异质结论文

一、Thereflectionandinterferenceofelectronsattheinterfaceofsuperlattice（论文文献综述）宋京华[1]（2021...

一、电导法测定醋酸电离平衡常数实验的改进（论文文献综述）陈春兰[1]（2021）在《NiO/SiC异质结的制备及其界面、光电特性研究》文中指出作为第三代半导体材料的碳化硅（Si...

信息技术的基石——2000年诺贝尔物理学奖，本文主要内容关键词为：诺贝尔论文,信息技术论文,基石论文,物理学奖论文，此文献不代表本站观点，内容供学术参考，文章仅供参考阅读下载。...

王冲[1]2006年在《AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的研制与特性分析》文中研究指明AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温大功率方面有非常好的应用前景。但是,AlGaN/GaNHEMT的工艺技术还不成熟,干法刻蚀、肖特基接触、欧姆接触、钝化、空气桥技术等多个关键工艺...

陈雷东[1]2003年在《InGaAs/InPHBT的直流特性分析与设计》文中研究说明本文设计了一种新材料结构的InGaAs／InP双异质结晶体管(DHBT)，并利用双异质结电流模型计算和分析了材料结构参数对InGaAs／InPDHBT集电极电流、复合电流、电流增益、I—V输出特性和开启电压的影响，...

张永华[1]2002年在《碳化硅宽带隙半导体薄膜的异质外延生长技术及其结构性质分析》文中提出SiC是一种宽带隙半导体材料、第叁代半导体材料的代表，是制造高温、高频、大功率、抗辐照等半导体器件的优选材料，又被称为极端电子学材料，在微电子学领域具有广阔的应用前景。本论文提出了在蓝宝石上引入一层缓冲层材料...

王佳瑛[1]2015年在《黑磷光电特性及其异质结器件研究》文中认为黑磷作为一种新型的二维材料由于具有良好的电学与光电特性,因此受到科研工作者的广泛关注。黑磷属于双极性的窄带隙的半导体,其带隙为直接带隙,带隙类型不随着黑磷厚度的变化而改变;黑磷场效应管器件的载流子迁移率可以达到10000cm2V-1s...

自兴发[1]2016年在《Cu_2O基薄膜制备及其异质结特性研究》文中研究表明能源危机与环境污染是人类正面临的两项重大挑战。在太阳能电池研究领域,探索低成本、结构简单、环境友好,具有潜在应用前景的薄膜太阳能电池材料,并寻求提高其光电转换效率的途径是新型太阳能电池的一个重要发展方向。氧化亚铜(Cu_2...

陈汉鸿[1]2002年在《ZnO薄膜和ZnO紫外探测器》文中研究说明ZnO是一种多用途的材料。传统上，ZnO薄膜被广泛应用于声表面波器件，体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明导电电极等。近年来，ZnO作为宽带半导体材料的的研究越来越受到们的重视。ZnO薄膜的生长温度一般低于700℃，比GaN(生长...

张振华[1]2002年在《碳纳米管电子结构及输运特性的研究》文中指出本论文首先对碳纳米管(CNTs)的研究进展—制备与纯化、理化性质、技术应用、研究领域、研究方法及研究成果等进行全面评述，并对CNTs的原子结构、Brillouin区特点及与石墨的渊源关系进行了系统的讨论。在此基础上，重点研究了CNT...

李书平[1]2001年在《平均键能物理内涵与肖特基势垒和异质结带阶的研究》文中研究说明金属—半导体接触在技术上十分重要，在半导体器件和集成电路中广泛地利用着各种不同性质的金属—半导体接触，因而器件与集成电路的质量和可靠性在很大程度上依赖于电路中金属—半导体接触的性质：半导体异质结的价带带阶ΔE_p和...

杜鸣笛[1]2014年在《基于金属交叉电极耦合谐振腔增强结构的高性能光电探测器研究》文中研究指明光电探测器是光纤通信系统的基本器件,也是混频法产生无线波的重要元件。随着高速光纤通信和太赫兹(THz)波的发展,这就要求光电探测器向高速方向发展。金属-半导体-金属交叉电极具有很低的电容而被广泛地应用于高...

徐安怀[1]2004年在《InP基及含磷异质结双极晶体管材料结构设计与气态源分子束外延生长研究》文中研究表明异质结双极晶体管(HBT)是光纤通信和无线通信系统中的关键器件之一，有着广阔的应用前景，对它的研究具有重要的学术意义和实际价值。为此，本论文对InP基HBT结构的设计、重碳掺杂p型InGaAs...