阈值电压论文

大功率AlGaN/GaN HEMT关键制作工艺的研究
王冲[1]2006年在《AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的研制与特性分析》文中研究指明AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温大功率方面有非常好的应用前景。但是,AlGaN/GaNHEMT的工艺技术还不成熟,干法刻蚀、肖特基接触、欧姆接触、钝化、空气桥技术等多个关键工艺...
MOS器件总剂量辐射加固技术研究
肖志强[1]2011年在《SOI器件电离总剂量辐射特性研究》文中指出SOI(Silicon-on-insulator)技术已经得到了广泛应用,被国际上公认为“二十一世纪的硅集成电路技术”,抗辐射领域是SOI技术最初、最重要的应用领域,依然保持着持续的发展。本文对低压SOICMOS、高压SOICMOS...