的二维材料由于具有良好的电学与光电特性,因此受到科研工作者的广泛关注。黑磷属于双极性的窄带隙的半导体,其带隙为直接带隙,带隙类型不随着黑磷厚度的变化而改变;黑磷场效应管器件的载流子迁移率可以达到10000cm2V-1s...
![半导体光放大器及测试研究]()
冯志伟[1]2002年在《半导体光放大器及测试研究》文中研究表明随着宽带传输和宽带接入以及全光网的组建和发展，大带宽偏振不灵敏半导体光放大器(semiconductoropticalamplifier,SOA)由于其易于与其它器件集成，体积小，具有快的动态增益响应，非线性好，饱和输出大，可实现无损操...
