场效应管论文

徐昌发[1]2002年在《碳化硅场效应晶体管技术与特性研究》文中研究表明SiC材料由于具有宽禁带、高临界击穿电场、高饱和电子漂移速度、较大的热导率等优良特性，因此成为制作高温、高频、大功率器件的理想半导体材料。本文主要研究SiC场效应晶体管的特性和制作工艺。论文分析建立了4H-SiCMOSFET和M...