igbt论文

偏移场板和场限环终端结构设计方法的研究
李瑞贞[1]2003年在《偏移场板和场限环终端结构设计方法的研究》文中研究指明本文的工作分为两部分：场限环(FLR)终端结构和偏移场板(FP)终端结构的研究。首先详细介绍和比较了目前存在的叁种场限环终端设计方法。分步穷举法过于繁琐，耗费大量计算时间，没有多少实用价值。局部电离积分法的优点在于精确度高...
IGBT高频逆变电源主控电路的设计
张程远[1]2002年在《IGBT高频逆变电源主控电路的设计》文中认为本文在分析了IGBT(绝缘栅双极晶体管)特性的基础上，设计了一台容量为2KVA、频率为20KHZ的高频逆变电源。给出了直流斩波电路及全桥逆变电路的工作原理，此高频逆变电源可将75～130V的蓄电池直流电压逆变为110V，20KHZ...
新结构低功耗IGBT研究
阮新亮[1]2017年在《超低功耗FS-IGBT研究》文中进行了进一步梳理电导调制效应的存在使得IGBT器件具有非常低的导通压降和导通损耗,但这也使得其关断损耗较大,因此导通压降和关断损耗之间的矛盾关系已成为低功耗IGBT设计过程中最主要的难题。为了改善IGBT器件导通压降和关断损耗之间的折中关系,...