![第三代半导体GaN材料现状探析论文]()
第三代半导体GaN材料现状探析◎王丹阳刘悦张峰郡李德才陈冲进入21世纪，随着人类社会的不断进步和近年来集成电路产业不断的更新换代，飞速发展的现代科技使得我们生活生产中对半导体产...
![GaN（0001）表面吸附小分子的密度泛函研究]()
吕乃霞[1]2004年在《GaN（0001）表面吸附小分子的密度泛函研究》文中提出GaN基半导体在短波长发光二极管、激光器和紫外探测器以及高温微电子器件等方面显示出广阔的应用前景，已成为人们研究的热点。广泛应用的六方结构GaN及其表面性质的研究是优化GaN单晶膜生长条件及改进器件工艺处理技术的理论基...
![大功率AlGaN/GaN HEMT关键制作工艺的研究]()
王冲[1]2006年在《AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的研制与特性分析》文中研究指明AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温大功率方面有非常好的应用前景。但是,AlGaN/GaNHEMT的工艺技术还不成熟,干法刻蚀、肖特基接触、欧姆接触、钝化、空气桥技术等多个关键工艺...
![平均键能物理内涵与肖特基势垒和异质结带阶的研究]()
李书平[1]2001年在《平均键能物理内涵与肖特基势垒和异质结带阶的研究》文中研究说明金属—半导体接触在技术上十分重要，在半导体器件和集成电路中广泛地利用着各种不同性质的金属—半导体接触，因而器件与集成电路的质量和可靠性在很大程度上依赖于电路中金属—半导体接触的性质：半导体异质结的价带带阶ΔE_p和...
![硅基GaN薄膜材料及紫外探测器原型器件研究]()
张昊翔[1]2001年在《硅基GaN薄膜材料及紫外探测器原型器件研究》文中研究说明近年来，宽禁带半导体材料GaN在短波长发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面的广阔应用前景而备受关注，发展十分迅速。由于体单晶难以制备，生长高质量的单晶薄膜材料是研究开发GaN基器件的基本前提条件。目...
![硅基GaN薄膜制备及紫外探测器的初步研究]()
王宇[1]2001年在《硅基GaN薄膜制备及紫外探测器的初步研究》文中进行了进一步梳理本硕士论文选题于国家教育部跨世纪人才和国家自然资金（No.69890230）资助的项目“硅基GaN的外延生长及器件应用”的一部分研究工作。近年来，宽禁带半导体材料GaN由于其在短波长发光器件、光探测器件以及抗辐射、...
![控制技术在GaN薄膜生长过程中的应用]()
王知学[1]2000年在《控制技术在GaN薄膜生长过程中的应用》文中指出以GaN为主的Ⅲ-Ⅴ族氮化物是近年来光电子材料领域研究的热门课题。它具有宽直接带隙、热导率高、抗辐射能力强等特性，是最有潜力的高温半导体材料。我室在1995年初设计研制成功国内第一台先进的ECR辅助MOCVD装置（见图2-1）。...
