![Ⅲ-N材料的RF Plasma MBE生长及物理研究]()
李一倬[1]2014年在《低温等离子体耦合催化去除挥发性有机物的研究》文中进行了进一步梳理随着现代工业的发展,我国因VOCs排放而引起的大气污染问题日益严重。目前常用于有机废气处理的技术包括:冷凝、溶液吸收、吸附、膜分离、生物处理、燃烧法、臭氧氧化、光催化等,然而这些技术很难同时对多组分VOCs进行...
![硅基GaN薄膜材料及紫外探测器原型器件研究]()
张昊翔[1]2001年在《硅基GaN薄膜材料及紫外探测器原型器件研究》文中研究说明近年来，宽禁带半导体材料GaN在短波长发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面的广阔应用前景而备受关注，发展十分迅速。由于体单晶难以制备，生长高质量的单晶薄膜材料是研究开发GaN基器件的基本前提条件。目...
![激光物理的创立及早期的发展]()
姚润丰[1]2001年在《激光物理的创立及早期的发展》文中研究说明本论文对激光物理的创立及其早期发展的历史过程进行了探讨。20世纪中叶以后由于量子电子学的发展而出现了一个新的分支，以研究激光物理机制，探索新型激光器，已形成了专门的学科，即激光物理，或因激光发源于电子技术而称为量子跃迁物理学，它是以1...
![任意波形发生器系统与软件设计]()
顾小明[1]2008年在《一种微流体数字化技术用任意波形发生器的研制》文中研究指明在线可编程任意波形发生器(程控任意波形发生器)是开展微流体数字化技术研究的基础设备。南京理工大学微系统研究室在将微流体数字化技术研究成果应用于细胞微量注射、基因芯片点样及固体粉末微量输送等具体领域的过程中对任意波形发生...
![VHDL语言在教学与研究中的应用]()
王英华[1]2001年在《VHDL语言在教学与研究中的应用》文中研究说明本文从现代信息社会的现状、需要及未来的发展趋势出发，对EDA（电子设计自动化）这一目前流行的电子设计技术中的两大核心技术——CPLD（复杂可编程逻辑器件）技术及VHDL（超高速硬件描述语言）语言进行了深入而详尽的研究，结合科研和...
![表面修饰N型多孔硅的光致荧光特性]()
郭成花[1]2003年在《多孔硅复合ZnO和CdS纳米粒子的光致发光特性》文中提出多孔硅(PS)是近年来发展起来的一种新型硅基材料，具有与单晶硅材料大不相同的特性。多孔硅可在近红外和可见，甚至在近紫外光区辐射强烈的荧光，使得它可用来制造发光器件，并可望能用来解决光电子集成电路的关键问题，为制造带有光...
![基于RTL描述的组合电路自动测试生成技术研究]()
陈骥[1]2001年在《基于RTL描述的组合电路自动测试生成技术研究》文中研究说明集成电路设计已经广泛使用HDL硬件描述语言作为输入，RTL（寄存器传输级）电路描述介于行为描述和逻辑门级描述之间，既具有电路功能的信息，又能体现电路具体结构实现，这使得基于结构的电路测试方法有可能在RTL级进行推广或改...
![波导异频双工器的计算机辅助设计]()
黄飞[1]2001年在《波导异频双工器的计算机辅助设计》文中研究指明本文应用模式匹配法（MMM）研究一种波导异频双工器的CAD计算方法，然后编制了一个波导异频双工器的通用CAD软件，此软件能根据用户的一定技术指标要求（如中心频率，相对带宽，带外衰减，带内回波损耗等），从而给出加工此双工器所要求的各个...
![以SiCl4为气源用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜]()
黄创军[1]2001年在《以SiCl_4为气源用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜》文中提出多晶硅薄膜以其优异的光电性能和较低的制备成本在能源信息工业中，日益成为一种非常重要的电子材料，被广泛应用于大规模集成电路和半导体分立器件。高效、稳定、廉价的多晶硅薄膜太阳电池有可能替代非晶硅薄膜太阳电池成为新一...
![F-P腔及DFB结构掺Yb～(3+)光纤激光器研究]()
梁丽萍[1]2001年在《F-P腔及DFB结构掺Yb～(3+)光纤激光器研究》文中研究说明掺Yb光纤激光器具有宽吸收谱、宽增益带和调谐范围，且上能级寿命长，泵浦效率高，适合于性能成熟的LD泵浦等。再加之作为光纤激光器所具有的低阈值、高增益、连续输出特性，以及小体积、便携式、集成化特点和可灵活弯曲的光...
