氧化诱生层错论文

储佳[1]2001年在《氮对直拉硅单晶中氧化诱生层错的影响》文中指出氧是直拉硅单晶中的最重要的杂质之一，控制硅中氧、氧沉淀的量及其分布以及氧沉淀的工艺诱生缺陷一直是硅材料和集成电路工艺研究的重点课题。硅中的氧化诱生层错是氧化工艺中引起的缺陷，通常认为成核于氧沉淀。出于降低成本、提高生产率的考虑，硅片...