• InGaAs/InP HBT的直流特性分析与设计

    InGaAs/InP HBT的直流特性分析与设计

    陈雷东[1]2003年在《InGaAs/InPHBT的直流特性分析与设计》文中研究说明本文设计了一种新材料结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),并利用双异质结电流模型计算和分析了材料结构参数对InGaAs/InPDHBT集电极电流、复合电流、电流增益、I—V输出特性和开启电压的影响,...
  • GaAs基HBT材料的外延生长及其特性研究

    GaAs基HBT材料的外延生长及其特性研究

    徐安怀[1]2004年在《InP基及含磷异质结双极晶体管材料结构设计与气态源分子束外延生长研究》文中研究表明异质结双极晶体管(HBT)是光纤通信和无线通信系统中的关键器件之一,有着广阔的应用前景,对它的研究具有重要的学术意义和实际价值。为此,本论文对InP基HBT结构的设计、重碳掺杂p型InGaAs...