rc吸收电路论文

新结构低功耗IGBT研究
阮新亮[1]2017年在《超低功耗FS-IGBT研究》文中进行了进一步梳理电导调制效应的存在使得IGBT器件具有非常低的导通压降和导通损耗,但这也使得其关断损耗较大,因此导通压降和关断损耗之间的矛盾关系已成为低功耗IGBT设计过程中最主要的难题。为了改善IGBT器件导通压降和关断损耗之间的折中关系,...