![碳化硅宽带隙半导体薄膜的异质外延生长技术及其结构性质分析]()
张永华[1]2002年在《碳化硅宽带隙半导体薄膜的异质外延生长技术及其结构性质分析》文中提出SiC是一种宽带隙半导体材料、第叁代半导体材料的代表，是制造高温、高频、大功率、抗辐照等半导体器件的优选材料，又被称为极端电子学材料，在微电子学领域具有广阔的应用前景。本论文提出了在蓝宝石上引入一层缓冲层材料...
![Bi系高温超导体的分析电子显微镜研究]()
边为民[1]1997年在《Bi系高温超导体的分析电子显微镜研究》文中提出在高温超导研究中，Bi系超导体是继Y系超导体之后又一重大发现。Bi系超导体因具有较高的T_c值，又不含稀土元素、容易制成带材等优点而受到普遍地关注。但由于其本身存在高温强磁场下J_c值严重衰减的弱点而难以在实际上获得应用。Bi系...
![GaAs基大功率半导体激光器和高亮度发光二极管特性分析]()
包玲[1]2000年在《GaAs基大功率半导体激光器和高亮度发光二极管特性分析》文中认为半导体激光器是光电子产业中最重要的组成部分，是继大规模集成电路之后，信息高技术领域中最有发展前途的产品之一。半导体发光管（LED）则是半导体光电子显示的核心器件。普通大功率半导体激光器存在着比较严重的发热问题，特...
![控制技术在GaN薄膜生长过程中的应用]()
王知学[1]2000年在《控制技术在GaN薄膜生长过程中的应用》文中指出以GaN为主的Ⅲ-Ⅴ族氮化物是近年来光电子材料领域研究的热门课题。它具有宽直接带隙、热导率高、抗辐射能力强等特性，是最有潜力的高温半导体材料。我室在1995年初设计研制成功国内第一台先进的ECR辅助MOCVD装置（见图2-1）。...
![GaAs基HBT材料的外延生长及其特性研究]()
徐安怀[1]2004年在《InP基及含磷异质结双极晶体管材料结构设计与气态源分子束外延生长研究》文中研究表明异质结双极晶体管(HBT)是光纤通信和无线通信系统中的关键器件之一，有着广阔的应用前景，对它的研究具有重要的学术意义和实际价值。为此，本论文对InP基HBT结构的设计、重碳掺杂p型InGaAs...
