等离子论文

谭利文[1]2000年在《SiC薄膜的溅射法制备与结构性能研究》文中研究指明本文采用偏压辅助射频溅射法，在单晶Si、石英和不锈钢衬底上沉积SiC薄膜，在衬底没有附加热源加热的条件下，成功地制备出具有（111）择优取向的微晶SiC薄膜，并研究了主要的工艺参数对SiC薄膜生长特性的影响。实验结果表明，在...