宽禁带半导体材料论文

程莉莉[1]2000年在《宽禁带半导体材料—AIN薄膜的离子束合成与表征》文中研究表明氮化铝（AlN）是近年来广受人们重视的宽禁带半导体材料。它具有许多特殊的物理性能，因此，在许多方面已得到广泛应用或具有潜在的应用前景。AlN的主要优异性能如下：氮化铝（AlN）是一种宽禁带的半导体材料，AlN晶体是...