退火处理论文

一、表面纳米化对金属材料电化学腐蚀行为的影响（论文文献综述）刘星,冉斗,孟惠民,李全德,巩秀芳,隆彬[1]（2021）在《表层纳米化对钛合金电化学腐蚀影响的研究进展》文中进行了...

王岩[1]2004年在《强磁场中非晶晶化组织与性能研究》文中认为纳米复合Nd_2Fe_(14)B／α-Fe型磁体是八十年代末发展起来的新型永磁材料。这种磁体是由Nd_2Fe+(14)B相和α-Fe相在纳米尺度内复合而成的。α-Fe相中原子磁矩的转动受Nd_2Fe+(14)B相的控制，因而这种磁体具有...

徐菊萍[1]2017年在《正电子湮没技术研究离子注入型半导体材料中的缺陷与磁性》文中认为同时利用了电子电荷属性和自旋属性的稀磁半导体是自旋电子学器件的核心材料,有望给未来的信息传输与处理、存储方式与规模带来重大变革,是目前材料科学和信息技术等众多研究领域的前沿热点。稀磁半导体通常由含有3d或4f电子...

刘高斌[1]2003年在《硫化镉薄膜的性质及应用研究》文中提出新材料在未来科学技术的发展中起着非常重要的作用，它将促进科学技术的迅速发展，增强国民经济实力，提高人们的日常生活水平。尤其是光电子信息材料的研究发展，更是举足轻重。硫化镉是一种应用广泛的光电子信息材料，从事该方面的研究工作，将会促进我国光...

朱弘源[1]2013年在《3003铝合金阴极箔热处理工艺及腐蚀机理的研究》文中指出本文通过差热分析、电阻率、硬度、比电容测试、X射线衍射分析、光学显微镜观察、扫描电镜观察以及透射电镜观察,研究了再结晶退火工艺对3003铝合金阴极箔比电容的影响规律,分析了再结晶退火过程中析出与再结晶的交互作用机理及其...

吴雪梅[1]2002年在《金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究》文中认为光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一，光电子集成器件在信息时代有极其重要的作用。由于硅的平面集成工艺已相当成熟，所以从工艺兼容性考虑，用硅基材料作为发光器件将是最佳的选择，而其获得应用的关键是提高发光效率。我们...

夏磊[1]2007年在《常压等离子化学气相沉积制备纳米多孔硅基薄膜的过程和特性研究》文中研究说明本文中主要阐述了通过常压介质阻挡放电等离子体化学气相沉积(APECVD)方法，利用硅烷(SiH_4)为硅源，与氩气(Ar)、氢气(H_2)按照一定配比混合，在不同的反应条件下进行气相沉积反应，并通过引入脉...

李锦[1]2002年在《近距离升华（CSS）法制备CdTe薄膜及其性能研究》文中指出本文是我一年半来硕士论文研究工作的总结，主要是对Ⅱ-Ⅵ族半导体光伏材料CdTe薄膜的制备条件及其掺杂性质进行的研究和总结。此外，实验上制备出玻璃/ITO/CdS/CdTe/Cu金属背电极薄膜太阳能电池，并得到了一些有...

陈乐乐[1]2012年在《铸态及退火态La-Mg-Ni系A_2B_7型贮氢合金的相结构及电化学性能研究》文中研究说明Re-Mg-Ni系贮氢合金是近10年来发展起来的新一代高性能稀土贮氢材料，并且已经于高端镍氢电池中得到初步应用。为了提高我国稀土贮氢材料在高端市场中的竞争力，开发新型稀土镁基贮氢合金及...

路景刚[1]2001年在《微氮硅单晶在功率器件中的应用研究》文中指出近年来，硅中氮的行为被广泛深入地研究。通常，在大规模集成电路工艺中氮气广泛地用作保护气和载气。人们知道，氮在硅中能够抑制微缺陷的形成，并能通过钉札位错提高硅片的机械强度。近年来，人们发现，直拉硅单晶中的氮能够提高集成电路的成品率和性...

陈燕俊[1]2001年在《贵金属层迭复合材料的制备工艺与界面研究》文中进行了进一步梳理随着电力系统对自动化水平及灵敏度要求的提高，以及电子工业产品的现代化，对电触头提出了愈来愈高的要求。采用贵金属及其合金材料，利用多层复合技术加工而成的复合电接触材料由于具有多功能、高性能、并节约贵金属等特点而得到人...

李宇杰[1]2001年在《Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的缺陷研究及退火改性》文中研究指明Cd_(1-x)Zn_xTe晶体具有十分优异的光、电性能，既可作为外延HgCdTe的衬底，又可用来制作X射线及γ射线探测器、太阳能电池等多种光电转换器件，是一种非常重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。对以外延衬底...