量子阱

第二届半绝缘III-V材料会议简介
一、第二届半绝缘Ⅲ-V族材料会议简介（论文文献综述）张静[1]（2019）在《Ⅲ-Ⅴ族高迁移率材料异质外延及应用》文中研究说明在Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物中,具有最高的电子迁移率和电...