砷化镓论文

单晶硅晶片化学机械抛光基本特性研究侯保江1,安亚青2,水涌涛1,孙向春1(1.北京航天长征飞行器研究所，北京100076；2.中国运载火箭技术研究院，北京100076)摘要：实...

唐蕾[1]2003年在《半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究》文中研究指明砷化镓(GaAs)是一种重要的化合物半导体材料，具有电子迁移率高、直接跃迁型能带结构等优点，其用途主要在两方面：一为SI-GaAs微电子器件；一为半导体GaAs光电子器件。目前，液封直拉技术生长GaAs单晶获得了广泛关...