![时域有限差分算法在光波导分析中的应用]()
朱燕杰[1]2001年在《时域有限差分算法在光波导分析中的应用》文中进行了进一步梳理时域有限差分算法(FDTDFinite-DifferenceTime-Domain)是六十年代中期发展起来的一种用于电磁场模拟的数值计算方法，在微波系统和天线系统的电磁模拟中取得了成功地应用。1994年Berenge...
![大功率LD端面泵浦调Q Nd:YAG激光器的研究]()
张立文[1]2004年在《LD端面泵浦的大功率Nd:YVO_4腔内倍频绿光激光器的研究》文中研究指明激光二极管(LaserDiode，简称LD)泵浦的固体激光器由于具有高效率、结构紧凑、输出稳定、长寿命和全固态等独特的优点，在军事、工业、医学和科研等方面具有广泛的用途，近年来成为国际激光领域的研究热...
![硒化镉（CdSe）单晶体的生长及其性能研究]()
叶林森[1]2007年在《气相提拉法生长CdSe单晶体及其性能表征》文中进行了进一步梳理硒化镉晶体是一种新型ⅡA-ⅥB族宽带隙化合物半导体材料，具有闪锌矿和纤锌矿两种晶体结构。其中纤锌矿结构晶体原子序数高(分别为Z_(Cd)=48，Z_(Se)=34，平均Z_(CdSe)=41)，禁带宽度较大(1....
![基于图形电磁计算方法的低散射目标双站RCS的预估]()
吴萍[1]2001年在《基于图形电磁计算方法的低散射目标双站RCS的预估》文中指出本论文在高频区低散射目标双站RCS的预估方面开展了研究。在图形电磁计算方法的基础上，做了以下几方面的工作：1）运用GRECO（图形电磁计算）方法研究了目标双站电磁建模。内容包括利用雷达散射单/双站的收发分置原理，获得目...
![氮对直拉硅单晶中氧化诱生层错的影响]()
储佳[1]2001年在《氮对直拉硅单晶中氧化诱生层错的影响》文中指出氧是直拉硅单晶中的最重要的杂质之一，控制硅中氧、氧沉淀的量及其分布以及氧沉淀的工艺诱生缺陷一直是硅材料和集成电路工艺研究的重点课题。硅中的氧化诱生层错是氧化工艺中引起的缺陷，通常认为成核于氧沉淀。出于降低成本、提高生产率的考虑，硅片...
![硅基GaN薄膜制备及紫外探测器的初步研究]()
王宇[1]2001年在《硅基GaN薄膜制备及紫外探测器的初步研究》文中进行了进一步梳理本硕士论文选题于国家教育部跨世纪人才和国家自然资金（No.69890230）资助的项目“硅基GaN的外延生长及器件应用”的一部分研究工作。近年来，宽禁带半导体材料GaN由于其在短波长发光器件、光探测器件以及抗辐射、...
![微氮硅单晶在功率器件中的应用研究]()
路景刚[1]2001年在《微氮硅单晶在功率器件中的应用研究》文中指出近年来，硅中氮的行为被广泛深入地研究。通常，在大规模集成电路工艺中氮气广泛地用作保护气和载气。人们知道，氮在硅中能够抑制微缺陷的形成，并能通过钉札位错提高硅片的机械强度。近年来，人们发现，直拉硅单晶中的氮能够提高集成电路的成品率和性...
![CVD法低温合成纳米金刚石薄膜及其动力学研究]()
段苹[1]2001年在《CVD法低温合成纳米金刚石薄膜及其动力学研究》文中研究说明本文论述的是低温下合成纳米金刚石薄膜及其动力学研究。实验采用辉光等离子体辅助热丝CVD技术，并尝试在热丝与基片之间加入一个栅极，目的是降低基片温度，改变电场分布，用栅极模仿和制造一个电偶极层，研究其对金刚石低温沉积的影...
![遗传算法在VLSI设计自动化中的应用研究]()
王小港[1]2001年在《遗传算法在VLSI设计自动化中的应用研究》文中研究指明遗传算法不仅仅是一种单纯的优化算法，而是一种以进化思想为基础的一般方法，对于复杂问题的解决是一个有力工具。遗传算法是概率性全局收敛的，具有并行性搜索、全局性优化、算法设计简单、操作性强、效率高以及不依赖于问题的模型等特性...
![位置敏感探测器的研究]()
高帅[1]2015年在《直线导轨多自由度几何误差同时测量中误差分析与补偿方法的研究》文中研究指明摘要：直线导轨是机械制造业中,精密与超精密设备的关键部件。直线导轨的精确度将直接影响着设备的加工精度,对其精度进行精密检测尤为重要。传统测量方法中的单参数测量费时费力,因此需对多自由度误差同时测量进行研究...
