半导体产业论文

摘要：“十三五”以来，我国各级政府部门出台了多个科技领域相关政策，以及由国家指导性政策衍生的多个具体实施规划及举措，旨在促进我国新材料产业及技术的发展，...

一、全球半导体市场开始回暖（论文文献综述）张赛男,谢韫力[1]（2022）在《半导体2021年报预告风向标：业绩普遍预喜却暗藏隐忧股价集体疯涨行情或难再现》文中提出受益于全球缺...

台湾半导体工业的崛起及发展，本文主要内容关键词为：台湾论文,半导体论文,工业论文，此文献不代表本站观点，内容供学术参考，文章仅供参考阅读下载。半导体工业是台湾当局重点发展的“十...

贝尔实验室的半导体研究－晶体管的发明[*]——兼论战略研究，本文主要内容关键词为：贝尔论文,晶体管论文,论战论文,半导体论文,实验室论文，此文献不代表本站观点，内容供学术参考，...

我国半导体产业发展存在的问题及政府行为初探，本文主要内容关键词为：产业发展论文,半导体论文,我国论文,政府论文，此文献不代表本站观点，内容供学术参考，文章仅供参考阅读下载。传统...

半导体集成电路知识产权的法律保护，本文主要内容关键词为：集成电路论文,半导体论文,法律保护论文,知识产权论文，此文献不代表本站观点，内容供学术参考，文章仅供参考阅读下载。[中图...

中美半导体贸易争端的政治经济分析，本文主要内容关键词为：中美论文,争端论文,半导体论文,经济分析论文,政治论文，此文献不代表本站观点，内容供学术参考，文章仅供参考阅读下载。一、...

半导体内光电效应及其应用简介——对高中物理教材中光电效应部分内容的补充与探讨，本文主要内容关键词为：光电效应论文,部分内容论文,半导体论文,及其应用论文,高中物理论文，此文献不...

聚焦国产自主可控半导体迎发展良机当前，中国已成为世界第二大经济体，但在芯片、半导体等关键技术领域还是严重依赖进口，国产自主可控势在必行。其中，芯片国产化是重中之重，而半导体、集...

（无锡中微掩模电子有限公司江苏无锡214135）摘要：近几年，中国半导体产业在高速发展，半导体材料企业也在加速成长，取得了骄人成绩，但庞大的市场需求也凸显出产业所面临的困境。因...

（无锡中微掩模电子有限公司江苏无锡214028）摘要：在当前数字时代、智能时代，半导体无处不在，对科技和经济发展、社会和国家安全都有着重大意义。半导体产业属于高度资本密集+高度...

王祎亚[1]2004年在《水相体系中半导体复合纳米粒子的研究》文中认为纳米科学技术（Nano-ST）、信息技术和生物技术并称为现代世界的叁大技术，它起步于20世纪80年代末期，是一门新兴的科学技术，所研究的领域是人类过去从未涉及的非宏观、非微观的介观领域，这标志着人类的科学技术进入了一个新时代，即纳...

李伟[1]2013年在《低噪声高稳定性的半导体激光器电流源的研制》文中指出随着激光技术的发展，半导体激光器(LD)以其体积小、转换效率高、单色性好、方便集成、便于调制等于优点，广泛的应用于科研、医疗、通信、国防等领域。LD是一种以电流注入作为激励方式的半导体激光器，稳定可靠的半导体激光器驱动电源很大...

张良[1]2004年在《多量子阱半导体激光器与掺铒光纤激光器的研究》文中研究指明本论文就目前光通讯系统中最主要的两种激光器光源做了全面的论述,文章第一部分对多量子阱半导体外腔锁模激光器进行了理论和实验研究;第二部分对环形腔掺铒光纤激光器和光纤光栅多波长掺铒光纤激光器进行了理论和实验研究,为光纤激光器...

赵发英[1]2003年在《980nm泵浦激光器及其它半导体激光器和透镜光纤耦合的研究》文中提出随着高速度大容量光纤通信和光电子器件的迅猛发展，半导体激光器(LD)与单模光纤(SMF)的高效耦合日益受到人们的重视。它不仅直接影响光纤传输的中继距离，而且对改善LD泵浦掺铒光纤放大器(LDP-EDFA)，...

张斌[1]2003年在《半导体器件分布式模拟系统的设计》文中研究说明概述了半导体器件模拟软件的发展现状，分析了半导体器件的模型，研究了半导体器件模拟的基本方法和典型过程，分析了半导体器件发展的要求和几种器件模拟计算方式的比较及分布式器件并行模拟系统的必要性、可行性和现实意义。详细阐述了半导体器件数值...

吴正茂[1]2003年在《光纤通信中的某些光传输问题及光纤光栅外腔半导体激光器》文中提出在光纤通信中，正确模拟光脉冲在光纤中的传输演变过程无疑是非常重要的。就单一的光脉冲而言，其时间范围可以为无限，而在计算过程中我们只能就其中起主要作用的一段时间范围进行模拟，这一时间范围定义为时间窗口T_w。时间窗...

寇华敏[1]2003年在《硫化物纳米半导体材料的溶剂热合成及结构表征》文中认为本文利用水热、溶剂热等液相法，在低温下通过改变反应条件制备了不同尺寸和形貌的Bi_2S_3、CdS和ZnS纳米结构半导体材料，利用XRD、TEM、SAED等测试手段对每一种材料进行了表征和分析。研究了反应条件(所用溶剂、反...

陈玖琳[1]2003年在《几种半导体发光材料最佳掺杂含量的理论研究》文中研究表明半导体发光材料和器件是六十年代发展起来的半导体技术中的一个分支，单一的纯净本征半导体的性能往往不能满足实际的需要，发光效率或发光几率低，发光强度弱，提高发光效率的有效途径就是进行材料的掺杂改性。实验上发现，对发光材料的掺...

张永华[1]2002年在《碳化硅宽带隙半导体薄膜的异质外延生长技术及其结构性质分析》文中提出SiC是一种宽带隙半导体材料、第叁代半导体材料的代表，是制造高温、高频、大功率、抗辐照等半导体器件的优选材料，又被称为极端电子学材料，在微电子学领域具有广阔的应用前景。本论文提出了在蓝宝石上引入一层缓冲层材料...