![平面变压器PCB板绕组的损耗分析、计算与设计优化]()
旷建军[1]2001年在《平面变压器PCB板绕组的损耗分析、计算与设计优化》文中研究指明本文从Maxwell电磁场方程出发对一层薄铜箔的趋肤和邻近损耗进行了研究，得出铜箔的总损耗是趋肤和邻近效应单独起作用产生的损耗的和。从着名学者P.L.Dowell的一维变压器模型出发，建立了计算平面变压器绕组损耗...
![等离子体融断开关物理机制的粒子模拟研究]()
卓红斌[1]2002年在《等离子体融断开关物理机制的粒子模拟研究》文中提出等离子体融断开关(PEOS)是现代辐射物理和惯性约束聚变等研究领域中脉冲功率技术的关键部件之一，其工作机理目前尚无完善的理论解释和物理模型描述，实验现象因装置的多样性而差别较大，开关性能则有待进一步的提高。因此研究PEOS内部...
![碰撞效应对射频等离子体鞘层特性及刻蚀剖面的影响]()
邱华檀[1]2002年在《碰撞效应对射频等离子体鞘层特性及刻蚀剖面的影响》文中认为本文建立了一套自洽的碰撞射频等离子体鞘层理论模型，系统地研究了碰撞效应对等离子体鞘层的物理特性、离子入射到基板上的能量分布和角度分布以及刻蚀剖面的影响。首先将Liberman的无碰撞射频鞘层模型进行推广，考虑了离子与中...
![等离子体填充大功率微波器件及其相关问题的理论研究]()
高宏[1]1999年在《等离子体填充大功率微波器件及其相关问题的理论研究》文中指出近年来，一系列的实验研究表明，在高功率微波器件中填充等离子体可以大大增强其电子束与波的互作用效率，提高功率输出的水平；理论研究进而表明等离子体的参与有以下几个突出优点：1.由于等离子体电荷中和效应可以使器件在高于真空电...
