![光纤环形腔半导体激光器全光波长转换技术研究]()
赵延[1]2002年在《光纤环形腔半导体激光器全光波长转换技术研究》文中进行了进一步梳理信息时代要求大容量的传输网络。波分复用(WDM)全光通信网充分利用了光纤巨大的带宽和优异的传输性能，具有良好的发展前景。全光波长转换器是WDM全光网中的一种关键器件，它在光交换、波长路由和波长再用等技术中有着广泛...
![半导体光放大器及测试研究]()
冯志伟[1]2002年在《半导体光放大器及测试研究》文中研究表明随着宽带传输和宽带接入以及全光网的组建和发展，大带宽偏振不灵敏半导体光放大器(semiconductoropticalamplifier,SOA)由于其易于与其它器件集成，体积小，具有快的动态增益响应，非线性好，饱和输出大，可实现无损操...
![新型半导体激光器热特性的研究及常规量子阱激光器的优化]()
张丽[1]2002年在《新型半导体激光器热特性的研究及常规量子阱激光器的优化》文中提出大功率半导体激光器在光通讯、医疗、军事、印刷和光泵浦等领域有着广泛的应用，然而当通过增加注入电流提高传统半导体激光器的光束出功率时，要受到电热烧毁和光腔面灾变性损坏(COD)的限制。通过反向偏置隧道结将多个有源区再...
![半导体激光器性能表征及脉冲测量技术研究]()
南矿军[1]2002年在《半导体激光器性能表征及脉冲测量技术研究》文中研究说明本论文主要论述了自行设计开发的一套计算机控制的半导体激光器脉冲测量表征系统，以及在不同的脉冲驱动条件下应用本系统对InAsP/InGaAsP脊波导多量子阱、InGaAsSb/AlGaAsSb脊波导多量子阱、InAlAs/I...
![金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究]()
吴雪梅[1]2002年在《金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究》文中进行了进一步梳理光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一，光电子集成器件在信息时代有极其重要的作用。由于硅的平面集成工艺已相当成熟，所以从工艺兼容性考虑，用硅基材料作为发光器件将是最佳的选择，而其获得应用的关键是提高发...
![脉冲半导体激光器供电电源的研制]()
刘广文[1]2002年在《脉冲半导体激光器供电电源的研制》文中研究表明半导体激光泵浦的固体激光器由于兼有了激光二极管和固体激光器的双重优点，近年来得到迅速发展，并在军事、通讯、加工和科研等领域中得到广泛的应用。本文针对半导体固体激光器泵浦固体YAG激光器系统对激光电源的要求，并且综合运用了当前在智能...
![常温半导体氧传感器]()
洪吉[1]2001年在《常温半导体氧传感器》文中研究指明本文回顾了半导体气体传感器的发展历程和研究现状，在综合了大量国内外最新研究情况后，提出了一种新型的二氧化锡半导体氧传感器，它能够在不加热的条件下，在室温下检测环境气体中的氧气浓度。实验选择了现在新兴的溶胶-凝胶法置备具有大比表面积和多活性位的超...
![微腔半导体激光器的微腔结构、调制特性及光纤传输]()
赵红东,林世鸣,张存善,王守武,沈光地[1]1998年在《微腔激光器数码调制及其光纤传输的研究》文中提出从微腔半导体激光器速率方程出发，分析讨论了微腔激光器的脉码调制特性，发现微腔具有较规则的脉冲响应，可以减少误码率；自发发射因子为０．１的微腔，具有脉码率高达５０Ｇｂｉｔ／ｓ良好的调制眼图，微腔激光...
![导电聚合物-纳米半导体微粒复合膜的制备和性能研究]()
黄怀国[1]2001年在《导电聚合物-纳米半导体微粒复合膜的制备和性能研究》文中研究表明半导体纳米材料虽然制备方法很多，但因其粒径小，表面能高，易团聚而不能较好地得到广泛应用。若它同聚合物相结合，聚合物可起到载体作用，不仅可以防止团聚，而且可以控制粒子的尺寸大小和分布及提高稳定性，更重要的是，若想将...
![半导体光催化氧化法处理废水的应用基础研究]()
杨丽梅[1]1999年在《半导体光催化氧化法处理废水的应用基础研究》文中指出本论文综述了光催化氧化法去除水中有机污染物的研究进展，对催化剂的固定方法以及光催化反应器的研究进展作以详细的论述，并概述了光催化氧化法的机理。本研究在自制的开放式旋转圆筒型光催化反应装置中，用二氧化钛作为催化剂，对印染废水进...
![GaAs基大功率半导体激光器和高亮度发光二极管特性分析]()
包玲[1]2000年在《GaAs基大功率半导体激光器和高亮度发光二极管特性分析》文中认为半导体激光器是光电子产业中最重要的组成部分，是继大规模集成电路之后，信息高技术领域中最有发展前途的产品之一。半导体发光管（LED）则是半导体光电子显示的核心器件。普通大功率半导体激光器存在着比较严重的发热问题，特...
![宽禁带半导体材料—AIN薄膜的离子束合成与表征]()
程莉莉[1]2000年在《宽禁带半导体材料—AIN薄膜的离子束合成与表征》文中研究表明氮化铝（AlN）是近年来广受人们重视的宽禁带半导体材料。它具有许多特殊的物理性能，因此，在许多方面已得到广泛应用或具有潜在的应用前景。AlN的主要优异性能如下：氮化铝（AlN）是一种宽禁带的半导体材料，AlN晶体是...
![半导体泵浦 Nd：YAG-KTP碘分子吸收多普勒展宽中心稳频激光器的射频系统研究]()
王振[1]2006年在《新型高性能半导体泵浦固体激光电源技术研究》文中进行了进一步梳理本文主要内容是关于新型高性能半导体泵浦固体激光器电源技术的研究。随着激光产业的发展,大功率半导体泵浦固体激光器在工业加工中的应用也愈来愈广泛,同时对作为激光器重要组成部分的激光电源也提出了更高的要求。本文首先通过对...
![几种半导体高指数表面电子特性研究]()
贾瑜[1]2003年在《金属、半导体高密勒指数表面：表面能和电子结构》文中指出金属和半导体材料的高密勒指数表面是目前表面科学研究的一个热点问题，也是值得更进一步研究的问题，目前的研究主要集中在对表面几何结构的确定，而对表面电子特性的认识几乎很少涉及，本文根据目前实验上对一些表面已有的研究结果，在理论...
