![InGaAsP/InP量子阱激光器的模型分析]()
陈贵楚[1]2004年在《InGaAsP/InP量子阱激光器的模型分析》文中认为半导体激光器是一种电致发光器件，自60年代被发明以来，得到了迅猛的发展。随着其新结构与新材料出现以及其器件功能的不断扩展，它在越来越多的领域得到了广泛的应用，如光通信、光存储、军事、生物等各方面，因此关于半导体激光器的有...
![光子晶体激光器设计和有源层多量子阱的光学性质研究]()
雷华平[1]2004年在《光子晶体激光器设计和有源层多量子阱的光学性质研究》文中指出在信息社会中，半导体激光器是一种重要的光电子器件。为了提高半导体激光器的性能，本文将光子晶体结构引入半导体激光器中，利用光子晶体控制光在器件中的传播行为，改善激光器的光场约束和反馈性能。同时本文用光致荧光谱方法研究了...
![多量子阱半导体激光器与掺铒光纤激光器的研究]()
张良[1]2004年在《多量子阱半导体激光器与掺铒光纤激光器的研究》文中研究指明本论文就目前光通讯系统中最主要的两种激光器光源做了全面的论述,文章第一部分对多量子阱半导体外腔锁模激光器进行了理论和实验研究;第二部分对环形腔掺铒光纤激光器和光纤光栅多波长掺铒光纤激光器进行了理论和实验研究,为光纤激光器...
![半导体光放大器及测试研究]()
冯志伟[1]2002年在《半导体光放大器及测试研究》文中研究表明随着宽带传输和宽带接入以及全光网的组建和发展，大带宽偏振不灵敏半导体光放大器(semiconductoropticalamplifier,SOA)由于其易于与其它器件集成，体积小，具有快的动态增益响应，非线性好，饱和输出大，可实现无损操...
![新型半导体激光器热特性的研究及常规量子阱激光器的优化]()
张丽[1]2002年在《新型半导体激光器热特性的研究及常规量子阱激光器的优化》文中提出大功率半导体激光器在光通讯、医疗、军事、印刷和光泵浦等领域有着广泛的应用，然而当通过增加注入电流提高传统半导体激光器的光束出功率时，要受到电热烧毁和光腔面灾变性损坏(COD)的限制。通过反向偏置隧道结将多个有源区再...
![2μm锑化物激光器、探测器材料、器件及物理]()
林春[1]2001年在《2μm锑化物激光器、探测器材料、器件及物理》文中进行了进一步梳理本论文针对中红外2μm波段AIGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSbPIN探测器的特点和存在的问题，对激光器和探测器的结构进行了设计，并进行了锑化物材料的固态源分子束外延（SSMBE）生长...
![GaAs基大功率半导体激光器和高亮度发光二极管特性分析]()
包玲[1]2000年在《GaAs基大功率半导体激光器和高亮度发光二极管特性分析》文中认为半导体激光器是光电子产业中最重要的组成部分，是继大规模集成电路之后，信息高技术领域中最有发展前途的产品之一。半导体发光管（LED）则是半导体光电子显示的核心器件。普通大功率半导体激光器存在着比较严重的发热问题，特...
