氮化镓论文

第三代半导体器件专利分析论文
第三代半导体器件专利分析李秾1金言2袁芳1郭丽君31.中国科学技术信息研究所北京100038；2.中国工程院战略咨询中心北京100088；3.北京师范大学图书馆北京100875...
大功率AlGaN/GaN HEMT关键制作工艺的研究
王冲[1]2006年在《AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的研制与特性分析》文中研究指明AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温大功率方面有非常好的应用前景。但是,AlGaN/GaNHEMT的工艺技术还不成熟,干法刻蚀、肖特基接触、欧姆接触、钝化、空气桥技术等多个关键工艺...
几种半导体发光材料最佳掺杂含量的理论研究
陈玖琳[1]2003年在《几种半导体发光材料最佳掺杂含量的理论研究》文中研究表明半导体发光材料和器件是六十年代发展起来的半导体技术中的一个分支，单一的纯净本征半导体的性能往往不能满足实际的需要，发光效率或发光几率低，发光强度弱，提高发光效率的有效途径就是进行材料的掺杂改性。实验上发现，对发光材料的掺...