• 金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究

    金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究

    吴雪梅[1]2002年在《金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究》文中进行了进一步梳理光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一,光电子集成器件在信息时代有极其重要的作用。由于硅的平面集成工艺已相当成熟,所以从工艺兼容性考虑,用硅基材料作为发光器件将是最佳的选择,而其获得应用的关键是提高发...
  • 碳纳米管电子结构及输运特性的研究

    碳纳米管电子结构及输运特性的研究

    张振华[1]2002年在《碳纳米管电子结构及输运特性的研究》文中指出本论文首先对碳纳米管(CNTs)的研究进展—制备与纯化、理化性质、技术应用、研究领域、研究方法及研究成果等进行全面评述,并对CNTs的原子结构、Brillouin区特点及与石墨的渊源关系进行了系统的讨论。在此基础上,重点研究了CNT...
  • MOS器件总剂量辐射加固技术研究

    MOS器件总剂量辐射加固技术研究

    肖志强[1]2011年在《SOI器件电离总剂量辐射特性研究》文中指出SOI(Silicon-on-insulator)技术已经得到了广泛应用,被国际上公认为“二十一世纪的硅集成电路技术”,抗辐射领域是SOI技术最初、最重要的应用领域,依然保持着持续的发展。本文对低压SOICMOS、高压SOICMOS...
  • 平均键能物理内涵与肖特基势垒和异质结带阶的研究

    平均键能物理内涵与肖特基势垒和异质结带阶的研究

    李书平[1]2001年在《平均键能物理内涵与肖特基势垒和异质结带阶的研究》文中研究说明金属—半导体接触在技术上十分重要,在半导体器件和集成电路中广泛地利用着各种不同性质的金属—半导体接触,因而器件与集成电路的质量和可靠性在很大程度上依赖于电路中金属—半导体接触的性质:半导体异质结的价带带阶ΔE_p和...
  • 常温半导体氧传感器

    常温半导体氧传感器

    洪吉[1]2001年在《常温半导体氧传感器》文中研究指明本文回顾了半导体气体传感器的发展历程和研究现状,在综合了大量国内外最新研究情况后,提出了一种新型的二氧化锡半导体氧传感器,它能够在不加热的条件下,在室温下检测环境气体中的氧气浓度。实验选择了现在新兴的溶胶-凝胶法置备具有大比表面积和多活性位的超...
  • 微腔半导体激光器的微腔结构、调制特性及光纤传输

    微腔半导体激光器的微腔结构、调制特性及光纤传输

    赵红东,林世鸣,张存善,王守武,沈光地[1]1998年在《微腔激光器数码调制及其光纤传输的研究》文中提出从微腔半导体激光器速率方程出发,分析讨论了微腔激光器的脉码调制特性,发现微腔具有较规则的脉冲响应,可以减少误码率;自发发射因子为0.1的微腔,具有脉码率高达50Gbit/s良好的调制眼图,微腔激光...
  • 导电聚合物-纳米半导体微粒复合膜的制备和性能研究

    导电聚合物-纳米半导体微粒复合膜的制备和性能研究

    黄怀国[1]2001年在《导电聚合物-纳米半导体微粒复合膜的制备和性能研究》文中研究表明半导体纳米材料虽然制备方法很多,但因其粒径小,表面能高,易团聚而不能较好地得到广泛应用。若它同聚合物相结合,聚合物可起到载体作用,不仅可以防止团聚,而且可以控制粒子的尺寸大小和分布及提高稳定性,更重要的是,若想将...
  • 半导体泵浦 Nd:YAG-KTP碘分子吸收多普勒展宽中心稳频激光器的射频系统研究

    半导体泵浦 Nd:YAG-KTP碘分子吸收多普勒展宽中心稳频激光器的射频系统研究

    王振[1]2006年在《新型高性能半导体泵浦固体激光电源技术研究》文中进行了进一步梳理本文主要内容是关于新型高性能半导体泵浦固体激光器电源技术的研究。随着激光产业的发展,大功率半导体泵浦固体激光器在工业加工中的应用也愈来愈广泛,同时对作为激光器重要组成部分的激光电源也提出了更高的要求。本文首先通过对...
  • 几种半导体高指数表面电子特性研究

    几种半导体高指数表面电子特性研究

    贾瑜[1]2003年在《金属、半导体高密勒指数表面:表面能和电子结构》文中指出金属和半导体材料的高密勒指数表面是目前表面科学研究的一个热点问题,也是值得更进一步研究的问题,目前的研究主要集中在对表面几何结构的确定,而对表面电子特性的认识几乎很少涉及,本文根据目前实验上对一些表面已有的研究结果,在理论...
  • 波长1.3μm高速光电探测器研究

    波长1.3μm高速光电探测器研究

    杜鸣笛[1]2014年在《基于金属交叉电极耦合谐振腔增强结构的高性能光电探测器研究》文中研究指明光电探测器是光纤通信系统的基本器件,也是混频法产生无线波的重要元件。随着高速光纤通信和太赫兹(THz)波的发展,这就要求光电探测器向高速方向发展。金属-半导体-金属交叉电极具有很低的电容而被广泛地应用于高...