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脉冲激光沉积氮化碳薄膜及其生长机理研究
王淑芳[1]2000年在《脉冲激光沉积氮化碳薄膜及其生长机理研究》文中提出本工作利用等离子体辅助的脉冲激光沉积技术在Si衬底上生长氮化碳薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等多种技术手段,对薄膜的形貌、成分、晶体结构、价键状态等特...